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公开(公告)号：CN105813778A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067567.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22D11/06 , B22D11/00 , B22D11/108 , B22D11/11 , B22D11/12
Abstract: 本发明的铜铸块通过带式连铸机铸造，所述铜铸块的碳含量设为1质量ppm以下，氧含量设为10质量ppm以下，氢含量设为0.8质量ppm以下，磷含量设为15质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，还具有由含有碳、磷及Cu的氧化物构成的夹杂物。
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公开(公告)号：CN102349157B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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公开(公告)号：CN102197488B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980141877.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。
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公开(公告)号：CN111836913A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018145.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105473760A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046016.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用，含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn、0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN105473758A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN104342574A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410347611.3
申请日：2014-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D7/005 , B22D11/004 , B22D11/108 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , H01J37/3491
Abstract: 本发明的铜合金溅射靶由铜合金构成，所述铜合金中，Ca的含量为0.3质量％～1.7质量％、Mg和Al的总含量为5质量ppm以下、氧的含量为20质量ppm以下、余量为Cu和不可避免的杂质。本发明的铜合金溅射靶的制造方法具有：准备纯度99.99质量％以上的铜的工序；惰性气体气氛或还原性气体气氛中，在坩埚内高频熔解所述铜而得到熔融铜的工序；在所述熔融铜中添加纯度98.5质量％以上的Ca并使其熔解而进行成分调整，以使其成为具有规定的成分组成的熔融金属的工序；将具有所述规定的成分组成的熔融金属在冷却的铸模中铸造而得到铸块的工序；及对所述铸块进行热轧后，进行消除应力退火的工序。
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公开(公告)号：CN102349157A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200980157928.8
申请日：2009-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , C22C9/01 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al：1～10%、Ca：0.1～2%，并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有：经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离的漏电极层和源电极层构成的布线层、钝化层以及透明电极层，上述阻挡层是使用上述Cu合金溅射靶在氧化气氛中溅射成膜而成的。
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