公开(公告)号：US20050227477A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10505180

申请日：2003-01-29

Applicant: Mika Okumura ,  Makio Horikawa ,  Kimitoshi Satou

Inventor： Mika Okumura ,  Makio Horikawa ,  Kimitoshi Satou

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/28 ,  H01L29/84 ,  H01L21/4763

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: An object of the present invention is to provide a technique for reducing a step height to be covered by photoresist during formation of an electrode connected to a semiconductor substrate, e.g. a silicon substrate on which an acceleration sensor resides. In order to achieve this object, an opening (80) for formation of an electrode (90) is formed before formation of a sacrificial layer (4), semiconductor film (50), and fixed electrode (51). Therefore thick photoresist is not required.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种降低在与半导体衬底连接的电极形成期间由光致抗蚀剂覆盖的台阶高度的技术，例如， 加速度传感器所在的硅基板。 为了实现该目的，在形成牺牲层（4），半导体膜（50）和固定电极（51）之前形成用于形成电极（90）的开口（80）。 因此，不需要厚的光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US20050136359A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10742276

申请日：2003-12-19

Applicant: Michael Weisberg

Inventor： Michael Weisberg

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/00 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0197 ,  G03F7/0035

Abstract: A method of creating a microelectromechanical systems (MEMS) device includes applying a layer of photoresist to a lower layer to create a multilayer MEMS device. The method includes transferring the layer of photoresist to the lower layer. The method can also include spincoating the photoresist onto a release layer, softbaking the spincoated photoresist to at least partially dry it, transferring the photoresist to form a layer of the multilayer MEMS device, and exposing the photoresist to light to crosslink it. The multilayer MEMS device includes a plurality of layers of photoresist.

Abstract translation: 创建微机电系统（MEMS）装置的方法包括将光致抗蚀剂层施加到下层以产生多层MEMS器件。 该方法包括将光致抗蚀剂层转移到下层。 该方法还可以包括将光致抗蚀剂旋涂到剥离层上，将旋涂的光致抗蚀剂软化至少部分地干燥，转移光致抗蚀剂以形成多层MEMS器件的层，并将光致抗蚀剂曝光以使其交联。 多层MEMS器件包括多层光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US06159413A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US098289

申请日：1998-06-16

Applicant: Takanori Katoh ,  Yanping Zhang

Inventor： Takanori Katoh ,  Yanping Zhang

IPC: G21K5/02 ,  B29C39/02 ,  B29C39/26 ,  B32B3/02 ,  B32B27/06 ,  B81C1/00 ,  C23F4/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302 ,  B29C59/16

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B32B27/06 ,  B32B3/02 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/2039 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: A laminated substrate is prepared, the laminated substrate having two layers including a first film and a second film in tight contact with the first film, the second film being made of a material capable of being etched with synchrotron radiation light. A mask member with a pattern is disposed in tight contact with the surface of the second film of the laminated structure or at a distance from the surface of the second film, the pattern of the mask member being made of a material not transmitting the synchrotron radiation light. The synchrotron radiation light is applied on a partial surface area of the second film via the mask member to etch the second film where the synchrotron radiation light is applied and to expose a partial surface area of the first film on the bottom of an etched area.

公开(公告)号：US5576147A

公开(公告)日：1996-11-19

申请号：US461983

申请日：1995-06-05

Applicant: Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

Inventor： Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

IPC: G03F7/027 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/18

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

公开(公告)号：JP2014522567A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：JP2014511824

申请日：2012-05-18

Applicant: コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オ エネルジ アルテルナティヴCommissariat a lenergie atomique et aux energies alternatives

Inventor： ティロン，ラルカ ,  ゴーギラン，ステファニー ,  シュヴァリエ，ザヴィエ ,  テデスコ，セルジュ

IPC: H01L21/027 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/40

CPC classification number: B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

Abstract: 本発明は、ブロック共重合体を用いて基板の表面にパターンを作製する方法に関し、次のステップを含んで構成される。 基板の表面に樹脂層を堆積するステップと、基板の表面に樹脂パターンを作製するステップと、樹脂パターンの表面にアモルファスカーボン層を作製することにより、樹脂パターンを硬化するステップと、樹脂パターンを硬化するステップの後で、統計的な共重合体層を堆積するステップと、アニールによって樹脂パターン上に統計的な共重合体層をグラフトするステップと、前記樹脂パターンを硬化し、統計的な共重合体層をグラフトした後で、樹脂パターンによって画定される領域内へブロック共重合体層を堆積するステップと、を含む、
【選択図】 図９

公开(公告)号：JP5250252B2

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：JP2007326949

申请日：2007-12-19

Applicant: パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッドPalo Alto Research Center Incorporated

Inventor： エイチ ダニエル ヨーガン ,  シー アリアス アナ

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76802 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/124 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/775 ,  Y10S977/776

公开(公告)号：JP4658130B2

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：JP2007536880

申请日：2005-10-14

Applicant: ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイThe Board Of Trustees Of The University Of Illinois

Inventor： ウィリアム アール チャイルズ ,  ラルフ ジー ヌッツォ ,  マイケル ジェイ モタラ ,  キョン ジェ リー

IPC: G03F7/34 ,  B29C59/02 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

公开(公告)号：JP4276176B2

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：JP2004544185

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 公敏 佐藤 ,  牧夫 堀川 ,  美香 奥村

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/28

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

公开(公告)号：JP2008517329A

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：JP2007536880

申请日：2005-10-14

Applicant: ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイThe Board Of Trustees Of The University Of Illinois

Inventor： ウィリアム アール チャイルズ ,  ラルフ ジー ヌッツォ ,  マイケル ジェイ モタラ ,  キョン ジェ リー

IPC: G03F7/34 ,  B29C59/02 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

Abstract: マイクロ構造体を形成する方法は、シリコン含有エラストマーの表面の一部分を選択的に活性化するステップと、その活性化された部分を物質に接触させるステップと、その活性化された部分と物質とを結合させて、その表面の活性化された部分及びその活性化された部分に接触する物質が不可逆に接着されるようにするステップと、を備えている。 前記選択的な活性化は、シリコン含有エラストマーの表面にマスクを配置し、そして前記露出部分にＵＶ放射線を照射することにより達成できる。
【選択図】図１

公开(公告)号：JPWO2005116763A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：JP2006513996

申请日：2005-05-31

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 川村　浩一 ,  浩一 川村

IPC: G03F7/004 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  C08F265/04 ,  C08F283/00 ,  C08F292/00 ,  G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G03F7/027 ,  G03F7/028 ,  G03F7/029 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/10

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  H05K3/064

Abstract: 本発明は、汎用の露光機を用いて高解像度のパターン形成が可能であり、撥油且つ撥水性領域を効率よく形成することができるグラフトパターン形成方法、該方法により形成された撥油且つ撥水性グラフトパターンをエッチングストッパーに用いるリソグラフィ方法、前記グラフトパターン形成方法により形成されたグラフトパターンを用いる導電性パターン形成方法、カラーフィルター形成方法、及びマイクロレンズ製造方法を提供することを目的とする。前記グラフトパターン形成方法は、基材表面に、光開裂によりラジカル重合を開始しうる光重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をパターン状に設け、撥油且つ撥水性の官能基を有するラジカル重合性化合物を接触させた後、全面露光を行うか、又は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させ、撥油及び撥水性の官能基を有するラジカル重合性化合物を接触させて、パターン状に露光するかにより、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成することを特徴とする。【選択図】図1