公开(公告)号：US20130205895A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13397318

申请日：2012-02-15

Applicant: Brian Lee Wardle ,  Fabio Ferrucci Fachin ,  Stefan Nikles ,  Matthew Varghese

Inventor： Brian Lee Wardle ,  Fabio Ferrucci Fachin ,  Stefan Nikles ,  Matthew Varghese

IPC: G01P15/00 ,  H05K13/04

CPC classification number: B81C1/00007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/0019 ,  G01P15/00 ,  G01P15/008 ,  G01P15/0802 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

Abstract: The disclosure generally relates to method and apparatus for forming three-dimensional MEMS. More specifically, the disclosure relates to a method of controlling out-of-plane buckling in microstructural devices so as to create micro-structures with out-of-plane dimensions which are 1×, 5×, 10×, 100× or 500× the film's thickness or above the surface of the wafer. An exemplary device formed according to the disclosed principles, includes a three dimensional accelerometer having microbridges extending both above and below the wafer surface.

公开(公告)号：US07303997B1

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11544591

申请日：2006-10-10

Applicant: Philips Laou ,  Merel Philippe

Inventor： Philips Laou ,  Merel Philippe

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  G01J5/02 ,  G01J5/024 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/20

Abstract: Microbolometers with regionally thinned microbridges are produced by depositing a thin film (0.6 μm) of silicon nitride on a silicon substrate, forming microbridges on the substrate, etching the thin film to define windows in a pixel area, thinning the windows, releasing the silicon nitride, depositing a conductive YBaCuO film on the bridges, depositing a conductive film (Au) on the YBaCuO film, and removing selected areas of the YBaCuO and conductive films.

Abstract translation: 通过在硅衬底上沉积氮化硅薄膜（0.6μm），在衬底上形成微桥，蚀刻薄膜以限定像素区中的窗口，使窗户变薄，释放氮化硅，从而产生具有区域薄化微桥的微伏热计 在桥上沉积导电YBaCuO膜，在YBaCuO膜上沉积导电膜（Au），并去除YBaCuO和导电膜的选定区域。

公开(公告)号：US20050017276A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10877696

申请日：2004-06-25

Applicant: Kimiya Ikushima ,  Hiroyoshi Komobuchi ,  Mikiya Uchida

Inventor： Kimiya Ikushima ,  Hiroyoshi Komobuchi ,  Mikiya Uchida

IPC: B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01J5/10 ,  G01J5/20 ,  G01J5/34 ,  H01L31/062

CPC classification number: G01J5/20 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  G01F1/6845 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/045 ,  G01J5/10 ,  G01J5/34

Abstract: A method for fabricating an electronic device includes the steps of: preparing a cavity defining sacrificial layer, at least the upper surface of which is covered with an etch stop layer; forming at least one first opening in the etch stop layer, thereby partially exposing the surface of the cavity defining sacrificial layer; etching the cavity defining sacrificial layer through the first opening, thereby defining a provisional cavity under the etch stop layer and a supporting portion that supports the etch stop layer thereon; and etching away a portion of the etch stop layer, thereby defining at least one second opening that reaches the provisional cavity through the etch stop layer and expanding the provisional cavity into a final cavity.

Abstract translation: 一种制造电子器件的方法包括以下步骤：制备限定牺牲层的空腔，其至少其上表面被蚀刻停止层覆盖; 在蚀刻停止层中形成至少一个第一开口，从而部分地暴露限定牺牲层的空腔的表面; 蚀刻通过所述第一开口限定牺牲层的所述腔，从而在所述蚀刻停止层下方限定临时空腔，以及在其上支撑所述蚀刻停止层的支撑部分; 并且蚀刻掉蚀刻停止层的一部分，从而限定通过蚀刻停止层到达临时腔的至少一个第二开口，并将临时空腔膨胀成最终空腔。

公开(公告)号：JP6195929B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2015532345

申请日：2013-08-08

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： インゴ ヘルマン ,  カール−フランツ ラインハート ,  タャルフ ピアク

IPC: B81B1/00 ,  B81C3/00 ,  G01J1/42 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/09 ,  B81C1/00238 ,  G01J5/00 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  H01L23/26 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/18 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/097 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/94 ,  H01L23/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461

