公开(公告)号：CN1276385C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN01819046.4

申请日：2001-08-30

Applicant: ST微电子公司 ,  施鲁博格系统股份有限公司 ,  施鲁博格技术应用有限公司

Inventor： 瑟基·F·弗拉豪夫 ,  艾伦·C·波米特 ,  罗伯特·A·雷蒂尔

IPC: G06K19/07

CPC classification number: G06K19/0712 ,  G06K19/07 ,  G06K19/0707 ,  G06K19/07733

Abstract: 提供了一种多模式IC，用于在第一模式，如依照国际标准化组织7816(ISO7816)协议的ISO模式下工作，并且在第二模式，如依照通用串行总线(USB)协议的USB模式下工作。多模式IC最好是智能卡，并包括微处理器和外部接口。外部接口包括电压供应块、接地块、用于第一模式的第一块组和用于第二模式的第二块组。第一块组最好包括重启块、时钟块和依照ISO7816协议的输入/输出块，并且还可以包括依照ISO7816协议的可变供电电压块。所述IC还包括模式配置电路，用于检测第一块组中一个块上的模式条件，并根据检测结果将IC配置为ISO模式或非ISO模式。一旦该IC被配置为一种特定的模式，它将仅在一种模式下工作，直到下一个打开电源重启序列到来。

公开(公告)号：CN1257602C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN01817910.X

申请日：2001-10-23

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 伊果·宾保德

IPC: H02M3/338

CPC classification number: H02M3/3385

Abstract: 一种带有自振荡控制电路的电压转换器，它允许调节输出电压，却不需要在变压器次级绕组和控制电路之间采用电隔离元件。该电压转换器具有和用来削平电源电压的开关(6)串联的初级绕组(5)并具有和电容器(C2)连接以提供低直流电压的次级绕组(7)的变压器(4)；和控制该开关的自振荡控制电路(30)，该控制电路包括：用于检测变压器辅助绕组(8)去磁结束以闭合开关的装置(17)；用于检测开关接通状态下的电流，当电流达到设定值时，使开关断开的装置；和根据辅助绕组端上电压改变设定值的装置(20)。本发明在保持电压转换器的自振荡控制电路运行同时，获得根据所希望的额定电压调节输出电压和持续电流过载保护。

公开(公告)号：CN1773725A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN1735882A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03805182.6

申请日：2003-03-04

Applicant: ST微电子公司

Inventor： S·R·诺兹沃斯

IPC: G06F17/20

CPC classification number: H04B1/04 ,  H03M3/332 ,  H03M3/424 ,  H03M3/436

Abstract: 本发明是关于一种具有多电平量化和抖动量化器的N阶噪声整形编码器。该编码器本质上稳定并产生纯白量化误差谱。在一具体实施例中，该编码器为一阶，并且应用一改进的抖动方案，包括对抖动序列应用M倍(例如，M＝2)采样和保持，在多个时钟周期有效地保持一恒定抖动。这样有效地使量化器在一个时钟周期内不事先经过零电位跳过两个量化区间的事件减少。本发明还公开了实现成形编码器的方法。

公开(公告)号：CN1697155A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510065986.1

申请日：2005-04-19

Applicant: ST微电子公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 亚历山大·马丁 ,  戴维·比利亚努埃瓦 ,  弗雷德里克·萨尔韦蒂

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/764

Abstract: 本发明涉及一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：初始阶段，在制造有源组件(5)之前执行，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。

公开(公告)号：CN1227802C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01821076.7

申请日：2001-12-20

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 法布莱斯·基顿 ,  罗伯斯·佩泽尼

IPC: H02M1/08 ,  H01F27/28 ,  H01F27/40 ,  H03K17/723 ,  H04B3/56

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F2029/143 ,  H01L2924/19011 ,  Y10T307/937 ,  Y10T307/944

Abstract: 本发明涉及一种通过电隔离变压器的方式控制功率开关的控制电路，该变压器由绝缘衬底(20)上的平面导电线圈构成，组成驱动变压器的初级绕组的高频振荡电路的无源器件集成在该衬底上，该变压器的衬底直接置于一个极板(24)上，该极板上安装有集成了功率开关的电路芯片(40)。

公开(公告)号：CN1526202A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02813948.8

申请日：2002-06-13

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 皮耶兰杰罗·孔法洛涅里 ,  马尔科·赞普罗尼奥 ,  安杰洛·纳加里

IPC: H03M1/06

CPC classification number: H03M1/0682 ,  H03M1/468 ,  H03M1/804

Abstract: 以二进制编码加权的采样电容的第一阵列(10A′)的电容被连接在第一共同电路节点(NB+)和将要充电到相对于将要被转换信号的地(Gnd)的电压(Vin)的输入端子之间，并且根据BAR技术其被有选择地与两个差分参考端子(Vrefp，Vrefm)连接。同时，等于第一阵列并且全部与第二节点(NB－)相连的第二阵列(10B′)的电容被有选择地连接到地(Gnd)和较低差分电压端子(Vrefm)。两个节点被连接到比较器(23″)的各自输入。逻辑单元(17″)根据预定定时程序来控制两个阵列的电容的连接，并且作为比较器(23″)的输出的功能。虽然转换器是单端输入的，但它的行为类似于具有差分输入的转换器20，并且因此它对噪声具有很好的抗扰度。而且，它不需要另外的电容或特别灵敏的比较器。因此，它的特征在于低功耗和高速度，并且占据一个其作为一部分的集成电路的很小面积。

公开(公告)号：CN1481562A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN01821076.7

申请日：2001-12-20

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 法布莱斯·基顿 ,  罗伯斯·佩泽尼

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/40 ,  H03K17/723 ,  H04B3/56

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F2029/143 ,  H01L2924/19011 ,  Y10T307/937 ,  Y10T307/944

Abstract: 本发明涉及一种通过电隔离变压器的方式控制功率开关的控制电路，该变压器由绝缘衬底(20)上的平面导电线圈构成，组成驱动变压器的初级绕组的高频振荡电路的无源器件集成在该衬底上，该变压器的衬底直接置于一个极板(24)上，该极板上安装有集成了功率开关的电路芯片(40)。

公开(公告)号：CN1470074A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN01817268.7

申请日：2001-10-11

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 杰拉德·奥列尔

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/0834 ,  H01L29/747

Abstract: 本发明涉及一种具有四层结构的立式元件，它包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1)，它为该元件提供电压强度，外面围绕着第二导电类型的外围壁(2)，从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面，一个第二导电类型的、强烈掺杂的一层(3)，延伸覆盖该元件的整个后部表面。在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的一层之间，第二导电类型的、轻微掺杂的一层(21)，延伸覆盖着整个元件表面。

公开(公告)号：CN1433577A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN00818683.9

申请日：2000-08-31

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 萨尔瓦托·隆巴尔多 ,  科西莫·杰拉尔迪 ,  伊索蒂亚娜·克鲁皮 ,  马西莫·梅拉诺特

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7882 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及存储单元，它包括具有被介电层分隔开的第一电极和第二电极的电容器，其特征在于：所述介电层包含一层完全被绝缘材料包围的半绝缘材料，其中电荷持久地存在或被俘获，所述电荷被聚集在第一或第二电极附近，这取决于第一和第二电极之间的电场，因而定义不同的逻辑电平。