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公开(公告)号：KR100801965B1
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020060097752
申请日：2006-10-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G09G3/22 , G09G2300/08 , G09G2310/0208 , G09G2310/06 , H01J29/395 , H01J2329/0494
Abstract: An active-matrix field emission display is provided to make the pixels of a sub-scan set, which is not enabled, into a complete dark state by driving a gate voltage of a field emitter according to the supplement of pulses as much as the number of sub-scan sets. An active-matrix field emission display includes plural pixels, plural control transistors(210), and plural field emitters(220). The pixels, which are installed on a cathode panel and defined by plural signal lines inputted scan and data signals, include the signal lines of sub-scan sets. The control transistors are installed at the pixels. A cathode or a gate of the field emitters, which include the gate, are connected to drain electrodes of the control transistors. A gate of field emitter included in the same sub-scan set is connected to a common electrode of the field emitter. Pulse voltages having pulses as much as the number of sub-scan sets are supplied through the common electrode of the field emitter.
Abstract translation: 提供有源矩阵场致发射显示器，以通过根据脉冲数量的增加来驱动场发射器的栅极电压，使未被使能的子扫描组的像素成为完全黑暗状态 的子扫描集。 有源矩阵场发射显示器包括多个像素，多个控制晶体管（210）和多个场发射器（220）。 安装在阴极面板上并由输入扫描和数据信号的多个信号线限定的像素包括子扫描组的信号线。 控制晶体管安装在像素处。 包括栅极的场致发射体的阴极或栅极连接到控制晶体管的漏电极。 包括在同一子扫描组中的场致发射极的栅极连接到场发射极的公共电极。 通过场发射器的公共电极提供具有与子扫描组数相同的脉冲的脉冲电压。
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公开(公告)号：KR100801139B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: 본 발명은 전류를 기반으로 구동될 수 있으며, 박막 트랜지스터에 의한 누설 전류를 방지할 수 있는 액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 발명의 전계 방출 디스플레이는, 형광체의 음극 발광이 발생하는 발광 소자부와, 상기 각 발광 소자부를 구동하기 위한 박막 트랜지스터부를 포함하는 다수개의 단위 픽셀; 상기 각 단위 픽셀에 스캔 신호를 인가하기 위한 전류 소스; 및 상기 각 단위 픽셀에 데이터 신호를 인가하기 위한 전압 소스를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 전류 소스의 온-전류(on-current)는 주어진 쓰기 시간(writing time)내에 스캔 행의 부하 저항(resistance) 및 용량(capacitance)을 감당할 수 있을 만큼 충분히 크며, 상기 전류 소스의 오프-전류(off-current)는 각 픽셀에서 전자 방출이 무시될 수 있을 정도로 낮은 값을 가진다. 또한, 상기 전압 소스(voltage source)에서 인가되는 데이터 신호의 펄스 크기(amplitude) 또는 펄스 폭을 변화시켜 디스플레이의 계조를 표현한다.
FED, 전계 방출 디스플레이, 액티브-매트릭스, 전류 구동, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020070061295A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: An active-matrix field emission pixel and an active-matrix field emission display are provided to improve contrast and uniformity of a display by applying a scan signal as a current source and a data signal as a voltage source. A field emission pixel includes a cathode, an anode, a field emission gate, and a thin film transistor part. The cathode includes a field emitter(320) for emitting electrons. The anode includes a phosphor for absorbing the electrons emitted from the field emitter. The field emission gate is formed between the anode and the cathode in order to generate a field emission potential. The thin film transistor part includes a source connected to a current source according to a scan signal, a gate(311) for receiving a high enable data signal, and a drain connected to the cathode.
