公开(公告)号：KR1020120026682A

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：KR1020100088709

申请日：2010-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 이정수 ,  이상근 ,  하종우 ,  이정현 ,  심규선

IPC: H04W8/20 ,  H04W4/00 ,  G06F17/30 ,  G06Q10/10 ,  G06Q30/02

CPC classification number: H04L67/16 ,  G06F17/30867 ,  G06Q10/107 ,  G06Q30/02 ,  H04L67/22 ,  H04L67/42 ,  H04W8/183 ,  H04W8/20 ,  H04W4/00

Abstract: PURPOSE: A method for providing an Internet service in a mobile communication terminal and a device thereof are provided to determine a user interest subject by user data, determine a subject of a service time by collecting Internet service items, and recommend a service according to similarity of subjects. CONSTITUTION: A mobile communication terminal determines a user interest subject from user data(1307). The mobile communication terminal collects service items by connecting a network(1311). The mobile communication terminal determines a subject about the collected service items(1315). The mobile communication terminal determines relation between the user interest subject and the service items(1323). The mobile communication terminal recommends service items by the relation(1325).

Abstract translation: 目的：提供一种用于在移动通信终端及其设备中提供因特网服务的方法，以通过用户数据确定用户兴趣主体，通过收集互联网服务项来确定服务时间的对象，并根据相似性推荐服务 的科目。 构成：移动通信终端从用户数据确定用户兴趣主体（1307）。 移动通信终端通过连接网络（1311）收集服务项目。 移动通信终端确定关于所收集的服务项目的对象（1315）。 移动通信终端确定用户兴趣主体与服务项之间的关系（1323）。 移动通信终端通过关系（1325）推荐服务项目。

公开(公告)号：KR101100428B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020050088713

申请日：2005-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  방상봉

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: Provided are methods for manufacturing silicon rich oxide (SRO) layers useful in the fabrication of semiconductor devices, for example, non-volatile memory devices, and methods for fabricating semiconductor devices incorporating such SRO layers. The methods include absorbing a first silicon source gas onto the substrate, oxidizing the first absorbed layer to form a silicon oxide layer, absorbing a second silicon source gas onto the substrate and reducing the second absorbed layer to form a silicon layer. The combination of the silicon oxide layer(s) and the silicon layer(s) comprise, in turn, a composite SRO layer. These manufacturing methods facilitate control of the oxygen concentration in the SRO, the relative thicknesses of the silicon oxide and silicon layers, and provides improved step coverage, thus allowing the manufacturing of high quality semiconductor devices.

公开(公告)号：KR1020110093453A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100013508

申请日：2010-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  최재영 ,  김규식

IPC: G01B11/14 ,  G01B11/25 ,  G01N21/27 ,  H01L27/14 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  G01B11/14 ,  G01B11/25 ,  G01B2210/56 ,  G01N21/27 ,  H01L27/14 ,  H01L51/42

Abstract: PURPOSE: A distance measuring sensor and a 3D image sensor employing the same are provided to implement a laminate-type image sensor capable of obtaining 3D images by using an organic material having wavelength selectivity as a photoelectric conversion area material. CONSTITUTION: A distance measuring sensor(10) comprises an organic photoelectric conversion area which changes a light into the electric signal through photoelectric effect. The organic photoelectric conversion area comprises a p-type material layer including an organic material, an n-type material layer including NTCDA, and a codeposition layer in which the compositions of the p-type and n-type material layers are codeposited.

Abstract translation: 目的：提供一种距离测量传感器和使用该距离测量传感器的3D图像传感器，以实现能够通过使用具有波长选择性的有机材料作为光电转换区域材料获得3D图像的层叠型图像传感器。 构成：距离测量传感器（10）包括通过光电效应将光改变成电信号的有机光电转换区域。 有机光电转换区包括包含有机材料的p型材料层，包含NTCDA的n型材料层和共沉积p型和n型材料层的组成的共沉积层。

公开(公告)号：KR1020110080591A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020100000902

