公开(公告)号：KR1019950035206A

公开(公告)日：1995-12-30

申请号：KR1019940010564

申请日：1994-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신종덕 ,  강철신 ,  이일항

IPC: H04B10/2581

Abstract: 본 발명은 시계방향으로 전파되는 일군의 파장채널(λ1, λ3, λ5,…)과 반시계방향으로 전파되는 또다른 일군의 파장채널(λ2, λ4, λ6,…)을 갖는 링 통신망을 구성하여 노드제어기의 제어에 따라 자국으로 부터 목적지 노드까지의 거리가 짧은 방향으로 신호를 주입시켜 통신망내에서 신호의 전파지연시간을 감소시켜 통신망 성능을 향상시키는 양방향 다채널 광 링 통신망에 관한 것이다.
종래의 광 링 통신망 구성에서는 모든 채널들의 신호전송이 단일방향으로만 이루어지므로, 한 노드가 그 신호 전송방향의 반대쪽 인접 노드들에게 데이터를 송신할때도 신호의 전파시간은 링을 거의 한바퀴 도는데 걸리는 시간, 즉 링순환 시간과 거의 같게 된다.
그러나 본 발명에서는 신호를 전송할 수 있는 채널들의 방향을 양방향으로 하여 링통신망을 구성하여, 통신망내의 각 노드는 목적지 노드까지의 거리가 짧은 방향의 채널로 신호를 주입시킴으로써, 종래의 단일 방향 다채널 광 링 통신망 구성보다 신호의 전파시간을 평균1/2로 감소시키고 데이터의 평균전달 지연특성을 향상시키며, 통신망의 용량은 약 2배로 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950034739A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019940010638

申请日：1994-05-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR1019950022462A

公开(公告)日：1995-07-28

申请号：KR1019930027220

申请日：1993-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신종덕 ,  이일항

IPC: H04L12/56

Abstract: 본 발명은 광 링 통신망(Optical ring network)에 관한 것으로, 특히 종래의 전광 패킷 교환기의 설계를 보완하여 광섬유 선로의 전단등과 같은 고장 발생시 교환기의 고장감지 및 복구기능(Fault detection and recovery function)에 의해 선로 복구시까지, 또는 연속적으로 정상적인 링 통신망의 동작을 유지시킬 수 있는 고장 감내형 광 링 통신망(A fault-tolerant optical ring network)에 관한 것이다. 종래의 링 통신망의 문제점으로는 광 섬유 선로의 절단시 링 통신망의 운용이 불가능하여 통신이 두절될 수 있다는 점이고, 과장분할 역다중화기에 의해 분파된 입력신호는 어드레스 헤드(Address header)처리를 위해 약 10% 정도의 광신호 분기가 필요하다. 분기된 광신호는 다시 신호처리하기 용이한 레벨로 증폭이 된후 어드레스 처리기에 보내지며, 바이패스된 광신호와 자국의 데이터가 출력축의 광섬유 결합기에서 결합되는데, 이 결합기의 각 출력단에서는 입력신호 레벨의 50%가 나타나게 되므로, 출력단 하나가 파장분할 다중화기의 이력에 연결되는 구성에서는 결과적으로 3dB의 신호출력 감소가 발생하여 파워버짙(power budget)이 비효율적이게 된다. 본 발명은 이상과 같은 종래의 광 링 통신망에서 발생되는 문제점을 해결하기 위해, 종래의 전광 패킷 교환기에 10dB 광 섬유 결합기, 고장감지 및 복구회로를 추가, 입력 광섬유 결합기를 3dB 결합기로 교체, 파장분할 다중화기/역다중화기를 추가하였으며, 인접 지국간의 광섬유 선로를 쌍으로 구성하여 광섬유 선로의 절단등과 같은 고장발생시 교환기의 고장감지 기능에 의해 선로복구시까지, 또는 연속적으로 정상적인 링 통신망의 동작을 유지시킬 수 있도록, 하였으며, 종래의 링 통신망보다 전송파워면에서 2배정도 이득을 얻을 수 있는 고장 감내형 광 링 통신망의 설계에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019950020987A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029092

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  하정숙 ,  이재열 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 반도체기판(10)상에 에피택셜층을 형성하는 방법에 있어서, 그 방법은 상기 반도체기판(10)상에 규소원자로서의 제1원자와 제2원자를 포함하는 분자층(20)을 형성하는 공정과, 상기 분자층(20)을 전자빔에 의해서 상기 제1원자와 제2원자로 분해하는공정과, 상기 분해된 상기 제2원자는 제거하고 상기 제1원자만이 상기 기판의 표면에 흡착되게 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하여, 그 선폭을 하나의 원자직경까지 할수있고 그 두께는 하나의 원자층의 두께까지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100086291B1

