公开(公告)号：WO2009147014A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：PCT/EP2009056130

申请日：2009-05-20

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  GLUSHKOV DENIS ,  BANINE VADIM ,  MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPH ,  SJMAENOK LEONID AIZIKOVITCH ,  SALASCHENKO NIKOLAI NIKOLAEVIC

Inventor： GLUSHKOV DENIS ,  BANINE VADIM ,  MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA ,  SJMAENOK LEONID AIZIKOVITCH ,  SALASCHENKO NIKOLAI NIKOLAEVICH

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/14 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A multilayer mirror is constructed and arranged to reflect radiation having a wavelength in the range of 2-8 nm. The multilayer mirror has alternating layers selected from the group consisting of: Cr and Sc layers, Cr and C layers, C and B4C layers, U and B4C layers, Th and B4C layers, C and B9C layers, La and B9C layers U and B9C layers, Th and B9C layers, La and B layers, C and B layers, U and B layers, and Th and B layers.

Abstract translation: 构造并布置多层反射镜以反射波长在2-8nm范围内的辐射。 多层反射镜具有选自Cr和Sc层，Cr和C层，C和B4C层，U和B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和B9C层U和B9C的交替层 层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，以及Th和B层。

公开(公告)号：WO2009145288A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：PCT/JP2009/059844

申请日：2009-05-29

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  齊藤 健太 ,  小池 章夫 ,  橘 ゆう子 ,  岩橋 康臣

Inventor： 齊藤　健太 ,  小池　章夫 ,  橘　ゆう子 ,  岩橋　康臣

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

Abstract: 　ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、室温における熱膨張係数がほぼゼロとなり、ガラスから水素を放出させることで多層膜の物性を長時間維持させることが可能なＴｉＯ 2 －ＳｉＯ 2 ガラスを提供する。本発明は、仮想温度が１１００℃以下であり、水素分子濃度が５×１０ １７ 分子／ｃｍ ３ 以上であり、線熱膨張係数が０ｐｐｂ／℃となる温度が４～４０℃の範囲にあることを特徴とするＴｉＯ 2 を含有するシリカガラスに関する。

Abstract translation: 在室温下显示约为零的TiO 2的玻璃（TiO 2 -SiO 2玻璃），可以通过从玻璃中释放氢来保持曝光装置的多层的物理性能 用于EUVL很长时间，当用作曝光设备的光学元件时。 含TiO 2的二氧化硅玻璃的特征在于具有1100℃以下的假想温度和5×1017分子/ cm 3以上的氢分子浓度，并且通过在线性热膨胀系数内显示0ppb /℃的线性热膨胀系数 温度范围为4〜40℃。

公开(公告)号：WO2009095220A2

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/EP2009/000539

申请日：2009-01-28

Applicant: MEDIA LARIO S.R.L. ,  WALLHEAD, Ian ,  ZOCCHI, Fabio

Inventor： WALLHEAD, Ian ,  ZOCCHI, Fabio

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H05G2/00

CPC classification number: G03F7/70916 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70166 ,  G21K1/062 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067 ,  H05G2/003

Abstract: A collector optical system for extreme ultraviolet (EUV) or X-ray applications, including lithography and imaging, for example at 13 5 nm, comprising a grazing incidence collector in combination with a laser produced plasma (LPP) source In one embodiment, one or more further optical elements act upon one or more laser beams used to generate the EUV or X-ray plasma source, whereby said laser beam(s) ιmpact(s) on the fuel target from a side thereof on which an intermediate focus is disposed Also disclosed is a collector for EUV and X-ray applications, in which radiation from a laser produced plasma source is reflected by the collector to an intermediate focus, the line joining the source and intermediate focus defining an optical axis, a first direction on the optical axis being defined from the source to the intermediate focus, characterised by the collector comprising one or more grazing incidence mirrors, and by the collector comprising one or more further optical elements for redirecting a received laser beam so as to be incident upon the source (a) in a second direction, opposite to said first direction, or (b) at an acute angle to said second direction The further optical elements may comprise plane or spherical mirrors and/or lenses, for example disposed on the optical axis Also disclosed is a collector for application at about 13 5 nm with Laser Produced Plasma sources, the collector comprising between 5 and 16 concentrically aligned mirrors, and preferably between 6 and 12 mirrors, that operate at grazing incidence such that the maximum grazing angle between the incident radiation and the reflective surface of the mirrors is about 30°, and more preferably about 25°, in order to allow a maximum collection angle from the source of about 40° to about 85°, and preferably about 45° to about 75° Also disclosed is an EUV lithography system comprising a radiation source, for example a LPP source, the collector, an optical condenser, and a reflective mask

