公开(公告)号：KR102230545B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020180029290A

申请日：2018-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유이치 오오카

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67288 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67271 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67763

Abstract: 반응 용기로부터 반출된 기판 보유 지지구에 보유 지지되어 있는 열처리 후의 기판을 기판 반송 기구에 의해 취출할 때, 생산성의 향상을 도모하는 것이다.
복수의 웨이퍼를 기판 보유 지지구인 웨이퍼 보트에 선반 형상으로 보유 지지하여 반응 용기 내에 반입하여, 열처리를 행하는 종형 열처리 장치에 있어서, 열처리 후에 상기 반응 용기로부터 반출된 웨이퍼 보트에 냉각 가스 분사 기구로부터 냉각 가스를 분사함과 함께, 웨이퍼 보트에 보유 지지되어 있는 웨이퍼에 대하여, 휨 검출부에 의해 휨을 검출한다. 그리고, 휨이 없다고 판정된 웨이퍼를, 웨이퍼 반송 기구에 의해 웨이퍼 보트로부터 취출한다. 이 때문에, 열처리에 의해 휨이 발생하고, 온도의 저하와 함께 휨이 수속되는 웨이퍼에 있어서, 그 휨의 수속을 검지할 수 있으므로, 휨이 수속되는 타이밍에 웨이퍼 반송 기구에 의한 취출을 개시할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR102230543B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020170152371A

申请日：2017-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카즈 후루사와

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/67017

Abstract: 본 발명은, 급격한 가스 도입이 행하여지는 경우에도, 파티클이 처리 용기 내에 도입되는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 복수의 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기부를 갖는 기판 처리 장치를 구성한다. 해당 기판 장치는, 상기 가스 공급부 내를 소기하는 소기부를 구비하고, 상기 가스 공급부는 상기 소기부에 접속되어 있다.

公开(公告)号：KR102228490B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020140145166A

申请日：2014-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시게히사 이노우에

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67253

Abstract: 기판 처리의 면내 균일성을 높이는 것.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 유지 기구와, 복수의 노즐과, 조정부를 구비한다. 유지 기구는, 기판을 회전 가능하게 유지한다. 복수의 노즐은, 유지 기구에 유지된 기판의 직경 방향으로 배열되어 배치되며, 기판에 대하여 약액을 공급한다. 조정부는, 제1 온도의 약액과 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 약액을 미리 정해진 비율로 각 노즐에 공급한다. 또한, 조정부는, 기판의 외주부측에 배치되는 노즐에 대하여, 기판의 중심부측에 배치되는 노즐보다 제2 온도의 약액을 높은 비율로 공급한다. 그리고, 각 노즐은, 공급된 제1 온도의 약액과 제2 온도의 약액이 혼합된 약액을 기판에 대하여 공급한다.

公开(公告)号：KR20210029093A

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020200105968A

申请日：2020-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다로 이케다 ,  미키오 사토 ,  에이키 가마타

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32532 ,  H05H1/0025 ,  G01R1/07 ,  H01J2237/208

Abstract: 본 발명은, 플라스마 생성 공간에서의 라디칼 밀도를 높은 정밀도로 모니터링할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 의한 플라스마 프로브 장치는, 처리 용기의 벽에 형성된 개구부에, 진공 공간과 대기 공간 사이를 시일하는 시일 부재를 개재해서 설치되는 안테나부와, 상기 안테나부의 내부에 마련되거나 또는 상기 안테나부의 적어도 일부이며, 상기 진공 공간에서 생성되는 플라스마의 발광을 상기 대기 공간에 투과시키는 투광부를 갖는다.

公开(公告)号：KR20210028105A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200107630A

申请日：2020-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 게이이치 다나카

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/40 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/70008 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70758 ,  G03F7/70866

Abstract: 본 발명은, EUV 리소그래피에 적합한 레지스트 재료를 사용한 기판에 있어서 표면의 거칠함을 개선한다. 기판 처리 장치(1)는, 처리 용기 내에서 EUV 리소그래피용 레지스트재에 의한 패턴이 표면에 형성된 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 회전 구동부에 의해 회전수가 0.5rpm 내지 3rpm이 되도록 회전하는 상기 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대하여 진공 자외광을 포함하는 광을 조사하는 복수의 광원을 갖는 광원부를 갖는다.