Abstract translation: 提供有源矩阵场发射像素和有源矩阵场发射显示器，以通过将扫描信号作为电流源和数据信号作为电压源来提高显示的对比度和均匀性。 场发射像素包括阴极，阳极，场发射门和薄膜晶体管部分。 阴极包括用于发射电子的场致发射体（320）。 阳极包括用于吸收从场致发射体发射的电子的荧光体。 在阳极和阴极之间形成场致发射栅，以产生场发射电位。 薄膜晶体管部分包括根据扫描信号连接到电流源的源极，用于接收高使能数据信号的栅极（311）和连接到阴极的漏极。
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公开(公告)号：KR100592600B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020030014782
申请日：2003-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 탄소나노튜브를 이용하되, 구동 전압의 증가를 방지하면서 누설 전류 특성 및 전자빔의 집속도를 확보할 수 있는 삼극형 전계 방출 소자 및 그를 이용한 전계 방출 디스플레이를 제공하는데 그 목적이 있다. 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 경우, 동작 전압을 낮게 가져가기 위해서는 삼극형 전극 구조를 적용해야 한다. 이때 추출 전극이 전자 방출원에 대하여 어떠한 구조를 가지는 지에 따라 동작 특성이 크게 달라진다. 본 발명에서는 추출 전극이 그 상부에 제공되며, 탄소나노튜브 혼합물 어레이의 위치에 대응하여 다수의 구멍을 구비하되, 구멍 상단부의 크기가 하단부의 크기보다 작은 절연성 메쉬 게이트 판을 이용하여 방출된 전자빔의 집속도를 크게 높이고, 누설 전류를 억제한다. 한편, 본 발명은 보조 전극을 추가하거나 각 전극의 형태를 최적화하여 전자빔의 집속도 및 누설 전류 특성을 최적화할 수 있다.
삼극형 전계 방출 소자, 탄소나노튜브, 메쉬 게이트 판, 구멍, 전자빔 집속-
公开(公告)号：KR100540144B1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：KR1020040041014
申请日：2004-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J3/021 , B82Y10/00 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극에 접속된 전계 에미터를 가진 캐소드부와, 상기 전계 에미터를 에워싸는 형태로 그 주위 상부에 형성된 전계 방출 억제-게이트부와, 적어도 하나의 관통공을 갖는 금속 메쉬와 상기 금속 메쉬의 적어도 일영역에 형성된 유전체막을 구비하는 전계 방출 유도-게이트부를 포함하는 전계방출소자 및 이를 이용한 전계방출 표시장치를 제공한다. 이를 통해서, 종래 기술에 따른 전계 방출 소자의 문제점인 게이트 누설전류, 아노드 전압에 의한 전자방출, 전자빔 퍼짐 등을 크게 개선할 수 있는 효과가 있다.
전계 방출 소자, 전계 에미터, 탄소 나노튜브,-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100517821B1
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1020030020781
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 형광체를 구비하는 아노드 판과 전계 에미터와 이의 전계방출 전류를 제어하는 제어소자를 갖는 캐소드 판 사이에, 관통하는 게이트 구멍을 가지고 그 주위에는 게이트 전극을 구비하는 게이트 판을 구비하는 전계 방출 디스플레이에 관한 것으로, 캐소드 판의 전계 에미터는 게이트 구멍을 통하여 상기 아노드 판의 형광체와 서로 대향할 수 있도록 구성된다.
본 발명에 의하면, 디스플레이의 스캔 및 데이터 신호를 각 픽셀의 제어 소자에 입력하여 구동함으로써 디스플레이 행열 구동 전압을 감소시킬 수 있고, 전계 방출에 필요한 전기장을 게이트 판의 게이트 전극을 통하여 인가할 수 있기 때문에 아노드 판과 캐소드 판의 간격을 자유로이 조절할 수 있으며, 이에 따라 아노드 판에 고전압을 인가할 수 있게 되어 전계 방출 디스플레이의 휘도를 크게 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050057712A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030089372
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J29/04 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/319 , H01J1/30 , C01B32/05
Abstract: 본 발명은 형광체를 구비하는 아노드 판과 전계 에미터와 이에 인가 전압을 제어하는 제어소자를 갖는 캐소드 판 사이에 경사진 내벽을 가지는 게이트 구멍과 그 상부 주위에는 게이트 전극을 구비하는 전계 방출 디스플레이를 제공한다.
