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公开(公告)号：CN109979867B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201711444690.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶片传输方法，在进行传输之前，进行第一腔室和第二腔室的气压的控制，使得当前放置腔室的气压值大于目的的气压值，进而，打开门阀，将晶片从当前放置腔室传输至目的腔室。该方法中，晶片所在的腔室中的气压高于待传送的腔室，在传送过程中，晶片处于高压一侧，使得晶片始终位于气流的上方位，这样，气密门阀的密封结构与反应腔室摩擦产生小的悬浮颗粒，不会随着气流流向晶片，避免了悬浮颗粒流向晶片，降低传输中的颗粒对晶片的污染。
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公开(公告)号：CN113838732B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010515811.0
申请日：2020-06-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置的聚焦环升降机构，聚焦环升降机构位于一真空反应腔内，真空反应腔内底部设置一载台，载台包括基座和基座上方的静电夹盘，一聚焦环环绕设置于载台外周；聚焦环升降机构包括驱动杆和驱动驱动杆升降的驱动源，基座下方设置一屏蔽环，驱动源设置于屏蔽环内部，驱动杆贯穿基座至聚焦环下方以实现聚焦环的升降。本申请通过设置驱动杆和用于使得驱动杆升降的驱动源，实现了聚焦环的自动升降，聚焦环因此可以升降到一定位置后从用于取放基片的传片口中取出，整个过程简单方便。
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公开(公告)号：CN113013008A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911318771.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电感耦合型等离子处理设备及其盖体、介电窗温控方法。用于电感耦合型等离子处理设备的盖体固定在介电窗上且对应所述介电窗的一面形成沟槽，所述沟槽用于容纳流体。本发明通过沟槽中的流体对介电窗进行控温，以达到控温精度高且稳定的功效。
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公开(公告)号：CN109979867A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711444690.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶片传输方法，在进行传输之前，进行第一腔室和第二腔室的气压的控制，使得当前放置腔室的气压值大于目的的气压值，进而，打开门阀，将晶片从当前放置腔室传输至目的腔室。该方法中，晶片所在的腔室中的气压高于待传送的腔室，在传送过程中，晶片处于高压一侧，使得晶片始终位于气流的上方位，这样，气密门阀的密封结构与反应腔室摩擦产生小的悬浮颗粒，不会随着气流流向晶片，避免了悬浮颗粒流向晶片，降低传输中的颗粒对晶片的污染。
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