公开(公告)号：KR20210027487A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020217004416A

申请日：2019-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 칭 링 멩 ,  홀거 타이티 ,  치앙 쟈오 ,  한요우 추 ,  신캉 티안

IPC: H01L21/67 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/32972 ,  H01L21/67242 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/24 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30 ,  G01N2021/9513 ,  H01J2237/3345 ,  H01L22/12

Abstract: 플라스마 처리 챔버에서의 원위치 에칭 모니터링을 위한 장치, 시스템 및 방법이 제공된다. 장치는 입사광 빔을 생성하는 지속파 광대역 광원, 기판에 수직 입사로 지향되는 입사광 빔으로 기판 상의 영역을 조명하도록 구성되는 조명 시스템, 기판 상의 조명된 영역으로부터 반사되는 반사광 빔을 집광하고, 검출기로 반사광 빔을 지향시키도록 구성되는 집광 시스템, 및 처리 회로망을 포함한다. 처리 회로망은 배경 광을 억제하도록 반사광 빔을 처리하고, 참조 광 빔, 및 배경 광을 억제하도록 처리되는 반사광 빔에 기반하여 기판 또는 기판 상에 형성되는 구조체들의 특성을 결정하고, 결정된 특성에 기반하여 에치 프로세스를 제어하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR20210027221A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200111878A

申请日：2020-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신지 구보타 ,  유지 아오타 ,  지시오 고시미즈

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01J37/32183

Abstract: 본 발명은 이온 에너지 분포를 제어하는 것을 목적으로 한다.
기판을 배치하는 제1 전극과, 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 생성원과, 상기 제1 전극에 바이어스 파워를 공급하는 바이어스 전원과, 상기 플라즈마 생성원에 상기 바이어스 파워보다 높은 주파수의 소스 파워를 공급하는 소스 전원과, 상기 바이어스 전원 및 상기 소스 전원을 제어하는 제어부를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 소스 파워는, 제1 상태와 제2 상태를 갖고, 상기 제어부는, 상기 제1 상태와 상기 제2 상태를, 상기 바이어스 파워의 고주파의 주기에 동기하는 신호, 또는 상기 바이어스 파워의 급전계에서 측정된 전압, 전류 또는 전자계 중 어느 하나를 나타내는 기준 전기 상태의 1주기 내의 위상과 동기하여 교대로 인가하도록 제어하며, 적어도 상기 기준 전기 상태의 1주기 내의 위상의 부측(負側)의 피크 시에는 소스 파워를 오프로 제어하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR102225474B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020140136659A

申请日：2014-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사루 혼다 ,  료이치 사카모토

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67712 ,  B32B38/18 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1858 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  B32B43/006 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967 ,  Y10T156/1994

Abstract: [과제] 피처리 기판과 지지 기판의 박리 처리를 효율적으로 행한다.
[해결수단] 박리 장치는, 중첩 기판 중 지지 기판을 유지하는 제1 유지부와, 중첩 기판 중 피처리 기판을 유지하는 제2 유지부와, 제1 유지부의 외주부의 일부를 제2 유지부로부터 분리하는 방향으로 이동시키는 이동부를 갖는다. 제1 유지부는, 이동부에 접속되는 판형의 탄성 부재와, 탄성 부재에 설치되고, 지지 기판을 흡착하는 복수의 흡착부를 갖는다. 복수의 흡착부 중, 박리의 기점이 되는 지지 기판(S)의 외주부를 흡착하는 외주 흡착부(53)는, 지지 기판(S)의 흡착면(521a)이 개구되어 중공부(521b)가 형성된 패드 부재(521)와, 패드 부재(521)의 중공부(521b)에 감입하여 설치되고, 패드 부재(521)보다 높은 경도를 갖는 서포트 부재(522)를 갖는다.

公开(公告)号：KR102239051B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020197028803A

申请日：2018-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데츠야 가가미

IPC: G01R31/28 ,  G01R1/073 ,  G01R35/00 ,  G06N3/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: G01R31/2891 ,  G01R1/07307 ,  G01R31/2879 ,  G01R35/00 ,  G06N3/00 ,  H01L21/67242 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30

Abstract: 검사 장치(100)는, 복수의 디바이스가 형성된 기판 W를 유지하는 스테이지(26)와, 기판(W)을 스테이지(26)에 반송하는 반송부(22)와, 복수의 프로브(25a)를 기판(W) 상의 복수의 디바이스의 전극에 접촉시키는 프로브 카드(25)를 갖는 프로버(200)와, 프로브 카드(25)를 통해서 기판(W) 상의 복수의 디바이스에 전기적 신호를 주어, 디바이스의 전기 특성을 검사하는 테스터(300)와, 검사 때에 고장이 발생했을 때, 또는 고장의 전 단계의 징조가 발생했을 때에, 그 고장에 관련되는 프로버(200)와 테스터(300)의 이력 정보를 해석하여 고장의 개소를 파악 또는 예지하는 고장 해석 및 예지 처리부(400)를 갖는다.

公开(公告)号：KR102236048B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190074847A

申请日：2019-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 준이치 다케이 ,  히로시 소네 ,  나오유키 스즈키 ,  신지 오리모토

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/228 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3447

Abstract: 개구부의 형상을 용이하게 변경할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 태양에 의한 스퍼터링 장치는, 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내를 타겟재가 설치되는 제 1 공간과 상기 기판이 설치되는 제 2 공간으로 구획하는 슬릿판을 포함하며, 상기 슬릿판은, 판두께 방향으로 관통하는 개구부를 갖는 내측 부재와, 상기 내측 부재의 주위에 설치되는 외측 부재를 구비하며, 상기 내측 부재는 상기 외측 부재에 대해서 착탈 가능하다.