公开(公告)号：CN104968599A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007570.1

申请日：2014-01-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔兰 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04

Abstract: 提出一种用于实现具有尽可能无应力的膜片结构的微机械构件的方案，所述膜片结构具有边缘锚固部，所述方案可以成本有利地借助半导体工艺的标准方法实现。因此，以层结构在衬底(1)上实现所述微机械构件(100)的膜片结构，其中，所述膜片结构包括膜片(11)，所述膜片通过至少一个弹性元件(12)集成到所述层结构中，其中所述膜片(11)跨越空穴(16)，使得所述膜片边缘的至少一个区段延伸到所述空穴(16)的边缘区域上，其中在膜片(11)和空穴边缘区域之间的重叠区域中构造至少一个锚固结构。根据本发明，锚固结构包括至少一个锚固元件(21)和用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)，其中所述锚固元件(21)由层结构在空穴边缘区域上结构化出，而用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)构造在所述膜片(11)的边缘区域中，使得在锚固元件(21)和贯通开口(20)之间存在空隙，所述空隙能够实现所述膜片(11)的机械应力松弛。

公开(公告)号：CN102714200B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080054194.3

申请日：2010-12-29

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·R·哈克比 ,  R·H·珀德姆

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B3/0081 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种微机电系统（MEMS）设备（100），其具有定义空腔的凹部（117），该空腔中心开放到载体表面（111）上。导电引脚（112）在载体表面外围嵌入。包括集成电路芯片（101）的插入物（120）在凹部的顶部（114、116）内安装，并为空腔提供罩盖。电连接（130）连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖（140）包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔（141）、插入物中第一和第二开孔（121，122）以及集成电路芯片中开孔（104）的路径，提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片（105）的气道。

公开(公告)号：CN104937951A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480005449.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·萨尔蒙

IPC: H04R1/04 ,  B81C1/00 ,  H04R19/00 ,  H04R1/28

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/0118 ,  H04R1/00 ,  H04R1/2846 ,  H04R19/005

Abstract: 描述了包括集成在封装壳体基底基板上的ASIC的MEMS麦克风封装。还描述了制造该MEMS麦克风封装的方法以及从晶片形式组装阵列中分离单个麦克风封装的方法。

公开(公告)号：CN104843632A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410325061.5

申请日：2014-07-09

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 周世文

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2203/0136 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种微机电芯片封装及其制造方法，该微机电芯片封装包括：一封装基板、一围阻环、一微机电芯片、以及一封装材料。封装基板具有一内表面及对应的一外表面，并具有一信号开口，穿透内表面及外表面。封装基板具有至少一内接点，外表面上具有至少一外接点，内接点与外接点电性连接。围阻环配置于内表面，并环绕信号开口；微机电芯片具有一有源表面，有源表面具有至少一感应元件及至少一芯片接点。有源表面贴附于围阻环，使得感应元件位于围阻环内，芯片接点与内接点电性连接。封装材料包覆微机电芯片、围阻环外侧及内接点。

公开(公告)号：CN102740200B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210082794.1

申请日：2012-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 斯特凡·巴泽恩 ,  程序 ,  阿尔方斯·德赫 ,  沃尔夫冈·弗里扎 ,  沃尔夫冈·克莱因 ,  莫辛·纳瓦兹 ,  乌韦·赛德尔

IPC: H04R17/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103

Abstract: 本发明公开一种具有带锥形表面的薄膜支撑的微机械声换能器，还公开一种用于制造微机械声换能器的方法，该方法包括在衬底装置的第一主表面上顺序沉积分别具有第一蚀刻率和较低的第二蚀刻率的第一和第二薄膜支撑材料层。接着沉积薄膜材料层。从衬底装置的与薄膜支撑材料和薄膜材料相对的一侧形成衬底装置中的凹腔，至少直到该凹腔延伸至第一薄膜支撑材料层。通过位于凹腔的延伸部分中的至少一个第一区和环绕该第一区的第二区中的凹腔，通过施加蚀刻剂来蚀刻第一和第二薄膜支撑材料层。该蚀刻在第二区中形成第二薄膜支撑材料层上的锥形表面。继续蚀刻，至少直到从第一区中去除第二薄膜支撑材料层，以露出薄膜材料层。

公开(公告)号：CN102859688B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080066467.6

申请日：2010-02-26

Applicant: 优博创新科技产权有限公司

Inventor： C.K.罗 ,  L.H.万 ,  M.W.谭

IPC: H01L23/522 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

Abstract: 提供半导体封装体及其制造方法。半导体封装体包括：具有空腔的底座（130）；内插器（120），该内插器连接到该底座（130）并至少部分在该空腔上方，从而使得该内插器（120）和该底座（130）形成后室（108），该内插器（120）具有进入该后室的第一开孔（142）；位于该内插器（120）和该第一开孔（142）上方的微机电系统器件（105）；以及连接到该底座（130）的罩盖（110）。

公开(公告)号：CN104604248A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046744.0

申请日：2013-09-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： E·奥克斯 ,  J·S·萨尔蒙

IPC: H04R1/04 ,  B81B7/00

CPC classification number: H04R23/00 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  H01L2224/48137 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种MEMS麦克风封装(300)包括基板(305)和模制盖(307)。导电盖迹线(313)和导电基板迹线(311)在安装于基板(305)上的一个或多个部件(301、309、317)和安装于盖上的一个或多个部件(301、309、317)之间提供电联接。所述一个或多个部件的示例是MEMS麦克风裸片(301)、ASIC(309)和电接触垫(317)。

公开(公告)号：CN104284290A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331308.4

申请日：2014-07-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄

IPC: H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0094 ,  B81B7/0016 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152

Abstract: 本发明公开了一种具有MEMS结构和在支撑结构中的通风路径的装置，该装置包括：支撑结构；设置在支撑结构中的声音端口；以及包括声学地耦合至声音端口的隔膜的MEMS结构。隔膜将接触隔膜的第一侧的第一空间与接触隔膜的相对的第二侧的第二空间分隔开。装置进一步包括设置在支撑结构中并且从声音端口延伸至第二空间的可调通风路径。

公开(公告)号：CN102138338B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200980133397.9

申请日：2009-06-30

Applicant: 密执安大学评议会

Inventor： K·格罗什 ,  R·J·利特雷尔

IPC: H04R17/00 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/083 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00158 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/27 ,  H04R17/00 ,  H04R17/02 ,  H04R2201/003

Abstract: 包括多层传感器的压电MEMS麦克风，该传感器包括位于两个电极层之间的至少一个压电层，该传感器被尺寸定制为使得其提供了接近最大化的输出能量对传感器面积之比率，最大化的输出能量对传感器面积之比率通过计入了输入压力、带宽、及压电和电极材料特征的最优化参数来确定。该传感器可由单独的或以小间隙彼此分隔开的堆叠悬臂梁组成，或者可以是以下方式形成的应力消除隔板：通过沉积到硅衬底上，然后通过将隔板基本与衬底分离来对隔板进行应力消除，并接下来重新附着现在的经应力消除的隔板。

公开(公告)号：CN104169657A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013497.4

申请日：2013-03-12

Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司

Inventor： A·J·霍利达

IPC: F24F7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B01D53/228 ,  B01D69/12 ,  B01D71/06 ,  B23B3/00 ,  B32B3/266 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0004 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00293 ,  H04R1/28 ,  H04R25/456 ,  H04R2460/11 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24331

Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。