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    Ion source
    161.
    发明授权
    Ion source 失效
    离子源

    公开(公告)号：US3833829A

    公开(公告)日：1974-09-03

    申请号：US31509672

    申请日：1972-12-14

    Applicant: PHILIPS CORP

    Inventor： REIFENSCHWEILER O

    IPC: H01J3/04 ,  H01J27/00 ,  H01J27/04 ,  H05H3/06 ,  H05H7/08 ,  H05H5/02

    CPC classification number: H05H3/06 ,  H01J27/04

    Abstract: An ion source having an anode between two cathodes and means for producing an axial magnetic field. Detremental heating of the cathode present opposite to the ion exit aperture by particles which are accelerated in the reverse direction and have a charge which is opposite to that of the extracted ion beam is prevented. For that purpose said cathode and the means for producing an axial magnetic field have an axial aperture. A collector electrode is present for capturing the relevant particles. The ion source is particularly suitable for a sealed neutron generator.

    Ion sources
    162.
    发明授权
    Ion sources 失效
    离子源

    公开(公告)号：US3784858A

    公开(公告)日：1974-01-08

    申请号：US3784858D

    申请日：1972-11-24

    Applicant: FRANKS J

    Inventor： FRANKS J

    IPC: H01J27/02 ,  H01J3/04

    CPC classification number: H01J27/02

    Abstract: An ion source comprising a right-circular cylindrical cathode having two anode rods extending through the cylinder and symmetrically disposed about its axis. An ion beam outlet aperture is formed in the cylindrical wall of the cathode, and an inlet is provided in the cathode for introducing a gas therein.

    Abstract translation: 离子源包括右圆柱形阴极，其具有延伸穿过圆柱体并且围绕其轴线对称设置的两个阳极杆。 在阴极的圆筒壁中形成离子束出口孔，阴极中设置有用于在其中引入气体的入口。

    캠 작동 필라멘트 클램프
    165.
    发明公开
    캠 작동 필라멘트 클램프 审中-公开

    公开(公告)号：KR20180043294A

    公开(公告)日：2018-04-27

    申请号：KR20187006952

    申请日：2016-07-29

    Applicant: AXCELIS TECH INC

    Inventor： BAGGET JOHN ,  BERINGER JASON

    IPC: H01J37/08 ,  H01J3/04

    CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J3/04 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/31701

    Abstract: 이온소스필라멘트클램프(100)는제1 단부(104)와제2 단부(106)를갖는클램프부재(102)를갖는다. 상기제1 단부는캠 표면(132) 및캠 공이(134) 중하나를가지며, 서로대향하고이온소스필라멘트의리드를수용하기위해규정된리드개구(116)를가지는슬롯(114)에의해분리되는제1 부분(110) 및제2 부분(112)을가진다. 액추에이터핀(120)은액추에이터핀 축(126)을따라연장되고제1(122) 및제2 섹션을가진다. 상기제1 섹션(122)은상기클램프부재의상기제1 부분(110)에결합된다. 상기액추에이터핀은상기클램프부재의상기제2 부분의관통홀(128)을통해연장하고슬라이딩체결된다. 캠부재(108)는상기액추에이터핀 (120)의제2 섹션(124)에작동가능하게결합된다. 상기캠 부재는핸들(130)을가지며, 상기캠 표면(132)과캠 공이(134) 중하나를포함하고클램프위치와언클램프위치사이에서회전하도록구성된다. 상기캠 공이(134)는상기캠 표면(132)과슬라이딩접촉한다. 상기클램프위치에서, 상기캠 공이는제1의미리결정된방식으로상기캠 표면과체결되어상기클램프부재의상기제1 및제2 부분(110, 112)을서로를향해선택적으로압축하고상기리드개구(116) 내의리드에클램핑압력을가하며, 상기클램프부재의상기제1 부분과제2 부분사이에스프링장력을유도한다. 상기언클램프위치에서, 상기캠 공이는제2의미리결정된방식으로상기캠 표면과체결되고, 상기클램프부재의상기제1 및제2 부분(110, 112)을서로이격시켜상기리드개구내의리드에대한클램핑압력을해제한다.