公开(公告)号：JP2015534642A

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：JP2015532345

申请日：2013-08-08

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： ヘルマン インゴ ,  ヘルマン インゴ ,  ラインハート カール−フランツ ,  ラインハート カール−フランツ ,  ピアク タャルフ ,  ピアク タャルフ

IPC: G01J1/02 ,  B81B1/00 ,  B81C3/00 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/09 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0792 ,  G01J5/00 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  H01L23/10 ,  H01L23/26 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明は、電磁波を、特に遠赤外線(FIR)を検知するための、少なくとも2つのウェハ(120,110;120,130)の構成体に関し、第1のウェハ(120)は、センサアレイとして構成されたマイクロシステム(115)を有し、当該マイクロシステム(115)は、電磁波を、特に遠赤外線(FIR)を検出して、対応するセンサ信号を生成するように構成されており、第2のウェハ(110;130)は、前記センサアレイに結合された評価回路として構成された集積回路(105)を有し、当該集積回路(105)は、生成された前記センサ信号に基づいて、当該生成されたセンサ信号を評価することにより、前記電磁波を、特に遠赤外線(FIR)を検知するように構成されている。

Abstract translation: 本发明中，电磁波，用于检测特定的远红外（FIR），至少两个晶片;涉及构建体（120，110 120，130），所述第一晶片（120），所述微系统构造为传感器阵列 （115）有一个，所述微系统（115），电磁波，通过检测特定的远红外（FIR），被配置为产生对应的传感器信号，第二晶片（110; 130）具有这样的构造的集成电路（105），其耦合到所述传感器阵列的评估电路，所述集成电路（105）基于所产生的传感器信号，将所生成的传感器信号 通过评估，电磁波，并且被配置为感测一个特定的远红外（FIR）。

公开(公告)号：JP2015529394A

公开(公告)日：2015-10-05

申请号：JP2015528462

申请日：2013-05-24

Applicant: レイセオン カンパニー ,  レイセオン カンパニー

Inventor： グーチ，ローランド，ダブリュ． ,  ディープ，ブー，キュー． ,  ブラック，スティーブン，エイチ． ,  コツィアン，トーマス，エー． ,  ケネディ，アダム，エム．

IPC: H01L23/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B05D5/061 ,  B81B7/0067 ,  B81B2201/0207 ,  B81C2203/0118

Abstract: キャップウエハーの反射防止コーティングによって誘起されるウエハー反りを低減する方法が提供される。当該方法は、キャップウエハーの凹部領域の反対側に位置付けられる少なくとも1つの開口を有するシャドーマスクを利用し得る。当該方法は更に、該シャドーマスクを介してキャップウエハーの平面側の上に少なくとも一層の反射防止コーティング材料を堆積して、該平面側の上に不連続なコーティングを配設することを含み得る。

Abstract translation: 提供了一种减少由盖晶片的防反射涂层引起的晶片弯曲的方法。 该方法可以利用具有荫罩的至少一个开口位于所述帽晶片的凹陷区域的对面。 该方法还可以包括通过对通过荫罩帽晶片的平坦表面侧上沉积抗反射涂层材料的至少一个层，设置在平面一侧的不连续的涂层。

公开(公告)号：JP2012517021A

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：JP2011549252

申请日：2010-02-04

Applicant: ノースロップ グルーマン システムズ コーポレーション

Inventor： クリシュナスワミー、シライ、ブイ． ,  スミス、フィリップ、シー． ,  ブルーザー、ネイサン

IPC: G01J1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L31/08 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0207 ,  H01L23/3121 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 断熱された能動素子を備えたマイクロ電気機械システムを製造する方法。 前記システムはボロメータを具現化でき、前記ボロメータは室温で動作しながら９０ＧＨｚ〜３０ＴＨｚの電磁輻射を検出する上で十分に適している。 当該方法では、能動的および受動的なマイクロ電気機械システムをシリコンウエハー内に組み込んだ回路を製造する一般化された工程についても開示している。
【選択図】 図１

公开(公告)号：JP2010050388A

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：JP2008215367

申请日：2008-08-25

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： KOIKE NOBUYUKI ,  TAMURA TAKASHI