Abstract translation: 用于极紫外（EUV）或X射线应用的收集器光学系统，包括例如13 5nm的光刻和成像，包括与激光产生的等离子体（LPP）源组合的掠入射收集器。在一个实施例中，一个或 更多的光学元件作用于用于产生EUV或X射线等离子体源的一个或多个激光束，由此所述激光束从其上放置中间焦点的一侧在燃料靶上形成 还公开了一种用于EUV和X射线应用的收集器，其中来自激光器产生的等离子体源的辐射被集电器反射到中间焦点，连接源和中间焦点的线限定光轴，第一方向在 光轴从源极到中间焦点定义，其特征在于收集器包括一个或多个掠入射镜，并且由收集器包括一个或多个另外的用于重新发射的光学元件 接收的激光束以与所述第一方向相反的第二方向入射在源（a）上，或（b）与所述第二方向成锐角。另外的光学元件可以包括平面或球面镜， /或透镜，例如设置在光轴上。还公开了一种用于在约13 5nm处用激光产生的等离子体源施加的收集器，该收集器包括5至16个同心对准的反射镜，优选在6和12个反射镜之间，其操作 在掠射入射处，使得入射辐射与反射镜的反射表面之间的最大掠射角为约30°，更优选为约25°，以便允许来自约40°至约85°的源的最大收集角 °，优选约45°至约75°。还公开了一种EUV光刻系统，其包括辐射源，例如LPP源，收集器，光学冷凝器和反射掩模

公开(公告)号：WO2007122433A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/HU2007/000033

申请日：2007-04-19

Applicant: MIRROTRON KFT. ,  KASZÁS, György

Inventor： KASZÁS, György

IPC: G21K1/06 ,  B32B17/06

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067 ,  G21K2201/068

Abstract: The subject of the invention is a procedure for manufacturing a neutron-guiding flat surface of low waviness in the course of which a thin plate coated by a material suitable for neutron reflection, advantageously of multilayered structure, is glued onto a significantly thicker carrier surface. The procedure is characterised by placing the thin neutron-reflecting plate onto a base surface of low flatness, typically of the order of magnitude of 10 -5 radian, advantageously onto a vacuum table, so that the thin plate lies on the base surface with the neutron-reflecting coating facing the base surface, then the thin plate is positioned on the base surface by means of applying reclining contact points formed along the base edge determined by the size of the thin plate, the thin plate is fixed onto the base surface by means of vacuum suction, then the reclining contacts are removed and a glue is attached to the upper surface of the fixed thin plate which displays low absorption capacity to neutrons and retains its binding strength in the presence of incident neutrons, then the thick carrier plate is stuck to the upper surface of the thin plate by moving the thick plate back and forth thus providing the homogeneous dispersion of the glue, then the thick carrier plate is fixed onto the base surface by reclining points and the binding process of the glue is accelerated by a known and appropriately selected procedure of binding acceleration, then finally the glued plates are removed from the base surface by undoing the reclining points.

Abstract translation: 本发明的主题是制造低波纹的中子引导平面的过程，其中由适合于中子反射的材料（有利地是多层结构）涂覆的薄板被胶合到较厚的载体表面上。 该方法的特征在于将薄的中子反射板放置在低平面度的基底表面上，通常为10 -5弧度的数量级，有利地在真空台上，使得薄板 位于基底表面上，中子反射涂层面向基面，然后薄板通过施加沿着基部边缘形成的倾斜接触点而定位在基底表面上，该接触点由薄板的尺寸确定，薄板 通过真空抽吸固定在基面上，然后去除斜倚接触，并将胶粘在固定薄板的上表面上，对中子具有低吸收能力，并在入射中子存在下保持其结合强度 ，然后通过前后移动厚板将厚载板粘附到薄板的上表面，从而提供胶的均匀分散体，然后厚载板为f 通过倾斜点固定在基面上，并通过已知且适当选择的结合加速程序加速胶的粘合过程，然后通过松开倾斜点从基底表面去除胶合板。

公开(公告)号：WO2007022916A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/EP2006/008141

申请日：2006-08-17

Applicant: UNISANTIS EUROPE GMBH ,  BAUMANN, Thomas

Inventor： BAUMANN, Thomas

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/067

Abstract: An X-ray lens assembly, a device including the X-ray lens assembly and a method of manufacturing the X-ray lens assembly are described. The X-ray assembly comprises a tube member (50) including an inlet opening (90) for X-rays and an outlet opening (94) for X-rays. Additionally, the assembly comprises a capillary X-ray lens (28) mounted inside the tube member (50). The X-ray lens (28) may be mounted inside the tube member (50) by a stabilizing agent and/or by one or more separate mounting structures (96A, 96B).

