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公开(公告)号：CN103958727B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280058004.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H01L51/5218 , H05B33/26
Abstract: 本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN118339317A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280072673.0
申请日：2022-12-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 提供一种具有较高的导电率及优异的耐热性的铜合金异型带材，其在与长度方向正交的截面上具备厚度互不相同的厚部及薄部，其中，所述铜合金异型带材具有Mg的含量在超过10质量ppm且低于1.2质量％的范围内、P的含量在0质量ppm以上且200质量ppm以下的范围内、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，导电率为48％IACS以上，所述厚部的耐热温度T1为260℃以上，所述薄部的耐热温度T2为240℃以上，并且0.9＜T1/T2＜1.25，所述厚部的小倾角晶界比率B1为80％以下，所述薄部的小倾角晶界比率B2为80％以下，并且0.8＜B1/B2＜1.2，相对于高斯取向{011}＜100＞具有10°以内的晶体取向的晶体的面积比率在所述厚部及所述薄部中各自为1％以上。
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公开(公告)号：CN114207166B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202080054912.0
申请日：2020-08-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种铜合金板，其在板厚方向的中心部含有超过2.0％(质量％、以下相同)且32.5％以下的Zn、0.1％以上且0.9％以下的Sn、0.05％以上且小于1.0％的Ni、0.001％以上且小于0.1％的Fe、0.005％以上且0.1％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述铜合金板的表面处的表面Zn浓度为中心部的中心Zn浓度的60％以下，所述铜合金板具有从表面到Zn浓度成为中心Zn浓度的90％为止的深度的表层部，关于表层部，从表面朝向板厚方向的中心部，以10质量％/μm以上且1000质量％/μm以下的浓度梯度增加Zn浓度。
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公开(公告)号：CN115735014A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046181.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S为10质量ppm以下，P为10质量ppm以下，Se为5质量ppm以下，Te为5质量ppm以下，Sb为5质量ppm以下，Bi为5masppm以下，As为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN113316655B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201980086408.6
申请日：2019-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种铜合金板，在板厚方向的厚度中心部包含0.3质量％以上且1.2质量％以下的Mg及0.001质量％以上且0.2质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，板表面的Mg浓度为所述厚度中心部的块体Mg浓度的30％以下，具备具有从所述板表面起至Mg浓度为所述块体Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部中，Mg浓度从所述板表面朝向所述厚度中心部以1.8质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614258B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080019903.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提高了降低接触电阻的镀膜与含有Mg的铜合金板的密接性。一种铜合金板，在板厚方向的中心部包含超过1.2质量％且2质量％以下的Mg，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，表面处的表面Mg浓度为所述板厚方向的所述中心部的中心Mg浓度的0％以上且30％以下，具有从所述表面起至Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部，Mg浓度从所述表面向所述板厚方向的所述中心部，以0.2质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
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公开(公告)号：CN104995329A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480004353.7
申请日：2014-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/0021
Abstract: 一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
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公开(公告)号：CN103298970B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201280003192.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN115735018B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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公开(公告)号：CN115917023A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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