公开(公告)号：KR101205831B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020100110818

申请日：2010-11-09

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 주인찬 ,  신찬수 ,  배성주 ,  김동현 ,  최재혁 ,  김신근

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22

Abstract: 소자의 휘도를 떨어뜨리지 않는 전류저지층을 갖는 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판; Al, Cr, Ti 및 V으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고반사성 금속을 이용해 상기 도전성 기판 상에 형성된 전류저지층; 상기 전류저지층 양측에 형성된 복수의 p형 전극; 상기 p형 전극과 상기 전류저지층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120100000A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110018579

申请日：2011-03-02

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최재혁 ,  신찬수 ,  김동현 ,  배성주 ,  주인찬

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/145

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device array and a manufacturing method thereof are provided to minimize light output degradation generating in a symmetrical structure. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(115), an active layer(120), and a p-type semiconductor layer(125) are formed on a semiconductor substrate. A plurality of p-type electrodes(132) is formed on the p-type semiconductor layer. A conductive board(140) is formed on the plurality of p-type electrodes. A separating insulation layer is formed by dividing the n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer according to a semiconductor light emitting device. An n-type electrode(145) and an n-type pad(150) are formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件阵列及其制造方法，以使对称结构中的光输出劣化产生最小化。 构成：在半导体衬底上形成n型半导体层（115），有源层（120）和p型半导体层（125）。 在p型半导体层上形成多个p型电极（132）。 导电板（140）形成在多个p型电极上。 通过根据半导体发光器件分割n型半导体层，有源层和p型半导体层来形成分离绝缘层。 在n型半导体层上形成n型电极（145）和n型焊盘（150）。

公开(公告)号：KR1020120049523A

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：KR1020100110818

申请日：2010-11-09

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 주인찬 ,  신찬수 ,  배성주 ,  김동현 ,  최재혁 ,  김신근

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/12041

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve current spreading by using a highly reflective metal as a current blocking layer. CONSTITUTION: A current blocking layer(133) is formed on a conductive board by using a highly reflective metal. The highly reflective metal is selected from a group consisting of Al(Aluminum), Cr(Chromium), Ti(Titanium), and V(Vanadium). A plurality of P-electrode(132) is formed on both sides of the current blocking layer. A p-type semiconductor layer(125), an active layer, and an n-type semiconductor layer(115) are successively laminated on P-electrode and the current blocking layer. An N-electrode(145) is formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过使用高反射金属作为电流阻挡层来改善电流扩散。 构成：通过使用高反射金属在导电板上形成电流阻挡层（133）。 高反射性金属选自Al（Aluminium），Cr（Chromium），Ti（Titanium）和V（钒）。 多个P电极（132）形成在电流阻挡层的两侧。 P型半导体层（125），有源层和n型半导体层（115）依次层叠在P电极和电流阻挡层上。 在n型半导体层上形成有N电极（145）。

公开(公告)号：KR101411375B1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：KR1020110139021

申请日：2011-12-21

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최재혁 ,  신찬수 ,  김동현 ,  배성주 ,  주인찬

IPC: H01L33/44

Abstract: 본 발명은 누설전류 특성을 개선하기 위한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 도전성 지지층, 상기 도전성 지지층 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 p형 전극 측벽에서 누설되는 전류를 방지하기 위해서 상기 도전성 지지층과 상기 p형 전극의 사이 인접부에 형성된 패시베이션층 및 상기 p형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 수직형 발광 다이오드 제조방법은 먼저, 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 반도체층을 형성하는 1단계, 상기 p형 반도체층 상에 금속물질로 이루어진 p형 전극을 형성하는 2단계, 상기 p형 전극 상에 도전성 지지층을 접합시킨 후, 상기 기판을 제거하는 3단계, 상기 기판을 제거하여 노출된 n형 반도체층부터 상기 p형 전극까지 측벽을 수직방향으로 메사 식각하는 4단계, 상기 메사 식각하여 노출된 p형 전극 및 상기 도전성 지지층 사이 인접부에 패시베이션층을 형성하는 5단계 및 상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 6단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101294000B1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：KR1020110135976

申请日：2011-12-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 주인찬 ,  박형호 ,  임웅선 ,  최재혁 ,  신찬수 ,  고철기