Abstract translation: 描述了X射线透镜组件，包括X射线透镜组件的装置和制造X射线透镜组件的方法。 X射线组件包括管构件（50），其包括用于X射线的入口（90）和用于X射线的出口（94）。 另外，组件包括安装在管构件（50）内的毛细管X射线透镜（28）。 X射线透镜（28）可以通过稳定剂和/或通过一个或多个单独的安装结构（96A，96B）安装在管构件（50）内。

公开(公告)号：WO2006115114A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：PCT/JP2006/308108

申请日：2006-04-18

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学 ,  遠藤 久満

Inventor： 遠藤 久満

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/04 ,  G02B5/18 ,  G02B21/00 ,  G21K7/00

CPC classification number: G02B3/08 ,  G01N23/04 ,  G02B21/16 ,  G21K1/06 ,  G21K7/00 ,  G21K2201/067

Abstract: 【課題】最外周の不透明帯の幅を小さくすることができない場合でも、分解能を向上させることができる複合照射機能をもつフレネルゾーンプレート及び該フレネルゾーンプレートを使用したＸ線顕微鏡を提供すること。 【解決手段】本発明の複合照射機能をもつフレネルゾーンプレート１は、平板状の透明基板２上に、中心から半径方向に向けて同心円状に不透明帯３と透明帯４とを交互に配し、上面に垂直照射された平面波の一部が、散乱することなくフレネルゾーンプレート１の下方に配設された試料６にそのまま垂直入射するように、透過窓７を形成したものである。

Abstract translation: 提供具有复合照射功能的菲涅尔区块，即使在最外侧的不透明带宽不能减小时也能够提高分辨率，使用了菲涅尔区域平面的X射线显微镜。 解决问题的手段具有复杂照射功能的菲涅耳区板（1）具有从平坦透明基板（2）的中心沿径向交替布置的不透明带（3）和透明带（4）。 菲涅耳区板具有透射寡影（7），使得垂直施加到基板（2）的上表面上的平面波的一部分垂直地前进到布置在菲涅耳区板（1）下方的样品（6）。

公开(公告)号：WO2005115743A3

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/US2005018380

申请日：2005-05-25

Applicant: IBM ,  GALLAGHER EMILY E ,  KINDT LOUIS M ,  THIEL CAREY W

Inventor： GALLAGHER EMILY E ,  KINDT LOUIS M ,  THIEL CAREY W

IPC: B32B9/00 ,  B32B15/00 ,  B32B17/06 ,  G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G21K1/06 ,  G21K5/00 ,  G01F9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A light scattering EUVL mask and a method of forming the same comprises depositing (300) a crystalline silicon layer (110) over an ultra low expansion substrate (100), depositing a hardmask over the crystalline silicon layer (310), patterning the hardmask (340); etching the crystalline silicon layer (350), removing the hardmask (360), and depositing a Mo/Si layer over the crystalline silicon layer (360), wherein etched regions of the crystalline silicon layer comprise uneven surfaces in the etched regions. The method further comprises depositing a photoresist mask (320) over the hardmask, creating a pattern in the photoresist mask (330), and transferring the pattern to the hardmask (340). The Mo/Si layer (160) comprises uneven surfaces conformal with the sloped surfaces off the crystalline silicon layer (110), wherein the sloped surfaces of the Mo/Si layer may be configured as roughened, jagged, sloped, or curved surfaces, wherein the uneven surfaces deflect incoming extreme ultraviolet radiation waves to avoid collection by exposure optics and prevent printing onto a semiconductor wafer.