申请日：2010-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  김연희 ,  이정현

IPC: H01L31/04

CPC classification number: B82Y30/00 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A solar battery using nano wires and a manufacturing method thereof are provided to quickly form a nano structure by a plasma chemical vapor deposition method at a low temperature, thereby inexpensively manufacturing a solar battery. CONSTITUTION: A plurality of nano wire heterostructure(130) is included. A nano wire(136) comprises one or more p-type nano wire layers and one or more n-type nano wire layers. A semiconductor material layer(137) is formed on the nano wire and makes a p-n junction with a p-type nano wire layer or an n-type nano wire layer. The semiconductor material layer comprises at least one of a p-type material layer and an n-type material layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用纳米线的太阳能电池及其制造方法，以通过等离子体化学气相沉积法在低温下快速形成纳米结构，从而廉价地制造太阳能电池。 构成：包括多个纳米线异质结构（130）。 纳米线（136）包括一个或多个p型纳米线层和一个或多个n型纳米线层。 在纳米线上形成半导体材料层（137），并与p型纳米线层或n型纳米线层形成p-n结。 半导体材料层包括p型材料层和n型材料层中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020110048253A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：KR1020090104987

申请日：2009-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재환 ,  방경 ,  홍진모 ,  박수범 ,  이정현 ,  조미림

IPC: G03G9/08 ,  G03G9/087 ,  G03G9/093

CPC classification number: G03G9/09392 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/08782 ,  G03G9/08795 ,  G03G9/08797 ,  G03G9/09342 ,  G03G9/09364 ,  G03G9/09371 ,  G03G9/09378 ,  G03G9/09385 ,  G03G9/09708 ,  G03G9/09725 ,  G03G9/08

Abstract: PURPOSE: A toner for electrostatic latent images and a method for manufacturing the same are provided to improve the glossy property and the heat storing property of the toner by strictly controlling the miscibility of toner materials. CONSTITUTION: A method for manufacturing a toner(208) for electrostatic latent images includes the following: A first binder particle, a coloring agent dispersing solution, and a releasing agent dispersing solution containing two or more kinds of releasing agents are mixed to obtain a mixed solution. A coagulant agent is added to the mixed solution in order to form a core layer containing a first coagulated toner. A shell layer includes a second binder particle which is obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers. The shell layer covers the coating layer to obtain a second coagulated toner.

Abstract translation: 目的：提供用于静电潜像的调色剂及其制造方法，以通过严格控制调色剂材料的混溶性来改善调色剂的光泽性和储热性。 构成：用于制造用于静电潜像的调色剂（208）的方法包括：将第一粘合剂颗粒，着色剂分散溶液和含有两种或更多种脱模剂的脱模剂分散溶液混合，得到混合物 解。 向混合溶液中加入凝结剂以形成含有第一凝结调色剂的芯层。 壳层包括通过聚合一种或多种可聚合单体获得的第二粘合剂颗粒。 壳层覆盖涂层以获得第二凝固调色剂。

公开(公告)号：KR101016642B1

公开(公告)日：2011-02-25

申请号：KR1020080118898

申请日：2008-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  이정현 ,  공원근

IPC: H04W12/04 ,  H04L9/30 ,  H04W12/06

CPC classification number: H04L9/0825 ,  H04L9/0844 ,  H04L9/3236 ,  H04L9/3247 ,  H04L2209/80 ,  H04W12/04 ,  H04W12/10

Abstract: 근접 무선 통신에서의 키 관리를 위한 모바일 시스템, 서비스 시스템 및 키 인증 방법을 개시한다. 모바일 시스템과 서비스 시스템은 동일한 해쉬 함수를 통해 서비스 시스템의 공개키에 대한 해쉬값을 생성하고, 상기 해쉬값에 대응하는 결과를 출력한다.
세션키, 모바일, 공개키, 비밀키

公开(公告)号：KR100988081B1

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020030025716

申请日：2003-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  김태완 ,  이정현 ,  박완준 ,  송이헌

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228

Abstract: 이종방식으로 형성된 중간 산화막을 구비하는 자기 램 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 MTJ층이 하부 자성막, 산화 방지막, 터널링 산화막 및 상부 자성막으로 구성된 것을 특징으로 하는 자기 램을 제공하고, 상기 터널링 산화막은 원자층 적층 방법으로 형성하고, 그 외의 나머지 물질막, 특히 상기 산화 방지막은 비 원자층 적층 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 램 제조 방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 터널링 산화막의 두께를 균일하게 형성하면서 그 두께 조절도 용이하기 때문에, MTJ층의 저항 조절이 용이하고 셀 간의 저항 편차도 줄일 수 있다. 그리고 상기 터널링 산화막을 형성하는 과정에서 그 하부막이 손상되는 것을 방지하여 MR비가 낮아지는 것도 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100109771A