IPC: H01L41/09 ,  C23C14/08 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5621 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663 ,  G01P7/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/032 ,  G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device causing no deterioration of piezoelectric characteristics under high temperatures, and having excellent heat resistance, to provide a manufacturing method of the same, and to provide an electronic apparatus. SOLUTION: This piezoelectric device (angular velocity sensor element 31) is equipped with a piezoelectric film 33 disposed between a first electrode film 34a and a second electrode film 34b. The piezoelectric film 33 is represented by chemical formula Pb 1+X (Zr Y Ti 1-Y )O 3+X (0≤X≤0.3, 0≤Y≤0.55), and the peak intensity of a pyrochlore phase which is measured by an X-ray diffraction method is not more than 10% in comparison with the sum of peak intensity in respective plane orientations of (100), (001), (110), (101) and (111) of perovskite phases. The film thickness of the piezoelectric film 33 is 400-1,000 nm. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：为了提供一种在高温下不会降低压电特性并具有优异的耐热性的压电元件，以提供其制造方法，并提供一种电子设备。 解决方案：该压电装置（角速度传感器元件31）配备有设置在第一电极膜34a和第二电极膜34b之间的压电膜33。 压电膜33由化学式Pb 1 + X （Zr Y Ti 1-Y / SB>（0≤X≤0.3,0≤Y≤0.55），通过X射线衍射法测定的烧绿石相的峰强度与峰强度之和相比不大于10％ 钙钛矿相的（100），（001），（110），（101）和（111）各自的平面取向。 压电膜33的膜厚为400〜1000nm。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR101752107B1

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020167000627

申请日：2014-07-08

Applicant: 레이던 컴퍼니

Inventor： 구치,롤랜드,더블유. ,  디엡,부,큐. ,  케네디,애덤,엠. ,  블랙,스티븐,에이치. ,  코시안,토마스,에이.

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/26 ,  H01L23/498 ,  H01L27/146 ,  H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/52 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/26 ,  H01L23/49866 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 전자디바이스및 그제조방법들. 하나이상의방법들은공동및 공동을둘러싸는표면을갖는뚜껑웨이퍼와, 검출기디바이스및 레퍼런스디바이스를갖는디바이스웨이퍼를제공하는단계를포함할수 있다. 특정예들에서, 티타늄물질의솔더배리어층은뚜껑웨이퍼의표면위에피착될수 있다. 티타늄물질의솔더배리어층은또한게터로서기능하기위해활성화될수 있다. 다양한예들에서, 뚜껑웨이퍼와디바이스웨이퍼는솔더를이용하여결합될수 있고, 티타늄물질의솔더배리어층은솔더가뚜껑웨이퍼의표면에접촉하는것을방지할수 있다.

Abstract translation: 电子装置及其制造方法。 一种或多种方法可以包括提供具有空腔和围绕该空腔的空腔的盖晶片，以及具有检测器装置和参考装置的器件晶片。 在某些情况下，可以在盖晶片的表面上沉积钛材料的焊料阻挡层。 钛材料的阻焊层也可以被激活以用作吸气剂。 在各种示例中，盖晶片和器件晶片可以使用焊料接合，并且钛材料的焊料阻挡层可以防止焊料接触盖晶片的表面。

公开(公告)号：KR1020170029426A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020167035825

申请日：2015-07-07

Applicant: 율리스

Inventor： 파비에,제롬 ,  부넬,데이비드

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/019 ,  G01J5/20 ,  H01L23/564 ,  H01L31/186 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 밀봉형진공하우징에수용되는마이크로전자부품을포함하는디바이스의제조방법은상기하우징에서기체트랩을형성하는단계, 상기하우징에서수용되는구성요소로부터기체를방출하도록디바이스를펌핑하고가열하는단계, 상기펌핑하는단계후, 플럭스를사용하지않고상기하우징을밀봉하는단계를포함한다. 더욱이, 상기내부공간내로기체를제거할가능성이있는상기디바이스의각각의성분은미네랄물질이고, 상기기체트랩은실질적으로수소만포획할수 있으며산소및/또는질소에비활성이며그리고가열및 밀봉은 300℃보다낮은온도에서수행된다.

Abstract translation: 一种制造具有容纳在气密密封真空壳体中的微电子部件的装置的方法，包括在所述壳体中产生气阱，泵送和加热装置，以便在所述泵送之后从容纳在所述壳体中的元件释放气体， 密封壳体而不使用助焊剂。 此外，制造能够脱气到内部容积的装置的每种材料是矿物材料，气阱能够仅基本捕获氢并且对氧和/或氮是惰性的，并且加热和密封是 在低于300℃的温度下进行。