Abstract:
The invention relates to an absorption spectrometer with a base (2), an arm (3) and a bearing (22), wherein the base (2) comprises a base window (7) and one of a light source (9) and a detector (10), and the arm (3) comprises an arm window (8) and the other one of the light source (9) and the detector (10), wherein the arm (3) is pivotally mounted on the base (2) by means of the bearing (22) for rotating the arm (3) relative to the base (2) around a rotational axis (21) that is substantially perpendicular to the windows (7, 8) into an open position of the arm (3) in which the windows (7, 8) are separated such that they are accessible from outside and the arm (3) can be moved by means of the bearing (22) to a closed position of the arm (3) in which a closed sample space (20) between and confined by the windows (7, 8) is formed and light emitted by the light source (9) can pass through the windows (7, 8) and the sample space (20) and can impinge on the detector (10) for measuring the absorption of a sample placed in the sample space (20).
Abstract:
Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) zum Betätigen eines Schalters (103) durch vier mögliche Arten (111 bis 114) von nicht-taktilen Translationsgesten, die mit einem Wärme emittierenden Teil (115) auszuüben sind, weisen einen Gestensensor (1), der eingerichtet ist vom Teil (115) emittierte Wärme mittels mindestens vier nebeneinander angeordneter Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24), die jeweils einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisen, ein Signal (51 bis 54) mit einem Signalausschlag (58) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Dünnfilm des entsprechenden Pixels (21, 22, 23, 24) detektierten Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (58) die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt, wobei vier der Pixel (21 bis 24) jeweils in einer der Ecken eines konvexen Vierecks (11) angeordnet sind, dessen eine der Diagonalen (12) im wesentlichen parallel zur Längsrichtung (31) und die andere Diagonale (13) im wesentlichen parallel zur Querrichtung (32) sind.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors (1) weist die Schritte auf : Bereitstellen einer Mehrzahl an Anschlussstiften (11, 12), die parallel zueinander und mit ihren einen Längsenden (17, 18) in einer Horizontalebene angeordnet gehalten sind, und einer Leiterplatte (6) mit einer ebenen Unterseite (8), in der für jeden der Anschlussstifte (11, 12) eine Mulde (15, 16) vorgesehen ist, die jeweils dieselbe Form haben; Befüllen der Mulden (15, 16) mit einer Lotpaste, so dass in jeder der Mulden (15, 16) sich ein Lotpastenkörper (21) mit der gleichen Lotpastenmenge befindet; Positionieren der Leiterplatte (6) oberhalb der Anschlussstifte (11, 12), so dass jeder der Anschlussstifte (11, 12) mit seinem Längsende (17, 18) sich in der ihm zugeordneten Mulde (15, 16) erstreckt und in den in der jeweiligen Mulde (15, 16) sich befindlichen Lotpastenkörper (21) taucht; Verflüssigen der Lotpastenkörper (21), so dass elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlussstiften (11, 12) und den Lotpastenkörpern (21) ausgebildet werden sowie auf Grund der Oberflächenspannung in den Lotpastenkörpern (21) und dem Eigengewicht der Leiterplatte (6) die Unterseite (8) der Leiterplatte (6) parallel zur Horizontalebene ausrichtet wird; Verfestigen der Lotpastenkörper (21), so dass mit den Lotpastenkörpern (21) mechanisch feste Verbindungen zwischen der Leiterplatte (6) und den Anschlussstiften (11, 12) ausgebildet werden und die Ausrichtung der Unterseite (8) der Leiterplatte (6) parallel zur Horizontalebene fixiert wird.
