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公开(公告)号：KR1019940008572B1
公开(公告)日：1994-09-24
申请号：KR1019910024255
申请日：1991-12-24
IPC: H01L31/00
Abstract: The method comprises the steps of (A) forming a reflection (2), an active (3), and a lid (4) layers on a GaAs substrate (1) by e.g. MBE, (B) removing the lid and the active layers selectively by etching to isolate each device, (C) forming an insulation region (5) by boron implantation, (D) forming an optical window, N-type doped (6) and P-type doped regions (7), (E) forming a metal layer (8) on doped regions, (F) making the light-passing region undoped by hydrogen-plasma implantation, and (G) forming an anti-reflection coating.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：（A）通过例如在GaAs衬底（1）上形成反射层（2），活性层（3）和盖（4）层。 （B）通过蚀刻选择性地去除盖子和有源层以隔离每个器件，（C）通过硼注入形成绝缘区域（5），（D）形成光学窗口，N型掺杂（6）和 在掺杂区域上形成金属层（8）的P型掺杂区域（7），（F）使通过氢等离子体注入而未掺杂的光通过区域，（G）形成抗反射涂层。
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公开(公告)号：KR1019940006345B1
公开(公告)日：1994-07-18
申请号：KR1019920011455
申请日：1992-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B7/18
Abstract: The optical path difference between by-pass connection and cross connection in a cross-over plannar integrated optical system is minimized by using two optical substrates having different refractive ratio. The upper optical substrate and the lower optical substrate have different refractive ratio so that the optical path difference is compensated by the lower optical substrate.
Abstract translation: 通过使用具有不同折射率的两个光学基底，在交叉平面集成光学系统中的旁路连接和交叉连接之间的光程差被最小化。 上光学基板和下光学基板具有不同的折射率，使得光程差由下部光学基板补偿。
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公开(公告)号：KR100283098B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019970049802
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/28
Abstract: 본 발명은 다중 모드 간섭계 및 회절격자를 이용한 파장 검출기에 관한 것으로, 특히 폭이 좁은 파장을 추출하여 파장에 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자들의 제어를 확실하게 할 수 있는 파장 검출기에 관한 것이다.
파장 분할 전송에서 많이 이용되고 있는 다중/역다중 방식은 광 도파로 격자를 사용하고, 아울러 매우 극소수로써 다중 모드 간섭계를 이용한 phasar(phased array)를 사용하고 있는 실정이다. 그러나 광도파로 격자를 사용하는 경우, 다중 파장에서 단일 파장을 검출하는데 입력된 빛의 세기가 매우 약하게 감쇄되는 단점과 그 구조의 복잡함으로 인하여 제조가 용이하지 않은 단점이 있다.
본 발명에서는 다중 모드 간섭계로 균등 분할된 광을 다중 회절격자를 사용하여 여러 파장 중에서 단일 파장을 검출한 후, 광들이 서로 위상차를 갖도록 함으로써 특정 포트로 출력된 파장을 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자에 입력 시킬 수 있는 파장 검출기를 제시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100273134B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970064813
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18388 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/205 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: PURPOSE: A single mode surface emission laser and a manufacturing method thereof are provided, which is stably applied to a coupling with an optical fiber and an optical wiring in a free space by enabling a single transverse mode oscillation in a large area and a large size of a device. CONSTITUTION: A single mode surface emission laser comprises an n-type semiconductor substrate(11), a laser column formed on the n-type semiconductor substrate, a regulating layer(18) formed on the laser column, an anti-induction clad layer(17) formed surrounding the laser column and the regulating layer, and an upper electrode on the anti-induction clad layer and the regulating layer. An n-type lower electrode(12) and an anti-reflection layer(13) are formed below the n-type semiconductor substrate. The laser column includes a lower mirror layer(14), an active layer(15), and an upper mirror layer(16) stacked in that order. The thickness of the regulating layer is made thinner as it goes from the center to the periphery. The anti-induction clad layer is made from a material having a refractive index greater than that of the active layer or the upper mirror layer in the laser column. An insulating layer(19) is formed between the anti-induction clad layer and the upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种单模面发射激光器及其制造方法，其通过在大面积和大尺寸中实现单横模振荡而稳定地应用于在自由空间中与光纤和光布线的耦合 的设备。 构成：单模面发射激光器包括n型半导体衬底（11），形成在n型半导体衬底上的激光器柱，形成在激光柱上的调节层（18），抗感应覆层（ 17）围绕激光柱和调节层，以及上电极在抗感应覆层和调节层上。 在n型半导体衬底的下方形成n型下电极（12）和抗反射层（13）。 激光柱包括依次层叠的下镜层（14），有源层（15）和上镜层（16）。 调节层的厚度从中心到周边变薄。 抗感应覆层由折射率大于激光塔中活性层或上镜层的折射率的材料制成。 在抗感应覆层和上电极之间形成绝缘层（19）。