상술한 발명에 의하면, 게이트 전극에 인가되는 전압은 아노드 전압에 의한 전계 에미터의 전자방출을 억제하며 전체적으로 균일한 전위를 형성함으로써 국부적인 아킹을 방지하여 수명을 향상시킬 수 있고, 경사진 내벽을 갖는 게이트 구멍은 전계 에미터로부터 방출된 전자를 아노드의 형광체에 집속시키는 역할을 하고 이에 따라 추가적인 포커싱 그리드 없이도 고해상도의 전계 방출 디스플레이를 제조가능하게 한다.-
公开(公告)号：KR100494038B1
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020020045477
申请日：2002-08-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 고전압에 견디기 위해 수직 방향의 오프셋을 갖는 고전압 비정질 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 소정부위에 형성된 활성층, 활성층 상에 소오스/드레인 전극과의 컨택 특성을 향상시키기 위한, 도핑된 비정질 실리콘층 및 전체 구조상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하며,활성층 채널의 가장자리 영역과 상기 소오스 및/또는 드레인 전극 사이에 수직방향으로 형성된 비정질 실리콘층의 오프셋을 갖는 고전압 비정질 박막 트랜지스터를 제공한다.
이러한 구성을 통하여, 수평구조의 오프셋을 갖는 고전압 비정질 박막 트랜지스터가 가지는 엄격한 공정상의 제약이 따르는 문제점을 해결하고, 오프셋을 공정상 용이하게 제어하여, 고전압 박막트랜지스터의 특성을 안정화하며, 저렴한 공정비용을 확보할 수 있도록 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100449071B1
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1020010086834
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J9/025 , Y10S977/939
Abstract: The present invention relates to a cathode for use in a field emission device. In a triode-type cathode for use in an electron emission device being a core component constituting a field emission device, the present invention includes forming a catalytic layer at the sidewall of a gate hole and then growing an emitter in the catalytic layer, thus uniformly distributing an electric field generated by a voltage applied to a gate electrode over the emitter. Therefore, the present invention can improve the brightness contrast at a low anode voltage and also can control electrons emitted from the emitter only with the gate voltage.
Abstract translation: 本发明涉及用于场致发射装置的阴极。 在用于构成场发射器件的核心部件的电子发射器件中的三极型阴极中，本发明包括在栅极孔的侧壁上形成催化层，然后在催化剂层中生长发射极，从而均匀地 将由施加到栅极的电压产生的电场分布在发射极上。 因此，本发明可以在低阳极电压下提高亮度对比度，并且还可以仅用栅极电压来控制从发射器发射的电子。
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公开(公告)号：KR1020040051469A
公开(公告)日：2004-06-18
申请号：KR1020030014782
申请日：2003-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A triode type field emission device and a field emission display are provided to maintain a low driving voltage and minimize a power consumption by preventing a leakage current. CONSTITUTION: A triode type field emission device comprises a lower electrode(402) arranged on an insulating substrate(401); a carbon nanotube mixture arranged on the lower electrode; an insulating mesh gate plate(403) having a plurality of holes corresponding to the position of the carbon nanotube mixture array, wherein the size of the top of each of the holes is smaller than the size of the bottom of the hole; an extraction electrode(404) arranged on the insulating mesh gate plate; an upper electrode(407) spaced apart from the extraction electrode; and a spacer(406) interposed between the extraction electrode and the upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供三极管型场致发射器件和场致发射显示器以保持低驱动电压并且通过防止漏电流来最小化功耗。 构造：三极管型场发射器件包括布置在绝缘衬底（401）上的下电极（402）。 布置在下电极上的碳纳米管混合物; 具有对应于碳纳米管混合物阵列的位置的多个孔的绝缘网栅板（403），其中每个孔的顶部的尺寸小于孔的底部的尺寸; 布置在所述绝缘网栅板上的引出电极（404） 与所述引出电极间隔开的上电极（407）; 以及插入在所述引出电极和所述上部电极之间的间隔物（406）。
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