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    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
    151.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：WO2007052039A1

    公开(公告)日：2007-05-10

    申请号：PCT/GB2006/004107

    申请日：2006-11-02

    Applicant: CAVENDISH KINETICS LIMITED ,  VAN KAMPEN, Robert ,  KAZINCZI, Robert

    Inventor： VAN KAMPEN, Robert ,  KAZINCZI, Robert

    IPC: B81B3/00 ,  G11C23/00 ,  G11C11/50 ,  H01H1/00

    CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0176 ,  G11C23/00 ,  H01H51/12

    Abstract: A non-volatile memory device and method of manufacturing a non-volatile micro-electromechanical memory cell. The method comprises the first step of depositing a first layer of sacrificial material on a substrate by use of Atomic Layer Deposition The second step of the method is providing a cantilever (101) over at least a portion of the first layer of sacrificial material. The third step is depositing, by use of Atomic Layer Deposition, a second layer of sacrificial material over the first layer of sacrificial material and over a portion of the cantilever such that a portion of the cantilever is surrounded by sacrificial material. The fourth step is providing a further layer material (107) which covers at least a portion of the second layer of sacrificial material. Finally, the last step is etching away the sacrificial material surrounding the cantilever, thereby defining a cavity (102) in which the cantilever is suspended.

    Abstract translation: 一种非易失性存储器件和制造非易失性微机电存储单元的方法。 该方法包括通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一层牺牲材料的第一步骤。该方法的第二步是在第一牺牲材料层的至少一部分上提供悬臂（101）。 第三步是通过使用原子层沉积在第一层牺牲材料上并在悬臂的一部分上沉积第二层牺牲材料，使得悬臂的一部分被牺牲材料包围。 第四步是提供覆盖牺牲材料的第二层的至少一部分的另外的层材料（107）。 最后，最后一步是蚀刻掉围绕悬臂的牺牲材料，由此限定悬臂悬挂在其中的空腔（102）。

    MULTISTEP RELEASE METHOD FOR ELECTROCHEMICALLY FABRICATED STRUCTURES
    152.
    发明申请
    MULTISTEP RELEASE METHOD FOR ELECTROCHEMICALLY FABRICATED STRUCTURES 审中-公开
    电化学结构的多重释放方法

    公开(公告)号：WO2003095709A2

    公开(公告)日：2003-11-20

    申请号：PCT/US2003/014663

    申请日：2003-05-07

    Applicant: MEMGEN CORPORATION

    Inventor： COHEN, Adam, L. ,  LOCKARD, Michael, S. ,  MCPHERSON, Dale, S.

    IPC: C25D1/00

    CPC classification number: B81C1/00126 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/014 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D1/003 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P5/183 ,  H01P11/00 ,  H01P11/005 ,  H05K3/4647

    Abstract: Multilayer structures are electrochemically fabricated from at least one structural material ( e.g . nickel), that is configured to define a desired structure and which may be attached to a substrate, and from at least one sacrificial material ( e.g. copper) that surrounds the desired structure. After structure formation, the sacrificial material is removed by a multi-stage etching Operation. In some embodiments sacrificial material to be removed may be located within passages or the like on a substrate or within an add-on component. The multi-stage etching Operations may be separated by cleaning Operations, or barrier material removal Operations, or the like. Barriers may be fixed in position by contact with structural material or with a substrate or they may be solely fixed in position by sacrificial material and are thus free to be removed after all retaining sacrificial material is etched.

    Abstract translation: 多层结构由至少一种结构材料（例如镍）进行电化学制造，其被构造成限定期望的结构并且可以附着到基底上，并且由至少一种围绕期望结构的牺牲材料（例如铜）制成。 在结构形成之后，通过多级蚀刻操作去除牺牲材料。 在一些实施例中，待移除的牺牲材料可以位于基底上或附加部件内的通道等内。 多级蚀刻操作可以通过清洁操作或阻挡材料去除操作等来分离。 障碍物可以通过与结构材料或基底接触而固定就位，或者它们可以通过牺牲材料单独固定在适当位置，并且因此在所有保留牺牲材料被蚀刻之后可以被自由地去除。

    BONDED WAFER OPTICAL MEMS PROCESS
    153.
    发明申请
    BONDED WAFER OPTICAL MEMS PROCESS 审中-公开
    用粘结板制造光学微电子机械系统的方法

    公开(公告)号：WO02012116A2

    公开(公告)日：2002-02-14

    申请号：PCT/US2001/041523

    申请日：2001-08-03

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08 ,  B81B

    CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

    Abstract: A microelectromechanical system is fabricated from a substrate having a handle layer, a silicon sacrificial layer and a device layer. A micromechanical structure is etched in the device layer and the underlying silicon sacrificial layer is etched away to release the micromechanical structure for movement. One particular micromechanical structure described is a micromirror.