Abstract translation: 光散射EUVL掩模及其形成方法包括在超低膨胀衬底（100）上沉积（300）晶体硅层（110），在晶体硅层（310）上沉积硬掩模，使硬掩模 340）; 蚀刻晶体硅层（350），去除硬掩模（360），以及在晶体硅层（360）上沉积Mo / Si层，其中晶体硅层的蚀刻区域包括蚀刻区域中的不平坦表面。 该方法还包括在硬掩模上沉积光致抗蚀剂掩模（320），在光致抗蚀剂掩模（330）中产生图案，并将图案转移到硬掩模（340）。 Mo / Si层（160）包括与晶体硅层（110）之间的倾斜表面共形的不平坦表面，其中Mo / Si层的倾斜表面可以被配置为粗糙的，锯齿形的，倾斜的或曲面的，其中 不平坦的表面偏转入射的极紫外辐射波，以避免曝光光学元件的收集，并防止印刷到半导体晶片上。

公开(公告)号：WO2005115743A2

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/US2005/018380

申请日：2005-05-25

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  GALLAGHER, Emily, E. ,  KINDT, Louis, M. ,  THIEL, Carey, W.

Inventor： GALLAGHER, Emily, E. ,  KINDT, Louis, M. ,  THIEL, Carey, W.

IPC: B32B9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: A light scattering EUVL mask and a method of forming the same comprises depositing (300) a crystalline silicon layer (110) over an ultra low expansion substrate (100), depositing a hardmask over the crystalline silicon layer (310), patterning the hardmask (340); etching the crystalline silicon layer (350), removing the hardmask (360), and depositing a Mo/Si layer over the crystalline silicon layer (360), wherein etched regions of the crystalline silicon layer comprise uneven surfaces in the etched regions. The method further comprises depositing a photoresist mask (320) over the hardmask, creating a pattern in the photoresist mask (330), and transferring the pattern to the hardmask (340). The Mo/Si layer (160) comprises uneven surfaces conformal with the sloped surfaces off the crystalline silicon layer (110), wherein the sloped surfaces of the Mo/Si layer may be configured as roughened, jagged, sloped, or curved surfaces, wherein the uneven surfaces deflect incoming extreme ultraviolet radiation waves to avoid collection by exposure optics and prevent printing onto a semiconductor wafer.

Abstract translation: 光散射EUVL掩模及其形成方法包括在超低膨胀衬底（100）上沉积（300）晶体硅层（110），在晶体硅层（310）上沉积硬掩模，使硬掩模 340）; 蚀刻晶体硅层（350），去除硬掩模（360），以及在晶体硅层（360）上沉积Mo / Si层，其中晶体硅层的蚀刻区域包括蚀刻区域中的不平坦表面。 该方法还包括在硬掩模上沉积光致抗蚀剂掩模（320），在光致抗蚀剂掩模（330）中产生图案，并将图案转移到硬掩模（340）。 Mo / Si层（160）包括与晶体硅层（110）之间的倾斜表面共形的不平坦表面，其中Mo / Si层的倾斜表面可以被配置为粗糙的，锯齿形的，倾斜的或曲面的，其中 不平坦的表面偏转入射的极紫外辐射波，以避免曝光光学元件的收集，并防止印刷到半导体晶片上。

公开(公告)号：WO2005091879A2

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/US2005005935

申请日：2005-02-24

Applicant: CYMER INC ,  PARTLO WILLIAM N ,  BOWERING NORBERT R ,  ERSHOV ALEXANDER I ,  FOMENKOV IGOR V ,  OLIVER I ROGER ,  VIATELLA JOHN ,  JACQUES ROBERT N

Inventor： PARTLO WILLIAM N ,  BOWERING NORBERT R ,  ERSHOV ALEXANDER I ,  FOMENKOV IGOR V ,  OLIVER I ROGER ,  VIATELLA JOHN ,  JACQUES ROBERT N

