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公开(公告)号：KR101364741B1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120076379
申请日：2012-07-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법은 기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 성장시키는 단계와, 상기 발광 구조물 상에 도전성 지지층을 형성하는 단계와, 상기 발광 구조물에서 상기 기판을 분리하는 단계와, 상기 도전성 지지층에서부터 상부에 위치한 n형 반도체층 상에 선택적으로 n형 반도체층이 노출되도록 마스크층을 형성하고 패터닝하는 단계와, 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 습식 식각 시 식각속도가 상대적으로 낮아지도록 표면 처리하는 단계와, 상기 마스크층을 제거하는 단계와, 상기 n형 반도체층을 습식 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성함과 동시에 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 부가적인 구조가 패터닝된 표면 처리에 의해 형성되는 단계를 포함함으로써, 습식 식각 시 식각속도를 줄여서 통상적인 습식 식각 공정에서 형성되는 요철 구조에 부가적인 구조가 습식 식각 공정에서 형성되도록 하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101374611B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120038623
申请日：2012-04-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 소자 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법은 노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 포지티브 감광막을 도포하는 단계와, 상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계와, 상기 제2 전극이 형성된 영역의 감광막이 남고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 반도체층 상부 표면이 노출되도록 감광막을 현상하는 단계와, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계와, 상기 감광막을 제거하는 단계와, 상기 제2 전극의 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계와, 상기 투명기판을 분리하는 단계와, 제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크 정렬 단계 없이 전류 저지층을 형성하여 공정의 단순화 및 신뢰성을 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130116114A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120038623
申请日：2012-04-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a vertical structured light emitting diode device is provided to prevent a current spreading effect by forming a minute current blocking layer. CONSTITUTION: A current blocking layer (70) is formed in a semiconductor layer region. A photoresist layer is removed. A conductive support layer (80) is formed in the upper surface of the current blocking layer and the upper surface of a second electrode. A transparent substrate is separated. A first electrode (90) is formed on a first electrode formation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造垂直结构的发光二极管器件的方法，以通过形成微小电流阻挡层来防止电流扩散效应。 构成：在半导体层区域中形成电流阻挡层（70）。 去除光致抗蚀剂层。 导电支撑层（80）形成在电流阻挡层的上表面和第二电极的上表面上。 分离透明基板。 第一电极（90）形成在第一电极形成层上。
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公开(公告)号：KR1020130068667A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110135976
申请日：2011-12-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a light emitting diode using an imprint stamp is provided to increase light extraction efficiency by forming a concave-convex pattern on the upper part of an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(105) including a concave-convex pattern is formed on the lower side of an n-electrode(106). An active layer(104) emitting light is formed on the lower side of the n-type semiconductor layer. A p-type semiconductor layer(103) is formed on the lower part of the active layer. A combination metal layer(102) reflecting the light generated in the active layer is formed on the lower part of the p-type semiconductor layer. A substrate or a thin film(101) is formed on the lower part of the combination metal layer.
Abstract translation: 目的：提供使用压印印模的发光二极管的制造方法，以通过在n型半导体层或p型半导体层的上部形成凹凸图案来提高光提取效率。 构成：在n电极（106）的下侧形成有包含凹凸图案的n型半导体层（105）。 在n型半导体层的下侧形成发光的有源层（104）。 在有源层的下部形成p型半导体层（103）。 反射在有源层中产生的光的组合金属层（102）形成在p型半导体层的下部。 在组合金属层的下部形成有基板或薄膜（101）。
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公开(公告)号：KR1020140010535A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120076379
申请日：2012-07-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a vertical light emitting diode. The method for manufacturing a vertical light emitting diode of the present invention comprises the steps of growing a light emitting structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on a substrate; forming a conductive support layer on the light emitting structure; separating the substrate from the light emitting structure; forming and patterning a mask layer so that the n-type semiconductor layer can be selectively exposed on the n-type semiconductor layer located at the upper part from the conductive support layer; treating the surface so that the etching speed can be relatively lowered when performing wet etching in the selectively exposed n-type semiconductor layer region; removing the mask layer; and forming an additional structure in the selectively exposed n-type semiconductor region by the patterned surface treatment while forming a concavo-convex structure by etching the n-type semiconductor layer in a wet etching manner, thereby improving light extraction efficiency by reducing etching speed when performing the wet etching process so that the additional structure can be formed as well as the concavo-convex structure formed in the conventional wet etching process.
Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管的制造方法。 本发明的垂直发光二极管的制造方法包括在衬底上生长包括n型半导体层，有源层和p型半导体层的发光结构的步骤; 在所述发光结构上形成导电支撑层; 将衬底与发光结构分离; 形成和图案化掩模层，使得n型半导体层可以选择性地暴露在位于上部的位于导电支撑层的n型半导体层上; 处理该表面，使得在选择性暴露的n型半导体层区域中进行湿蚀刻时，蚀刻速度可以相对降低; 去除掩模层; 并且通过图案化表面处理在选择性暴露的n型半导体区域中形成附加结构，同时通过以湿蚀刻方式蚀刻n型半导体层而形成凹凸结构，从而通过降低蚀刻速度来提高光提取效率 进行湿蚀刻处理，以便可以形成附加结构以及在常规湿蚀刻工艺中形成的凹凸结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101335614B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120076381
申请日：2012-07-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/36 , H01L2933/0091
Abstract: The present invention relates to a vertical light emitting diode element and a manufacturing method thereof. The vertical light emitting diode element given in the present invention includes a conductive support layer; a light emitting structure which includes a p-type semiconductor layer , an active layer, and an n-type semiconductor layer of a bumpy structure which are formed on the conductive support layer in order; a p-type electrode which is formed to be electrically connected to the p-type semiconductor layer between the conductive support layer and the p-type semiconductor; and an n-type electrode which is formed on the n-type semiconductor layer. The bumpy structure of the n-type semiconductor layer under the n-type electrode is finer than the bumpy structure of the n-type semiconductor layer, which is not covered by the n-type electrode. By doing so, even if the thickness of the electrode is reduced, the characteristics can be maintained at the same or higher level compared to the existing case where the wiring resistance of a first electrode is formed on a big bump in the light emitting area.
Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管元件及其制造方法。 本发明中给出的垂直发光二极管元件包括导电支撑层; 发光结构，其包括依次形成在导电支撑层上的p型半导体层，有源层和颠簸结构的n型半导体层; p型电极，形成为与导电性支持层和p型半导体之间的p型半导体层电连接; 以及形成在n型半导体层上的n型电极。 n型电极下面的n型半导体层的颠簸结构比n型半导体层的凹凸结构更细，n型半导体层未被n型电极覆盖。 通过这样做，即使电极的厚度减小，与在发光区域中的大凸块上形成第一电极的布线电阻的现有情况相比，也可以将特性维持在相同或更高的水平。
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公开(公告)号：KR101244953B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110071164
申请日：2011-07-18
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/14
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 소자의 n형 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 p형 질화갈륨층의 절연성을 p형 전극을 형성한 후 자기정렬 방식으로 선택적으로 증대시켜 전극 특성의 저하를 방지하고, 추가적인 공정 없이 전류 저지층을 형성하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 전극, n형 전극 하면에 형성된 n형 질화갈륨층, n형 질화갈륨층 하면에 형성된 활성층, 활성층 하면에 형성된 p형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층에서 n형 전극의 영역과 수직적으로 대응되도록 형성된 전류 저지층, p형 질화갈륨층 하면에 n형 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 전류 저지층 영역 이외의 영역에 선택적으로 형성된 p형 전극, p형 전극 하면과 전류 저지층 하면에 형성된 금속층 및 금속층 하면에 형성된 도전성 지지층 을 포함하는 전 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101220407B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020100127504
申请日：2010-12-14
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 전류 확산 효과가 높도록 큰 두께를 갖지만 광 흡수는 적은 n형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며, 상기 n형 반도체층은 상기 n형 전극과 인접하며 도핑 농도가 상대적으로 높은 고농도층과 상기 고농도층 아래에 도핑 농도가 상대적으로 낮은 저농도층을 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体发光器件，其包括具有大厚度的n型半导体层，以便具有高电流扩散效应但光吸收小。 根据本发明的半导体发光器件包括：导电衬底; 形成在导电衬底上的p型电极; 一种发光结构，包括依次堆叠在所述p型电极上的p型半导体层，有源层和n型半导体层; 和形成在所述n型半导体层上的n型电极包括n型半导体层邻接于n型电极，而相对高的高浓度层和所述高密度层下面的掺杂剂浓度的掺杂浓度相对低 还有一个低浓度层。
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公开(公告)号：KR1020120066257A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127504
申请日：2010-12-14
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/14
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to improve light extraction efficiency by thickening an n type semiconductor layer to improve a current diffusion effect. CONSTITUTION: A p type electrode(135) is formed on a conductive substrate(140). A light emitting structure is formed on the p type electrode and includes a p type semiconductor layer(125), an active layer(120), and an n type semiconductor layer(115). The n type semiconductor layer includes a high density layer(115a) and a low density layer(115b,115c). An n type electrode(145) is formed on the n type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件，以通过增加n型半导体层来提高光提取效率，从而提高电流扩散效应。 构成：在导电基板（140）上形成p型电极（135）。 在p型电极上形成发光结构，包括p型半导体层（125），有源层（120）和n型半导体层（115）。 n型半导体层包括高密度层（115a）和低密度层（115b，115c）。 n型电极（145）形成在n型半导体层上。
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公开(公告)号：KR101303015B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120038635
申请日：2012-04-13
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a vertical type light emitting diode element is provided to simplify processes by forming a current stop layer and an etch stop layer at the same time. CONSTITUTION: A semiconductor layer is successively laminated on a transparent substrate. A second electrode (50) is formed in the upper surface of the semiconductor layer. A second electrode formation layer (40) region vertically corresponds to a first electrode region. The second electrode and the front surface of the semiconductor layer are covered with a positive photoresist layer. An etch stop layer (74) is formed on an element isolation region.
Abstract translation: 目的：提供用于制造垂直型发光二极管元件的方法，以通过同时形成电流停止层和蚀刻停止层来简化工艺。 构成：将半导体层依次层叠在透明基板上。 第二电极（50）形成在半导体层的上表面。 第二电极形成层（40）区域垂直对应于第一电极区域。 第二电极和半导体层的前表面被正性光致抗蚀剂层覆盖。 在元件隔离区域上形成蚀刻停止层（74）。
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