Abstract:
In a device for detecting thermal radiation, at least one membrane is provided on which at least one thermal detector element is mounted for the conversion of the thermal radiation into an electric signal and at least one circuit support for carrying the membrane and for carrying at least one readout circuit for reading out the electrical signal, the detector element and the readout circuit being connected together electrically by an electric contact which passes through the membrane. In addition, a method of producing the device with the following method steps is provided: a) provision of the membrane with the detector element and of at least one electrical through-connection and provision of the circuit support and b) bringing together the membrane and the circuit support in such a manner that the detector element and the readout circuit are connected together electrically by an electrical contact passing through the membrane. Production activity is preferably carried out at wafer level: functionalised silicon substrates are stacked upon one another, firmly bonded to one another and then divided into individual elements. Preferably, the detector elements comprise of pyro-electrical detector elements. The device finds application in motion detectors, presence detectors and in thermal imaging cameras.
Abstract:
The invention relates to an absorption spectrometer (1) with a base (2), a carrier (3), a bearing (22) and a shim (4), wherein the base (2) comprises a base window (7) and one of a light source (9) and a detector (10), the carrier (3) comprises a carrier window (8) and the other one of the light source (9) and the detector (10) and the shim (4) comprises a planar first side (24), a planar second side (25) being parallel to the first side (24) and a through hole (26) extending from the first side (24 ) to the second side (25), wherein the shim (4) is arranged such that its second side (25) contacts one of the two windows (7, 8) and the carrier (3) can be moved in a direction substantially perpendicular to both windows (7, 8) by means of the bearing (22) such that the other of the two windows (7, 8) can be contacted with the shim (4) at its first side (24) so that a sample space (23) is formed by the through hole (26) and confined by the windows (7, 8) and the shim (4) so that the sample space (23) is formed closed, wherein the at least one of the windows (7, 8) is supported movable such that the carrier window (8) is parallel aligned to the base window (7) when the two windows (8) contact the shim (4) to seal the sample space (23), wherein light emitted by the light source (9) can pass through the windows (7, 8) and the sample space (23) and can impinge on the detector (10) for measuring the absorption of a sample placed in the sample space (23).
Abstract:
Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems mit Pixel Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems (1) mit Pixel, weisend die Schritte auf: Bereitstellen eines Siliziumwafers; Herstellen Siliziumoxidschichten (5,6) auf den Siliziumwafers; Herstellen einer Platinschicht unmittelbar auf der Oxid (6); Abkühlen des Zwischenprodukts; pixelartige Strukturierung der Platinschicht, um Bodenelektroden (8, 12) der Pixel (7, 8) zu erzeugen; Materialabtragung an der Oxidschicht (5) abgewandten Seite des Siliziumwafers, so dass ein Rahmen (3) verbleibt und von dem Rahmen (3) eine Membran (4) gebildet von den Oxidschichten (5,6) aufgespannt wird; Fertigstellen des Mikrosystems (1).
Abstract:
The invention relates to a method for producing a microsystem (1) having pixels, comprising the following steps: providing a silicon wafer; producing a thermal silicon oxide layer on the surface of the silicon wafer as a base layer (5) having a thickness between 200 nm and 1000 nm by oxidizing the silicon wafer; producing a thin silicon oxide layer directly on the base layer (5) as a substrate layer (6) having a thickness of 100 nm to 700 nm by means of a thermal deposition method; producing a platinum layer directly on the substrate layer (6) by means of a thermal deposition method, which platinum layer has a thickness of 40 nm to 200 nm, whereby an intermediate product comprising the silicon wafer, the base layer (5), the substrate layer (6), and the platinum layer is produced; cooling the intermediate product to room temperature; structuring the platinum layer in a pixel-like manner by removing superfluous areas of the platinum layer, whereby bottom electrodes (8, 12) of the pixels (7, 8) are formed in shape of pixels on the substrate layer (5) by the remaining areas of the platinum layer; removing material on the side of the silicon wafer facing away from the base layer (5), such that a frame (3) remains and a membrane (4) formed by the base layer (5) and the substrate layer (6) is tensioned by the frame (3); finishing the microsystem (1).
