公开(公告)号：US09540271B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US14748344

申请日：2015-06-24

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

Inventor： Klaus Becker ,  Stefan Ochs ,  Stephan Thomas

IPC: C03C3/06 ,  C03B23/04 ,  C03B19/14 ,  G03F1/24 ,  C03B19/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: C03B23/04 ,  C03B19/066 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B2201/06 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/50 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/7095

Abstract: A blank made of titanium-doped silica glass for a mirror substrate for use in EUV lithography is provided. The blank includes a surface portion to be provided with a reflective film and having an optically used area (CA) over which a coefficient of thermal expansion (CTE) has a two-dimensional inhomogeneity (dCTE) distribution profile averaged over a thickness of the blank. A maximum inhomogeneity (dCTEmax) of less than 5 ppb/K is defined as a difference between a CTE maximum value and a CTE minimum value. The dCTEmax is at least 0.5 ppb/K. The CA forms a non-circular area having a centroid. The dCTE distribution profile is not rotation-symmetrical and is defined over the CA, such that straight profile sections normalized to a unit length and extending through the centroid of the area yield a dCTE family of curves forming a curve band with a bandwidth of less than 0.5×dCTEmax.

Abstract translation: 提供了一种用于EUV光刻的用于镜面基板的掺钛石英玻璃的空白件。 坯料包括具有反射膜并具有光学用途区域（CA）的表面部分，在该区域上的热膨胀系数（CTE）在坯料的厚度上平均的二维不均匀性（dCTE）分布分布平均 。 小于5ppb / K的最大不均匀性（dCTEmax）定义为CTE最大值和CTE最小值之间的差。 dCTEmax至少为0.5 ppb / K。 CA形成具有质心的非圆形区域。 dCTE分布轮廓不是旋转对称的，并且在CA上定义，使得被归一化为单位长度并延伸穿过该区域的质心的直线剖面产生了形成带宽小于的曲线的dCTE曲线族 0.5×dCTEmax。

公开(公告)号：US09382150B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14637516

申请日：2015-03-04

Applicant: Corning Incorporated

Inventor： Sezhian Annamalai ,  Carlos Alberto Duran ,  Kenneth Edward Hrdina

IPC: C03C3/06 ,  C03C3/089 ,  C03C3/115 ,  C03C3/097 ,  C03C3/091 ,  C03B25/02

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B25/02 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C3/097 ,  C03C3/115 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40 ,  C03C2203/52 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60

Abstract: A boron-doped titania-silica glass containing 0.1 wt % to 8.0 wt % boron, 9.0 wt % to 16.0 wt % TiO2, and 76.0 wt % to 90.9 wt % SiO2. The glass may further include F, Nb, Ta, Al, Li, Na, K, Ca, and Mg, individually or in combinations of two or more, at levels up to 4 wt %. The glass may have an OH concentration of more than 10 ppm. The glass features a CTE slope at 20° C. of less than 1 ppb/K2. The fictive temperature of the glass is less than 825° C. and the peak CTE of the glass is less than 30 ppb/K. The glass has two crossover temperatures and a wide temperature interval over which CTE is close to zero. The uniformity of each crossover temperature relative to its average over a volume of at least 50 cm3 is within ±5° C.

Abstract translation: 含有0.1重量％至8.0重量％硼，9.0重量％至16.0重量％TiO 2和76.0重量％至90.9重量％SiO 2的硼掺杂二氧化钛 - 二氧化硅玻璃。 玻璃还可包含F，Nb，Ta，Al，Li，Na，K，Ca和Mg，其含量可高达4wt％，分别或两种或多种组合。 玻璃的OH浓度可能超过10ppm。 玻璃在20°C时的CTE斜率小于1 ppb / K2。 玻璃的假想温度小于825℃，玻璃的峰值CTE小于30ppb / K。 玻璃具有两个交叉温度和CTE接近零的宽温度区间。 每个交叉温度相对于其在至少50cm 3的体积上的平均值的均匀度在±5℃以内

公开(公告)号：US09346700B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13569429

申请日：2012-08-08

Applicant: Shigeru Maida ,  Hisatoshi Otsuka

Inventor： Shigeru Maida ,  Hisatoshi Otsuka

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/81 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/42 ,  Y02P40/57

Abstract: Titania-doped quartz glass is manufactured by mixing a silicon-providing reactant gas and a titanium-providing reactant gas, preheating the reactant gas mixture at 200-400° C., and subjecting the mixture to oxidation or flame hydrolysis. A substrate of the glass is free of concave defects having a volume of at least 30,000 nm3 in an effective region of the EUV light-reflecting surface and is suited for use in the EUV lithography.