公开(公告)日：1995-06-30

申请号：KR1019910024264

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 신종덕 ,  김경헌 ,  이일항

IPC: H04B10/25 ,  H04J14/08

公开(公告)号：KR1019950006309B1

公开(公告)日：1995-06-13

申请号：KR1019910024778

申请日：1991-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송석호 ,  이일항 ,  김경헌

IPC: H01L21/027

Abstract: The system has a planar mirror reflecting light, a lower optical substrate formed on the mirror to transfer the light signal, a polarisation beam splitter placed at a centre portion of a surface of the lower substrate and dividing the light signal into two portions, and an upper optical substrate arranged over the surfaces of the lower optical substrate and the polarisation beam splitter and comprising acute angle prisms arranged on the upper side of the beam splitter and two lenses disposed on opposing sides of the prism and input and outut stages disposed at outer sides of the lenses.

Abstract translation: 该系统具有反射光的平面镜，形成在反射镜上以传递光信号的下部光学衬底，设置在下部衬底的表面的中心部分并将光信号分成两部分的偏振分束器，以及 上部光学基板布置在下部光学基板和偏振分束器的表面上方，并且包括设置在分束器的上侧的锐角棱镜和设置在棱镜的相对侧上的两个透镜以及设置在外侧的输入和排出台 的镜头。

公开(公告)号：KR1019950004883B1

公开(公告)日：1995-05-15

申请号：KR1019920025027

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이학규 ,  김경헌 ,  박서연 ,  이일항

IPC: H04B10/2581 ,  H04J14/08

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019950009284A

公开(公告)日：1995-04-21

申请号：KR1019930018049

申请日：1993-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  곽종훈 ,  황월연 ,  서호형 ,  이일항

IPC: G02B5/30

Abstract: 본 발명은 인가되는 전원전압에 따라 복굴절율이 변화하는 전기광학적 특성을 갖는 매질을 중간층(Spacer Layer)으로 사용하는 파브리-페로 공진기(Pabry-Perot Etalon)를 이용한 편광빔분리장치에 관한 것으로, 그 구성은 하부거울층으로 사용하되 낮은 굴절율을 가진 매질과 높은 굴절율을 가진 매질이 교번하여 형성된 제1거울층과, 상부거울층으로 사용하되 높은 굴절율을 가진 매질과 낮은 굴절율을 가진 매질이 교번하여 형성된 제2거울층과, 상기의 제1거울층과 제2거울층사이에 형성된 복굴절매질로 이루어진 중간층과, 상기 중간층의 양측에 형성된 전극과, 상기 전극에 전원전압을 제공하는 전원을 포함하되, 상기의 제2거울층과 상기의 제1거울층의 반사율이 동일하고, 상기 중간층의 두께d가 d=(λm)/2n
f E의 식을 만족하고, 여기서, m은 정수이고, 그리고 E는 상기 중간층의 매질에 인가되는 전계이며, n
f 는 입사빔의 진행방향에 수직인 평면을 s-축과 f-축으로 표현하는 경우 s-축 방향에 대응하는 매질의 굴절율을 n
s 라 할 때 f-축 방향에 대응하는 매질의 굴절율인 구성을 특징으로 한다. 상기의 장치는 간섭현상을 이용하여 편광빔을 소망하는 방향의 성분을 분배할수 있고, 분리된 편광빔의 선폭을 조절할수 있으며, 에너지손실을 저감하는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019950003859A

公开(公告)日：1995-02-17

申请号：KR1019930013359

申请日：1993-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한선규 ,  이종태 ,  유병수 ,  정태형 ,  최영완 ,  박병운 ,  이일항

IPC: G02F1/01

Abstract: 본 발명은 높은 광학적 온과 오프의 비율을 갖는 양자우물 구조를 조합한 초고속 광 스위칭 소자 구조에 관한 것으로, 종래의 GaAs 계열의 양자 우물구조는 비교적 높은 비율을 가지나, 광전자와 격자등에 의한 소멸시간에 의해 수 나노초 내지 수십 나노초의 광 스위칭 시간을 가지므로, 일반적인 초고속 전자소자의 속도보다 느린 스위칭 시간을 갖는 문제가 있는데에 따라서, 본 발명은 이 두개의 양자 우물구조를 이용하여 하나는 표백현상에 의한 은의 역의 역할을 하는 기능을 갖고, 다른 하나는 흡수기능을 주어 수 피코초 이내의 짧은 스위칭 시간을 갖는다.
상기 두개의 우물구조는 기판위에 Al
X Ga
1-X As층과 GaAs층이 교대로 되는 구조로서 스위칭의 효과는 조절광, 입사광, 투과광에 의해 동작되어 미래의 광통신과 광 컴퓨터인 정보통신 분야에 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100080877B1

公开(公告)日：1994-12-28

申请号：KR1019910024255

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 원용협 ,  이번 ,  이일항

IPC: H01L31/00