公开(公告)号：CN112956033B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201980069424.4

申请日：2019-05-23

Applicant: 国立大学法人茨城大学 ,  JX金属株式会社

Inventor： 鹈殿治彦 ,  朝日聪明

IPC: H01L31/0264

Abstract: 本发明提供一种耐氧化性良好的半导体材料。该半导体材料具有由下述组成式表示的单晶体，组成式：Mg2Sn·Zna(式中，a是Zn相对于Mg2Sn的含量，为0.05～1at％。)。

公开(公告)号：CN116710601A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009868.0

申请日：2022-01-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 松冈佑树 ,  岩沢翔平 ,  五刀郁浩 ,  中岛誓哉 ,  三木敦史

IPC: C25D5/16

Abstract: 一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Sk的变化量为0.180～0.600μm。Sk的变化量＝P2‑P1…(1)式中，P1为应用截止值λs为2μm的λs滤波器而算出的Sk，P2为不应用该λs滤波器而算出的Sk。

公开(公告)号：CN116547140A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180075401.1

申请日：2021-09-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山本悠贵友

IPC: B32B7/025

Abstract: 本发明提供一种作为金属层与绝缘层的层叠体的电磁波屏蔽材料，能够提高电磁波屏蔽效果，并且能够抑制成型加工引起的金属层产生破裂的电磁波屏蔽材料。所述电磁波屏蔽材料，是将N(其中，N为1以上的整数)张的屏蔽用金属层与N+1张的绝缘层，夹着粘合剂层交错地进行层叠而得到的层叠体，并且在所述层叠体的最外层还具备接地用金属层，所述接地用金属层的仅一侧的表面，夹着粘合剂层层叠于所述绝缘层，当将所述一侧的表面上的粘合剂层的厚度记做d1、杨氏模量记做ε1，将所述接地用金属层的厚度记做d2、杨氏模量记做ε2，并且将所述一侧的表面上的粘合剂层与所述接地用金属层的复合杨氏模量记做ε3时，满足以下的关系式：ε3/ε2＞0.60，其中，ε3＝ε1(d1/(d1+d2))+ε2(d2/(d1+d2))。

公开(公告)号：CN116324047A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070903.5

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  川平启太 ,  野田朗

IPC: C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种抑制了凹形缺陷的产生的磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其直径为100mm以下，在对至少一个表面利用S偏振光照射波长405nm的激光进行检查时，在表面，利用形貌通道检测出的凹形缺陷为0个。

公开(公告)号：CN116134002A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180057713.X

申请日：2021-07-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 岩渊靖幸

IPC: C04B35/596

Abstract: 本发明降低了含有氮化硅(Si3N4)的溅射靶的比电阻。该溅射靶含有Si3N4、SiC、MgO、和TiCN，且比电阻为10mΩ·cm以下。

公开(公告)号：CN115181971A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210851426.2

申请日：2018-03-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 泉千寻

IPC: C23C26/00 ,  C23G5/024 ,  C23G5/032

Abstract: 本发明提供一种不易产生由与张力垫的摩擦所导致的金属粉的铜或铜合金板条的往复线圈(トラバースコイル)及其制造方法。本发明为一种铜或铜合金板条，其在表面涂布有动粘度为3～12mm2/s的油，且上述油的量为100～500mg/m2。

公开(公告)号：CN111971412B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201880042653.2

申请日：2018-09-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C1/05 ,  C22C29/00 ,  C22C29/16 ,  C22C32/00 ,  C23C14/06 ,  G11B5/851

Abstract: 本申请提供一种颗粒的产生少、且含有Fe、Co、Cr、Pt中的一种以上的金属和C、BN中的一种以上的溅射靶的制造方法。一种溅射靶，其包含选自由Fe、Co、Cr和Pt构成的组中的一种以上的金属相和选自由C和BN构成的组中的一种以上的非金属相，A≤40，A/B≤1.7。其中，A为组织照片中的沿垂直方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量，B为组织照片中的沿水平方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量。

公开(公告)号：CN108449868B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201810123868.9

申请日：2018-02-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 森山晃正

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  C25D3/04 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/56 ,  C25D3/58 ,  C25D5/02 ,  C25D5/14 ,  C25D7/06

Abstract: 本发明涉及表面处理铜箔、带载体的铜箔、层压体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体地提供了一种表面处理铜箔，其即便用于高频电路基板，也可良好地减少传输损耗，且耐酸性良好。一种表面处理铜箔，具有铜箔、以及在铜箔的一个或两个面具有包含粗糙化处理层的表面处理层，表面处理层包含Ni，且表面处理层中的Ni的含有比率为8质量％以下(0质量％除外)，表面处理层的最表面的十点平均粗糙度Rz为1.4μm以下。

公开(公告)号：CN114761622A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082012.7

申请日：2020-10-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 五刀郁浩

IPC: C25D7/06 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/16 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明是一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于该铜箔的至少一面的表面处理层。该表面处理铜箔的将表面处理层的突出谷部与中心部分离的负载面积率SMr2为91～96％。

公开(公告)号：CN112553497B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011021136.2

申请日：2020-09-25

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 柿谷明宏

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C21D9/00 ,  H05K7/20 ,  B21B3/00

Abstract: 本发明涉及均温板用钛铜合金板及均温板。本发明的均温板用钛铜合金板含有2.0～5.0质量％的Ti、合计小于0.05质量％的选自由Fe、Co、Mg、Si、Ni、Cr、Zr、Mo、V、Nb、Mn、B、P及Al所组成的群中的1种以上元素，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。