Abstract translation: 通过混合提供硅的反应物气体和提供钛的反应物气体，在200-400℃下预热反应气体混合物，并对混合物进行氧化或火焰水解，制造掺杂二氧化钛的石英玻璃。 在EUV光反射表面的有效区域中，玻璃的基底不具有体积至少为30,000nm 3的凹陷缺陷，适用于EUV光刻。

公开(公告)号：US20150376049A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14766276

申请日：2014-02-04

Applicant: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： Stephan THOMAS ,  Klaus BECKER ,  Stefan OCHS

IPC: C03C3/06 ,  C03B25/02 ,  C03B19/14

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B25/02 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/42 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40 ,  C03C2203/52 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958

Abstract: A blank of TiO2—SiO2 glass for a mirror substrate for use in EUV lithography has a low need for adaptation to optimize the progression of the coefficient of thermal expansion, and consequently also the progression of the zero crossing temperature Tzc. The TiO2—SiO2 glass has at a mean value of the fictive temperature Tf in the range between 920° C. and 970° C. a dependence expressed as the differential quotient dTzc/dTf of its zero crossing temperature Tzc on the fictive temperature Tf of less than 0.3.

Abstract translation: 用于EUV光刻的用于镜面基板的TiO 2 -SiO 2玻璃的空白对于适应以优化热膨胀系数的进展以及因此也是过零点温度Tzc的进展的需求很低。 TiO 2 -SiO 2玻璃具有在920℃和970℃之间的范围内的假想温度Tf的平均值。表示为其过零点温度Tzc的差分商dTzc / dTf对虚构温度Tf的依赖关系 小于0.3。

公开(公告)号：US20150114040A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14582237

申请日：2014-12-24

Applicant: NIKON CORPORATION

Inventor： Toshio YOSHINARI ,  Tadahiko Saito

IPC: C03B19/14 ,  C03B11/00 ,  C03C3/04

CPC classification number: C03B19/1415 ,  C03B11/00 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B19/1476 ,  C03B19/1492 ,  C03B23/0013 ,  C03B23/0496 ,  C03B32/005 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/04 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52

Abstract: A method for manufacturing an SiO2—TiO2 based glass upon a target by a direct method, includes a first process of preheating the target and a second process of growing an SiO2—TiO2 based glass ingot to a predetermined length upon the target which has been preheated, wherein the target is heated in the first process such that, in the second process, the temperature of growing surface of the glass ingot is maintained at or above a predetermined lower limit temperature.

Abstract translation: 通过直接法制备靶材上的SiO 2 -TiO 2基玻璃的方法包括预热靶材的第一种方法和在预热的靶材上生长SiO 2 -TiO 2基玻璃锭至预定长度的第二种方法 其中，所述靶在所述第一工序中被加热，使得在所述第二工序中，所述玻璃锭的生长面的温度保持在规定的下限温度以上。

公开(公告)号：US20150017574A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14348413

申请日：2013-03-28

Applicant: HOYA CORPORATION

Inventor： Toshihiko Orihara ,  Kazuhiro Hamamoto ,  Hirofumi Kozakai ,  Youichi Usui ,  Tsutomu Shoki ,  Junichi Horikawa

IPC: G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/06 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0075 ,  C03C2201/42 ,  C03C2218/33 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/22 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70733 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085

Abstract: Disclosed is a mask blank substrate for use in lithography, wherein the main surface on which the transfer pattern of the substrate is formed has a root mean square roughness (Rms) of not more than 0.15 nm obtained by measuring an area of 1 μm×1 μm with an atomic force microscope, and has a power spectrum density of not more than 10 nm4 at a spatial frequency of not less than 1 μm−1.

Abstract translation: 公开了一种用于光刻的掩模空白基板，其中形成基板的转印图案的主表面具有通过测量1μm×1的面积获得的不大于0.15nm的均方根粗糙度（Rms） 具有原子力显微镜，并且在不小于1μm-1的空间频率下具有不大于10nm 4的功率谱密度。

公开(公告)号：US20140326314A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14358237

申请日：2012-09-27

Applicant: AGC GLASS EUROPE

Inventor： Audrey Dogimont ,  Sebastien Hennecker ,  Thomas Lambricht

IPC: H01L31/048 ,  G02B1/10 ,  H01L31/052 ,  C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  C03C4/00 ,  G02B1/11 ,  G02B5/08