    플라즈마 제트 발생을 위한 반도체 미세 중공 캐소드 방전 장치
    166.
    发明公开
    플라즈마 제트 발생을 위한 반도체 미세 중공 캐소드 방전 장치 审中-实审
    半导体微型空心阴极放电等离子体发生装置

    公开(公告)号：KR1020170123576A

    公开(公告)日：2017-11-08

    申请号：KR1020170037422

    申请日：2017-03-24

    Applicant: 더 보잉 컴파니

    Inventor： 데얀,니키크

    IPC: H01J1/02 ,  H01J3/02 ,  H01J3/04 ,  H01J61/067 ,  H01J61/09 ,  H01J61/12 ,  H01J61/30 ,  H01J61/66 ,  H01J61/72 ,  H01J61/78

    CPC classification number: H05H1/2406 ,  H05H1/24 ,  H05H2001/2412

    Abstract: 미세중공캐소드방전장치(100)에관한것으로, 이장치(100)는제1 전극을구비하는제1 전극층(102)을포함한다. 홀(110)은제1 전극층(102)에배치된다. 이장치(100)는또한제1 전극층(102) 상에배치된제1 표면을갖는유전체층(104)을포함한다. 홀(110)은유전체층(104)을통하여제1 전극층(102)으로부터계속된다. 이장치는또한, 제1 표면에대향하는유전체층(104)의제2 표면상에배치된반도전층(106)을포함한다. 반도전층(106)은홀(110)이반도전층(106)에서종단되도록홀(110)을가로질러걸쳐있는반도체재료이다. 이장치는또한, 유전체층(104)에대향하는반도전층(106) 상에배치된제2 전극층(108)을포함한다.

    Abstract translation: 精细空心阴极放电装置100包括具有第一电极的第一电极层102。 孔110设置在第一电极层102中。 器件100还包括具有设置在第一电极层102上的第一表面的电介质层104。 孔110从第一电极层102延续穿过介电层104。 该器件还包括设置在介电层104的与第一表面相对的第二表面上的半导体层106。 半导体层106 eunhol 110是穿过孔110，使得横跨在端部伊凡导电层106的半导体材料。 该器件还包括设置在与电介质层104相对的半导体层106上的第二电极层108。

    이온 빔 추출 안정성 및 이온 빔 전류를 제어하기 위한 소스 하우징 어셈블리
    167.
    发明公开
    이온 빔 추출 안정성 및 이온 빔 전류를 제어하기 위한 소스 하우징 어셈블리 审中-公开
    用于控制离子束提取稳定性和离子束电流的源外壳组件

    公开(公告)号：KR20180006442A

    公开(公告)日：2018-01-17

    申请号：KR20177035952

    申请日：2016-05-11

    Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASS INC

    Inventor： CHANG SHENGWU ,  BURGESS JEFF ,  LEAVITT WILLIAM ,  ST PETER MICHAEL ,  MOSHER MATTHEW ,  OLSON JOSEPH C ,  SINCLAIR FRANK

    IPC: H01J27/08 ,  H01J3/04 ,  H01J5/02 ,  H01J9/18 ,  H01J9/385 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08

    CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J3/04 ,  H01J5/02 ,  H01J9/18 ,  H01J9/385 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08

    Abstract: 이온추출시스템에대한이온빔 추출안정성및 이온빔 전류를개선시키기위한접근법들이본 출원에제공된다. 일접근법에서, 소스하우징어셈블리는아크챔버를포함하는이온소스를둘러싸는소스하우징을포함할수 있고, 소스하우징은그것의근위단부에마운트된추출개구플레이트를갖는다. 소스하우징어셈블리는소스하우징의내부에배치된진공라이너를더 포함하여진공펌핑개구들의세트주변에장벽을형성한다. 구성된대로, 추출개구플레이트에구멍외에소스하우징어셈블리에구멍들은, 추출개구플레이트및 진공라이너에봉입되어서, 아크챔버외측에생산된부속아크들또는외부에발생한이온들이소스하우징내에잔존하는것을보장한다. 단지아크챔버내에서생산된해당이온들만이추출개구플레이트의구멍을통과하여소스하우징을빠져나간다.

    Abstract translation: 在本申请中提供了用于改善离子提取系统的离子束提取稳定性和离子束电流的方法。 在一种方法中，源外壳组件可以包括围绕包括电弧室的离子源的源外壳，并且源外壳具有安装在其近端的抽取孔板。 源壳体组件还包括设置在源壳体内的真空衬里，以在该组真空泵孔周围形成屏障。 提取打开源壳体组件中，除了孔在板作为配置的孔，被填充到提取孔径板和所述真空衬管，以确保电弧室外侧的生产外产生的附加弧或离子源壳体剩余。 只有在电弧室中产生的感兴趣的离子才能通过提取孔板的孔并离开源壳体。

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