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020090028197

申请日：2009-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강만규 ,  방주미 ,  김성윤 ,  이정현

IPC: G03F1/29 ,  G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

Abstract: PURPOSE: An attenuated phase shift photomask for controlling the transmissivity, and a manufacturing method thereof are provided to improve the Yield and the productivity of a semiconductor chip by the excellent uniformity of optical patterns. CONSTITUTION: A manufacturing method of an attenuated phase shift photomask for controlling the transmissivity comprises the following steps: forming a phase shift material layer(120) on a photomask board(110); forming a light shielding layer(140) on the phase shift material layer; forming a first resist pattern selectively exposing a pattern domain(130) on the light shielding layer; etching the light shielding layer exposed on the pattern domain using the first resist pattern as an etching mask, to form a first light shielding pattern layer partially exposing the phase shift material layer; removing the first resist pattern; forming a second resist pattern; etching the phase shift material layer to partially expose the photomask board; and removing the second resist pattern.

Abstract translation: 目的：提供用于控制透射率的衰减相移光掩模及其制造方法，以通过优异的光学图案均匀性来提高半导体芯片的屈服和生产率。 构成：用于控制透射率的衰减相移光掩模的制造方法包括以下步骤：在光掩模板（110）上形成相移材料层（120）; 在所述相移材料层上形成遮光层（140）; 形成选择性地暴露在所述遮光层上的图案域（130）的第一抗蚀剂图案; 使用第一抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻在图案域上暴露的遮光层，以形成部分地曝光相移材料层的第一遮光图案层; 去除第一抗蚀剂图案; 形成第二抗蚀剂图案; 蚀刻相移材料层以部分地曝光光掩模板; 并移除第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR100982512B1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：KR1020030070748

申请日：2003-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조잉섭 ,  심재성 ,  박현수 ,  이재욱 ,  이정현 ,  류은진

IPC: G11B20/10

CPC classification number: H04L1/205

Abstract: 본 발명은 신호 품질 측정 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 신호의 아이 패턴을 이용하여 디스크 등으로부터 독출된 RF 신호로부터의 출력 신호의 품질을 측정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 채널을 통과한 입력 신호의 품질을 측정하는 장치로서, 상기 입력 신호의 시간 변화에 따른 파형의 변화를 나타내는 아이 패턴을 검출하는 아이 패턴 검출부; 및 상기 입력 신호의 아이 패턴으로부터 측정된 눈 깊이를 기초로 신호 품질(Q)을 생성하는 신호 품질 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 고밀도 저장 매체 시스템 또는 통신 시스템에서 신호 특성을 더욱 더 정확하게 표현할 수 있는 새로운 신호 품질 측정 장치 및 방법이 제공된다.

Abstract translation: 信号质量测量方法和设备本发明涉及一种信号质量测量方法和设备，并且更具体地涉及一种用于使用信号的眼图来测量从盘等等读取的RF信号的输出信号的质量的方法和设备。 一种用于测量通过信道的输入信号的质量的装置，该装置包括：眼图检测器，用于检测指示输入信号随时间变化的眼图; 以及信号质量生成器，用于基于从输入信号的眼图测量的眼深来生成信号质量（Q）。 根据本发明，提供了一种能够在高密度存储介质系统或通信系统中更准确地表达信号特性的新型信号质量测量设备和方法。

公开(公告)号：KR100979710B1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020030032882

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  박영수 ,  이원태

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자 및 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 반도체 메모리 소자는 트랜지스터 및 데이타 저장부 사이에 배치된 발열부; 및 상기 데이타 저장부에 연결된 금속배선;을 구비하며, 상기 데이타 저장부는 상기 발열부의 발열에 의해서 상변화가 일어나서 데이타가 저장되는 칼코게나이드 물질층을 포함한다. 이에 따르면, 칼코게나이드 물질층의 하부에 발열물질층을 배치하고, 발열물질층의 표면을 플라즈마 산화시켜서 저항치를 높임으로써 적은 전류 사용으로 칼코게나이드 물질층에 필요한 열량을 전달할 수 있다. 따라서, 반도체 메모리 소자에 사용되는 전류의 량을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.