Abstract:
Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) weist einen Präsenzsensor (1) zum Betätigen eines Schalters (103) durch eine Präsenz eines Wärme emittierenden Teils (115) an dem Präsenzsensor (1), wobei die Präsenz von einer Annäherungsphase (31), bei der das Teil (115) sich dem Präsenzsensor (1) annähert, einer Wartephase (44), bei der das Teil (115) in der Nähe des Präsenzsensors (1) verharrt, und einer Entfernungsphase (41), bei der das Teil (115) vom Präsenzsensor (1) wegzubewegen ist, gebildet ist, wobei der Präsenzsensor (1) eingerichtet ist vom Teil (115) emittierte Wärme mittels mindestens einem einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisenden Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (2 bis 24) ein Signal (51 bis 54) mit Signalausschlägen (56, 57) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Pixel (21 bis 24) detektierte Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen und der Form der Signalausschläge (56, 57) die Annäherungsphase (31) und die Entfernungsphase (41) ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der 2 Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die die Annäherungsphase (31), die Wartephase (44) oder die Entfernungsphase (41) ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt.
Abstract:
Ein Sensorsystem zum Erkennen einer Bewegung in eine vorherbestimmte Bewegungsrichtung (30) einer Infrarotlichtquelle (29) weist mindestens ein Infrarotlichtsensorpaar bestehend aus zwei Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) auf, die nebeneinanderliegend bezüglich der Bewegungsrichtung (30) angeordnet und dadurch eine Sensorüberdeckungsstrecke (17) definieren, die durch den Abstand der voneinander abgewandten Enden (16) der Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) bezüglich der Bewegungsrichtung (29) bestimmt ist, sowie derart eingerichtet sind, dass sie bei der Bestrahlung mit der Infrarotlichtquelle (29) für das Erkennen der Bewegung der Infrarotlichtquelle (29) elektrische Signale abgreifbar zur Verfügung stellen, deren Ladungsvorzeichen gegensätzlich sind, wobei das Sensorsystem (1) ein Fenster (7) zwischen den Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) und der Infrarotlichtquelle (29) aufweist, durch das das Infrarotlicht der Infrarotlichtquelle (29) auf die Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) durchstrahlbar ist und hinter dem die Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) angeordnet sind sowie deren Anordnung und deren Erstreckung in die Bewegungsrichtung (29) derart auf die Weite (41) des Fensters (7) abgestimmt sind, dass jenseits eines vorherbestimmten Grenzabstands (20) weg vom Fenster (7) die Infrarotlichtsensoren (4, 5; 36, 37) jeweils eine Vollbescheinungszone (22, 23) haben, die die Orte definiert, von denen aus die Infrarotlichtquelle (29) lediglich einen der Infrarotlichtsensoren (4, 36 oder 5, 37) voll bescheint, wobei die Vollbescheinungszonen (22, 23) jenseits des Grenzabstands (20) sich räumlich nicht überlappen und die Fensterweite (41) in die Bewegungsrichtung (29) kleiner als die Sensorüberdeckungsstrecke (17) ist.
Abstract:
The invention relates to an ATR spectrometer for analysing the chemical composition of a sample, wherein the ATR spectrometer (1) comprises an ATR crystal (2), at least one infrared light source (5) being arranged on the entry surface (3), a line array (6) of infrared light detectors, at least one single infrared light detector (7), wherein the at least one infrared light source (5) is adapted to emit infrared light that enters the ATR crystal and is guided to the infrared light detectors under total internal reflection and under interaction with the sample being arranged immediately adjacent to the ATR crystal, a wavelength dispersive element (8) being arranged in the path of the infrared light so- that the line array is adapted to measure a spectrum of the infrared light, and a wavelength filter (9) being arranged in the path of the infrared light to the single infrared light detector, wherein at least one of the infrared light detectors is chosen to be a chosen infrared light detector for a signal correction, and the ATR spectrometer is adapted to use the electrical signal of the chosen infrared light detectors to correct the electrical signals of all the other infrared light detectors.