公开(公告)号：KR1019910020824A

公开(公告)日：1991-12-20

申请号：KR1019900007234

申请日：1990-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  이영수 ,  김보우

IPC: H01L21/263

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019910020823A

公开(公告)日：1991-12-20

申请号：KR1019900007228

申请日：1990-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  이영수 ,  김보우

IPC: H01L21/263

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100045603B1

公开(公告)日：1991-10-31

申请号：KR1019880010254

申请日：1988-08-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김광수 ,  채상훈 ,  김여환 ,  김보우 ,  이진효

IPC: H01L29/70

公开(公告)号：KR1019910005393B1

公开(公告)日：1991-07-29

申请号：KR1019880010254

申请日：1988-08-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김광수 ,  채상훈 ,  김여환 ,  김보우 ,  이진효

IPC: H01L29/70

Abstract: The BI-CMOS containing the bipolar and CMOS is fabricated by electrically isolating the both sides of N+-polycrystalline Si acting as the source and drain of CMOS, and the emitter and collector of bipolar. The width of inactive base region is reduced by dry etching the silicon after depositing the nitride film. The inactive base region and all junctions are formed to reduce the serics resistance of base in bipolar transistor by wet etching the nitride films after depositing the base oxide film of CMOS followed by aluminium metallization.

Abstract translation: 包含双极和CMOS的BI-CMOS通过电隔离作为CMOS的源极和漏极的N + - 多晶硅的两侧以及双极的发射极和集电极来制造。 通过在沉积氮化物膜之后干蚀刻硅来减少非活性碱性区的宽度。 形成非活性碱性区域和所有连接点，以在沉积CMOS之氧化膜后进行铝金属化，通过湿式蚀刻氮化物膜来降低双极晶体管中碱的线电阻。

公开(公告)号：KR1019900010899A

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：KR1019880017978

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이종현 ,  장원익 ,  김보우 ,  유형준 ,  배남진

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/26

公开(公告)号：KR1019900004029A

公开(公告)日：1990-03-27

申请号：KR1019880010463

申请日：1988-08-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구용서 ,  구진근 ,  김보우 ,  이진효

IPC: H01L29/70

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR101087136B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020080122215

申请日：2008-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유성욱 ,  박건식 ,  박종문 ,  윤용선 ,  김상기 ,  구진근 ,  김보우 ,  강진영

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 기판의 적재가 용이할 뿐만 아니라 초기 열산화 공정 시 발생될 수 있는 자연 산화막 발생을 최대한 억제할 수 있고, 반응 가스의 균일할 확산을 유도하여 균일한 두께의 산화막을 발생시킬 수 있는 반도체 제조용 횡형 확산로에 관한 것으로서, 상기 횡형 확산로는, 상하로 개폐가능하며 그 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 적재 수단과, 상기 적재 수단을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반응실 내부로 이동시키는 운반 수단과, 상기 운반 수단에 의해 적재 수단이 반응실 내부로 이동되는 동안 상기 적재 수단의 내부로 질소 가스를 주입하는 질소 가스 주입 수단을 포함하여 이루어진다.
반도체 제조, 열산화, 열확산, 확산로,

公开(公告)号：KR101016441B1

公开(公告)日：2011-02-21

申请号：KR1020080124277

申请日：2008-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박건식 ,  유성욱 ,  윤용선 ,  김상기 ,  강승열 ,  구진근 ,  김보우 ,  강진영

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 게이트 전극과 소스-드레인 전극 형상 간 오정렬을 방지하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터 제조 방법은, 게이트 전극과 게이트 절연막이 형성된 기판 전면 상에 형상반전 감광막과 광 표백물질막을 도포하는 단계와, 마스크를 사용하여 상기 형상반전 감광막 중에서 필드 영역의 감광막만을 선택적으로 감광시키는 단계와, 상기 형상 반전 감광막 중에서 상기 게이트 전극 상부에 위치한 감광막이 감광되고 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막은 감광되지 않도록 전면 노광을 실시하는 단계와, 상기 전면 노광 후, 상기 광 표백물질막을 제거하고, 감광된 상기 필드 영역 및 게이트 전극 상부의 감광막을 형상 반전시키는 단계와, 전면 노광을 실시하여, 형상 반전되지 않은 상기 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 감광시키는 단계와, 상기 감광된 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함한다.
유기박막 트랜지스터, 게이트 전극

公开(公告)号：KR100934216B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020070125515

申请日：2007-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박건식 ,  유성욱 ,  윤용선 ,  구진근 ,  김보우 ,  강진영

IPC: H01L29/70

Abstract: A bipolar phototransistor for a short wavelength and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of a leakage current by forming an anti-depletion layer in a surface of a base. A first base is formed in a base region(20) by the high energy ion implantation of a first type impurity. A second oxide film is formed in the front side of the substrate. An emitter region(30) and a blocking region are defined in a second oxide film. A second emitter and a second blocking layer are formed by ion-implanting a second impurity to the emitter region and the blocking region. A second anti-depletion layer is formed by ion-implanting the second impurity to the surface of the first base.

Abstract translation: 提供一种用于短波长的双极光电晶体管及其制造方法，以通过在基底的表面中形成抗耗尽层来改善泄漏电流的特性。 通过第一类型杂质的高能离子注入在基区（20）中形成第一基极。 第二氧化物膜形成在衬底的正面。 发射极区域（30）和阻挡区域被限定在第二氧化物膜中。 通过将第二杂质离子注入发射极区域和阻挡区域来形成第二发射极和第二阻挡层。 通过将第二杂质离子注入第一基底的表面来形成第二抗耗尽层。

公开(公告)号：KR1020090058768A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：KR1020070125515

申请日：2007-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박건식 ,  유성욱 ,  윤용선 ,  구진근 ,  김보우 ,  강진영

IPC: H01L29/70

CPC classification number: H01L31/1105

Abstract: A bipolar phototransistor for a short wavelength and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of a leakage current by forming an anti-depletion layer in a surface of a base. A first base is formed in a base region(20) by the high energy ion implantation of a first type impurity. A second oxide film is formed in the front side of the substrate. An emitter region(30) and a blocking region are defined in a second oxide film. A second emitter and a second blocking layer are formed by ion-implanting a second impurity to the emitter region and the blocking region. A second anti-depletion layer is formed by ion-implanting the second impurity to the surface of the first base.

Abstract translation: 提供一种用于短波长的双极光电晶体管及其制造方法，以通过在基底表面形成抗耗尽层来改善漏电流的特性。 通过第一类型杂质的高能离子注入，在基极区（20）中形成第一基底。 第二氧化膜形成在基板的正面。 在第二氧化物膜中限定发射极区域（30）和阻挡区域。 通过向发射极区域和阻挡区域离子注入第二杂质形成第二发射极和第二阻挡层。 通过将第二杂质离子注入第一基底的表面形成第二抗耗尽层。