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H01J35/20 ,  H05G2/00

CPC classification number: G03F7/70033 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: An apparatus and method for EUV light production is disclosed which may comprise a laser produced plasma ("LPP") extreme ultraviolet ("EUV") light source control system comprising a target delivery system adapted to deliver moving plasma initiation targets and an EUV light collection optic having a focus defining a desired plasma initiation site, comprising: a target tracking and feedback system comprising: at least one imaging device providing as an output an image of a target stream track, wherein the target stream track results from the imaging speed of the camera being too slow to image individual plasma formation targets forming the target stream imaged as the target stream track; a stream track error detector detecting an error in the position of the target stream track in at least one axis generally perpendicular to the target stream track from a desired stream track intersecting the desired plasma initiation site. At least one target crossing detector may be aimed at the target track and detecting the passage of a plasma formation target through a selected point in the target track. A drive laser triggering mechanism utilizing an output of the target crossing detector to determine the timing of a drive laser trigger in order for a drive laser output pulse to intersect the plasma initiation target at a selected plasma initiation site along the target track at generally its closest approach to the desired plasma initiation site. A plasma initiation detector may be aimed at the target track and detecting the location along the target track of a plasma initiation site for a respective target. An intermediate focus illuminator may illuminate an aperture formed at the intermediate focus to image the aperture in the at least one imaging device. The at least one imaging device may be at least two imaging devices each providing an error signal related to the separation of the target track from the vertical centerline axis of the image of the intermediate focus based upon an analysis of the image in the respective one of the at least two imaging devices. A target delivery feedback and control system may comprise a target delivery unit; a target delivery displacement control mechanism displacing the target delivery mechanism at least in an axis corresponding to a first displacement error signal derived from the analysis of the image in the first imaging device and at least in an axis corresponding to a second displacement error signal derived from the analysis of the image in the second imaging device.

Abstract translation: 公开了一种用于EUV光产生的装置和方法，其可以包括激光产生的等离子体（“LPP”）极紫外（“EUV”）光源控制系统，其包括适于递送移动等离子体引发靶的目标传送系统和EUV光收集 光学元件具有限定期望的等离子体起始位置的焦点，包括：目标跟踪和反馈系统，包括：至少一个成像装置，其提供目标流轨迹的图像作为输出，其中，所述目标流轨迹来自所述目标流轨迹的成像速度 摄像机太慢，不能成像形成被作为目标流轨迹成像的目标流的各个等离子体形成目标; 流轨迹误差检测器，从与期望的等离子体起始位置相交的期望的流轨道检测在大致垂直于目标流轨迹的至少一个轴上的目标流轨迹位置的误差。 至少一个目标交叉检测器可以瞄准目标轨道并且检测等离子体形成目标通过目标轨道中的选定点的通过。 驱动激光触发机构利用目标交叉检测器的输出来确定驱动激光触发的定时，以便驱动激光输出脉冲在等离子体引发目标处沿着目标轨道在一般最接近的等离子体起始位置处相交 接近所需的等离子体引发位点。 等离子体起始检测器可以瞄准目标轨道并且检测针对相应目标的等离子体起始位置沿着目标轨迹的位置。 中间焦点照明器可以照亮形成在中间焦点处的孔，以对至少一个成像装置中的孔进行成像。 所述至少一个成像装置可以是至少两个成像装置，每个成像装置基于对所述中间焦点的图像的图像的分析，提供与所述目标轨道与所述中间焦点的图像的垂直中心线轴线分离相关的误差信号 所述至少两个成像装置。 目标传送反馈和控制系统可以包括目标传送单元; 目标传送位移控制机构至少在对应于从第一成像装置中的图像的分析导出的第一位移误差信号的轴上移动目标传送机构，并且至少在与由第二位移误差信号 对第二成像装置中的图像进行分析。

公开(公告)号：WO03081187A2

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：PCT/EP0303200

申请日：2003-03-27

Applicant: ZEISS CARL SMT AG ,  YAKSHIN ANDREY E ,  KOJEVNIKOV IGOR VICTOROVICH ,  BIJKERK FREDERIK ,  LOUIS ERIC

Inventor： YAKSHIN ANDREY E ,  KOJEVNIKOV IGOR VICTOROVICH ,  BIJKERK FREDERIK ,  LOUIS ERIC

IPC: G02B1/10 ,  G21K1/06 ,  G01J

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/067

Abstract: A process for the production of optical broad band elements for the ultra violet to hard x-ray wavelength range, especially the extreme ultra violet wavelength range is described. A set from series of layers made of at least two materials in relation to the layer sequence is designed and numerical optimization of the the layer thicknesses and of the cap layer thickness is performed. The materials are chosen in such a way that two successive layers interact with each other as little as possible or controllably. The set can be formed from Mo2C- and Sidayers. The numerical optimization takes into account interlayers of a certain thickness and composition.

Abstract translation: 描述了用于紫外至硬X射线波长范围，特别是极紫外波长范围的光学宽带元件的制造方法。 设计由相对于层序列由至少两种材料制成的一系列层的集合，并且执行层厚度和帽层厚度的数值优化。 选择材料的方式是两个连续的层尽可能少或可控地彼此相互作用。 该组可以由Mo2C和Sidayers组成。 数值优化考虑了具有一定厚度和组成的夹层。