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公开(公告)号：KR100269251B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970072643
申请日：1997-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04J14/00
Abstract: PURPOSE: An amplitude-time reverse multiplexer is provided to be capable of stably time reverse-multiplexing optical signals transmitted from an amplitude-time multiplexing transfer system using pulses the amplitude of which are sequentially changed. CONSTITUTION: An amplitude-time reverse multiplexer includes three non-linear thin films(32) continuously adhered on a substrate(31) having a refractive index(ns) and having a third order nonlinear coefficient. A linear optical waveguide(33) is adhered on an upper end of the three nonlinear thin film(32). A lattice(34) is formed on the linear optical waveguide(33). The refractive index(n2) of the linear waveguide(33) is greater than the refractive index(n0) of the three nonlinear thin films(32).
Abstract translation: 目的：提供一种振幅 - 时间反向多路复用器，能够使用其幅度顺序变化的脉冲从幅度 - 时间复用传输系统中稳定地对多路复用光信号进行反向复用。 构成：振幅时间反向多路复用器包括连续地粘附在具有折射率（ns）并具有三阶非线性系数的衬底（31）上的三个非线性薄膜（32）。 线性光波导33粘附在三个非线性薄膜32的上端。 在线状光波导（33）上形成格子（34）。 线性波导（33）的折射率（n2）大于三个非线性薄膜（32）的折射率（n0）。
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公开(公告)号：KR100258183B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970046101
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B6/2932 , G02B6/29322 , G02B6/29389
Abstract: PURPOSE: An optical filter is provided to compensate time delay among different channel signals with different wavelengths by connecting an optical fiber or optical waveguide from a half-wavelength plate to an optical circulator. CONSTITUTION: An optical circulator(21) has an input end and an output end connected through an optical fiber or optical waveguide. A number of Bragg lattices(22) are connected to the optical circulator through the optical fiber or optical waveguide. Each of the Bragg lattices(22) has a different wavelength selectivity from one another. An inter-signal delay compensation circuit has a polarized beam splitter(25) and a half-wavelength plate(26) connected at the opposite of the optical circulator(21). The optical fiber or optical waveguide from the half-wavelength plate(26) is connected to the optical circulator(21) again. Arbitrary wavelength distribution and independent wavelength adjustment are enabled.
Abstract translation: 目的：提供一种滤光器，通过将光纤或光波导从半波长板连接到光循环器来补偿具有不同波长的不同通道信号之间的时间延迟。 构成：光环行器（21）具有通过光纤或光波导连接的输入端和输出端。 多个布拉格晶格（22）通过光纤或光波导连接到光环行器。 每个布拉格晶格（22）彼此具有不同的波长选择性。 信号间延迟补偿电路具有连接在光循环器（21）的相反侧的偏振分束器（25）和半波长板（26）。 来自半波长板（26）的光纤或光波导再次连接到光循环器（21）。 允许任意波长分布和独立波长调整。
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公开(公告)号：KR100249774B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970062773
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , Y10S438/962
Abstract: 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH
3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH
3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100243388B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970063248
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
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