    Abstract translation: 本发明涉及一种由具有操纵层，牺牲硅层和器件层的衬底制造的微机电系统。 在器件层中蚀刻微机械结构，并且去除下面的硅牺牲层以允许微机械结构的移动。 本发明中描述的特定微机械结构是微镜。

    A MEM GYROSCOPE AND A METHOD OF MAKING SAME
    154.
    发明申请
    A MEM GYROSCOPE AND A METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
    一种MEM GYROSCOPE及其制造方法

    公开(公告)号：WO02010064A2

    公开(公告)日：2002-02-07

    申请号：PCT/US2001/024529

    申请日：2001-07-31

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/08 ,  B81B

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/036 ,  G01C19/5656 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0894

    Abstract: A method of making a micro electro-mechanical gyroscope. A cantilevered beam structure, firstportions of side drive electrodes and a mating structure are defined on a first substrate or wafer;and at least one contact structure, second portions of the side drive electrodes and a matingstructure are defined on a second substrate or wafer, the mating structure on the second substrateor wafer being of a complementary shape to the mating structure on the first substrate or waferand the first and second portions of the side drive electrodes being of a complementary shape to each other. A bonding layer, preferably a eutectic bonding layer, is provided on at least one of the mating structures and one or the first and second portions of the side drive electrodes. The matingstructure of the first substrate is moved into a confronting relationship with the mating structureof the second substrate or wafer. Pressure is applied between the two substrates so as to cause a bond to occur between the two mating structures at the bonding or eutectic layer and alsobetween the first and second portions of the side drive electrodes to cause a bond to occurtherebetween. Then the first substrate or wafer is removed to free the cantilevered beam structurefor movement relative to the second substrate or wafer. The bonds are preferably eutectic bonds.

    Abstract translation: 制造微机电陀螺仪的方法。 悬臂梁结构，侧驱动电极的第一部分和配合结构限定在第一基板或晶片上;并且至少一个接触结构，侧驱动电极的第二部分和匹配结构限定在第二基板或晶片上， 所述第二基底晶片上的配合结构与所述第一衬底或晶片上的配合结构互补形状，并且所述侧驱动电极的所述第一和第二部分彼此互补形状。 在至少一个配合结构和侧驱动电极的一个或第一和第二部分中提供粘结层，优选共晶粘结层。 第一衬底的匹配结构被移动成与第二衬底或晶片的配合结构面对面的关系。 在两个基板之间施加压力，以便在接合或共晶层处的两个配合结构之间以及在侧面驱动电极的第一和第二部分之间发生接合，从而在其之间发生接合。 然后移除第一衬底或晶片以释放悬臂梁结构以相对于第二衬底或晶片移动。 键优选为共晶键。

    PIECE A BASE DE SILICIUM AVEC AU MOINS UN CHANFREIN ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    158.
    发明公开
    PIECE A BASE DE SILICIUM AVEC AU MOINS UN CHANFREIN ET SON PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
    WERKSTÜCKAUF SILIZIUMBASIS MIT MINDESTENS EINER FASE，UND SEIN HERSTELLUNGSVERFAHREN

    公开(公告)号：EP3109199A1

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：EP16170668.4

    申请日：2016-05-20

    Applicant: Nivarox-FAR S.A.

    Inventor： Gandelhman, Alex

    IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

    CPC classification number: G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  C23F1/00

    Abstract: L'invention se rapporte à une pièce à base de silicium avec au moins un chanfrein formé à partir d'un procédé combinant au moins une étape de gravage de flancs obliques avec un gravage du type « Bosch » de flancs verticaux permettant notamment l'amélioration esthétique et l'amélioration de la tenue mécanique de pièces formées par micro-usinage d'une plaquette à base de silicium.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有至少一个倒角的硅基组件，该方法将至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤与垂直侧壁的“博世”蚀刻结合在一起，从而使得美学改进和组件的机械强度得到改善 通过微加工硅基晶片形成。

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