IPC: H01L33/22

Abstract: 본 발명은 발광다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 또는 박막 상면에 유전체 마스크와, 유전체 마스크 상면에 임프린트 레진(Imprint resin)을 형성하고, 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형태를 포함하는 나노 요철 패턴이 형성된 임프린트 스템프(Imprint stemp)를 이용하여 임프린트 레진을 형성하여, 광 추출 효율을 증가시키는 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 임프린트 스템프를 이용한 발광다이오드 소자는 n-전극, n-전극 하면에 형성되고, 요철 패턴을 포함하는 n형 반도체층, n형 반도체층 하면에 형성되고, 정공과 전자를 발생시켜 빛을 방출하는 활성층, 활성층 하부에 형성된 p형 반도체층, p형 반도체층 하부에 형성되고, 활성층에서 발생한 빛을 반사시키는 결합 금속층, 결합 금속층 하부에 형성된 기판 또는 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, n형 반도체층은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하며, 요철 패턴은 오목한 부분의 최하부에서 최상부까지의 높이가 0.1~2.3㎛ 이고, 상기 오목한 부분의 최하부의 선폭이 0.3~3.3㎛의 범위에 속하며, 밀도는 10
7 ~10
10 개/㎠ 인 것을 특징으로 한다.
더 나아가, 요철 패턴은 수직 방향으로 좌우 대칭을 이루고, 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓으며, 상기 상부가 상기 n형 반도체층의 수직 방향으로 형성된 것을 특징으로 한다.
따라서, 발광다이오드 소자의 n형 반도체층 상면에 유전체 마스크층과 임프린트 레진을 형성하고, 임프린트 레진 상면을 임프린트 스템프로 가압하고, 열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 각뿔, 원뿔, 다각기둥 또는 원기둥 모양의 요철 패턴이 생성된 레진 패턴 층을 형성함으로써, 요철 패턴의 상부가 n형 반도체층 또는 p형 반도체층의 수직 방향으로 형성된다.
나아가, n형 반도체층은 다각뿔 또는 원뿔 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 요철 패턴을 형성하고, 요철 패턴은 수직 방향으로 좌우 대칭을 이루며, 요철 패턴의 하부가 상부보다 넓고, 상부가 n형 반도체의 수직 방향으로 형성됨으로써, 활성층에서 생성되어 n형 반도체층 요철 패턴에 부딪히는 광자의 입사각 및 반사각은 임계각보다 넓게 형성되고, 광자는 n형 반도체층을 통해 공기층으로 굴절되며, 발광다이오드 광 추출 효율이 증가하게 된다.

公开(公告)号：KR1020130071675A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：KR1020110139021

申请日：2011-12-21

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최재혁 ,  신찬수 ,  김동현 ,  배성주 ,  주인찬

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/145 ,  H01L2933/0025

Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to prevent the discharge of leakage current and interference between diode layers by forming a passivation layer on the sidewall of the vertical light emitting diode. CONSTITUTION: A conductive support layer (110) is formed on a p-type electrode (120). A p-type semiconductor layer (130) is formed on the p-type electrode. An active layer (140) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer (150) is formed on the active layer. A passivation layer (160) is formed between the conductive support layer and the p-type electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种垂直发光二极管及其制造方法，以通过在垂直发光二极管的侧壁上形成钝化层来防止漏电流的放电和二极管层之间的干扰。 构成：在p型电极（120）上形成导电支撑层（110）。 p型半导体层（130）形成在p型电极上。 在p型半导体层上形成有源层（140）。 在有源层上形成n型半导体层（150）。 在导电支撑层和p型电极之间形成钝化层（160）。

公开(公告)号：KR1020130010396A

公开(公告)日：2013-01-28

申请号：KR1020110071164

申请日：2011-07-18

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김동현 ,  배성주 ,  주인찬 ,  최재혁 ,  김경태 ,  신찬수

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode device of a current stop layer structure and a manufacturing method thereof are provided to improve the productivity of the light emitting diode device and simplify a production process by forming a current stop layer without an additional photolithography process. CONSTITUTION: An n type nitride gallium layer(102) is formed on the lower side of an n type electrode(101). An active layer(103) is formed on the lower side of the n type nitride gallium layer. A p type nitride gallium layer(104) is formed on the lower side of the active layer. A current stop layer(104b) vertically corresponds to an n type electrode region in the p type nitride gallium layer. A metal layer(106) is formed on the lower side of the current stop layer and the lower side of a p type electrode(105).

Abstract translation: 目的：提供一种电流停止层结构的垂直发光二极管器件及其制造方法，以提高发光二极管器件的生产率，并且通过在没有附加光刻工艺的情况下形成电流停止层来简化生产工艺。 构成：n型氮化镓层（102）形成在n型电极（101）的下侧。 在n型氮化镓层的下侧形成有源层（103）。 在有源层的下侧形成p型氮化镓层（104）。 电流停止层（104b）垂直对应于p型氮化镓层中的n型电极区域。 金属层（106）形成在电流停止层的下侧和p型电极（105）的下侧。

公开(公告)号：KR101205836B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020110018579

申请日：2011-03-02

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최재혁 ,  신찬수 ,  김동현 ,  배성주 ,  주인찬

IPC: H01L33/36

Abstract: 한정된 크기의 실장용 기판에 더 많은 수의 반도체 발광 소자를 실장할 수 있도록 하는 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자 어레이는, p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 삽입된 반도체 물질의 활성층을 포함하는 수직형 반도체 발광 소자가 행 방향으로 두 개 배치되면서 하나의 n형 패드를 서로 공유하도록 구성된 단위 어레이가 상기 행방향을 따라 1개 이상 배치되는 비대칭 반도체 발광 소자 어레이이다. 본 발명에 따르면, 전류 집중 현상을 감소시키고 전류 퍼짐 효과는 극대화할 수 있다.