CPC classification number: H01L31/0481 ,  C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  C03C4/0092 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/3423 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/42 ,  C03C2201/54 ,  C03C2204/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/11 ,  G02B1/18 ,  G02B5/08 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0525 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to an extra-clear glass sheet, i.e. a glass sheet with high energy transmission, which can be used in particular in the field of solar energy. Specifically, the invention relates to a glass sheet having a composition that includes, in an amount expressed in wt % for the total weight of the glass: 60-78% of SiO2; 0-10% of Al2O3; 0-5% of B2O3; 0-15% of CaO; 0-10% of MgO; 5-20% of Na2O; 0-10% of K2O; 0-5% of BaO, wherein the total amount of iron (in the form of Fe2O3) is 0.002-0.03%, and the composition includes a ratio of manganese/(total iron) of 1 to 8.5, the manganese content being expressed in the form of MnO in wt % relative to the total weight of the glass.

Abstract translation: 本发明涉及一种特别透明的玻璃板，即具有高能量传输的玻璃板，其特别可用于太阳能领域。 具体地说，本发明涉及一种玻璃板，其组成包括以玻璃总重量的wt％表示的量：60-78％的SiO 2; 0-10％的Al2O3; 0-5％的B2O3; 0-15％的CaO; 0-10％的MgO; 5-20％的Na2O; 0-10％K2O; 0-5％的BaO，其中铁（以Fe 2 O 3形式）的总量为0.002-0.03％，组成包括锰/（总铁）的比例为1至8.5，锰含量表示在 MnO的形式相对于玻璃的总重量为wt％。

公开(公告)号：US20140206524A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US14146182

申请日：2014-01-02

Applicant: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

Inventor： Shigeru Maida ,  Hisatoshi Otsuka ,  Tetsuji Ueda ,  Masanobu Ezaki

IPC: C03C10/00 ,  C03B20/00

CPC classification number: C03C10/00 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B20/00 ,  C03B25/02 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/20 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958

Abstract: A member is made of titania-doped quartz glass in which striae have a curvature radius of at least 150 mm in a surface perpendicular to an EUV-reflecting surface. The member free of exposed striae and having a high flatness is useful in EUV lithography.

Abstract translation: 成员由掺杂二氧化钛的石英玻璃制成，其中条纹在与EUV反射表面垂直的表面中具有至少150mm的曲率半径。 没有暴露的条纹并且具有高平整度的部件在EUV光刻中是有用的。

公开(公告)号：US08590342B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13295652

申请日：2011-11-14

Applicant: Akio Koike ,  Takahiro Mitsumori ,  Yasutomi Iwahashi ,  Tomonori Ogawa

Inventor： Akio Koike ,  Takahiro Mitsumori ,  Yasutomi Iwahashi ,  Tomonori Ogawa

IPC: C03B25/00 ,  C03B19/00

CPC classification number: C03B19/1453 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/52 ,  G03F1/24

Abstract: The present invention relates to a process for production of a TiO2—SiO2 glass body, comprising a step of, when an annealing point of a TiO2—SiO2 glass body after transparent vitrification is taken as T1(° C.), holding the glass body after transparent vitrification in a temperature region of from T1−90(° C.) to T1−220(° C.) for 120 hours or more.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备TiO 2 -SiO 2玻璃体的方法，包括以下步骤：当将透明玻璃化后的TiO 2 -SiO 2玻璃体的退火点作为T1（℃）时，将玻璃体 在从T1-90（℃）到T1-220（℃）的温度区域透明玻璃化120小时以上。

公开(公告)号：US20130120863A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13667862

申请日：2012-11-02

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH

Inventor： Julian KALLER ,  Wilfried CLAUSS ,  Michael GERHARD

IPC: G02B5/08 ,  C03C14/00

CPC classification number: G02B5/08 ,  C03B19/06 ,  C03B19/09 ,  C03C3/06 ,  C03C10/00 ,  C03C14/00 ,  C03C2201/42 ,  G03F7/70891

Abstract: For the production of mirrors for EUV lithography, substrates are suggested having a mean relative thermal longitudinal expansion of no more than 10 ppb across a temperature difference ΔT of 15° C. and a zero-crossing temperature in the range between 20° C. and 40° C. For this purpose, at least one first and one second material having low thermal expansion coefficients and opposite gradients of the relative thermal expansion as a function of temperature are selected and a substrate is produced by mixing and bonding these materials.

Abstract translation: 为了生产用于EUV光刻的反射镜，建议基板在15℃的温差DeltaT和10°C之间的过零点温度下具有不超过10ppb的平均相对热纵向膨胀，并且在20℃和 40℃。为此目的，选择具有低热膨胀系数和相对热膨胀作为温度的函数的相反梯度的至少一种第一和第二材料，并通过混合和粘合这些材料来生产基底。