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公开(公告)号：CN106937474B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201511012715.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种电感耦合等离子处理器，包括：反应腔侧壁以及位于反应腔侧壁上方的绝缘材料窗共同围绕构成反应腔，反应腔内包括一基座，待处理基片固定到基座上方，绝缘材料窗上方包括射频感应装置；所述电感线圈装置通过一个第一匹配器联通到第一射频电源；其特征在于所述电感线圈装置包括第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，其中所述电感线圈装置与绝缘材料窗之间包括一屏蔽板，在电感线圈装置第一部分对应下方的屏蔽板具有第一开口率，在电感线圈装置第二部分对应下方的屏蔽板具有第二开口率，其中第一开口率大于第二开口率。
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公开(公告)号：CN110137069A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910406800.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Inventor： 周旭升
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种控制反应气体进入真空反应腔的方法，所述方法包括：提供一刻蚀气体源和一沉积气体源，在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置，在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门，每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置，另一控制阀门与真空反应腔相连；控制所述流量控制装置在小于1秒的时间内在高、低气体流量状态之间切换；当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时，控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭，同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间，以避开反应气体的激增状态。
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公开(公告)号：CN107665800B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610607371.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压检测电路耦合到所述下电极以获偏置电压测得值，一个工艺参数控制器，其特征在于，还包括一个控制信号转换器，所述控制信号转换器包括第一输入端连接到所述偏置电压检测电路，一个第二输入端连接到所述工艺参数控制器，一个输出端连接到所述射频电源，所述控制信号转换器将所述工艺参数控制器输出的偏置电压设定值转换为输出功率数值输出到所述射频电源。
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公开(公告)号：CN113990730A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010731384.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法；气流调节盖包含顶盖、环形的底盘、两者之间至少一层环形的板体；顶盖与板体之间的空隙、相邻板体之间的空隙、板体与底盘之间的空隙，分别形成环形侧向通道，使抽气通道内的气体，得以由位置较低的边缘区域流向位置较高的内侧区域，再流向底盘中间的开口，之后进入气流调节阀的开口并被排气泵抽走。至少各板体的底面为向下向外倾斜的斜面，能对下游返回的冲击气流及其携带的杂质颗粒等进行阻挡。在通过改变气流调节阀的阀板开度，对反应腔进行压力转换的过程中，本发明可以实现良好的压力控制，减少压力波动，使气流调节更稳定均匀，有效阻止杂质颗粒等随冲击气流反弹。
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公开(公告)号：CN110137069B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910406800.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Inventor： 周旭升
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种控制反应气体进入真空反应腔的方法，所述方法包括：提供一刻蚀气体源和一沉积气体源，在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置，在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门，每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置，另一控制阀门与真空反应腔相连；控制所述气体流量控制装置在小于1秒的时间内在高、低气体流量状态之间切换；当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时，控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭，同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间，以避开反应气体的激增状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013008B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201911318771.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种电感耦合型等离子处理设备及其盖体、介电窗温控方法。用于电感耦合型等离子处理设备的盖体固定在介电窗上且对应所述介电窗的一面形成沟槽，所述沟槽用于容纳流体。本发明通过沟槽中的流体对介电窗进行控温，以达到控温精度高且稳定的功效。
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公开(公告)号：CN113990730B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010731384.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法；气流调节盖包含顶盖、环形的底盘、两者之间至少一层环形的板体；顶盖与板体之间的空隙、相邻板体之间的空隙、板体与底盘之间的空隙，分别形成环形侧向通道，使抽气通道内的气体，得以由位置较低的边缘区域流向位置较高的内侧区域，再流向底盘中间的开口，之后进入气流调节阀的开口并被排气泵抽走。至少各板体的底面为向下向外倾斜的斜面，能对下游返回的冲击气流及其携带的杂质颗粒等进行阻挡。在通过改变气流调节阀的阀板开度，对反应腔进行压力转换的过程中，本发明可以实现良好的压力控制，减少压力波动，使气流调节更稳定均匀，有效阻止杂质颗粒等随冲击气流反弹。
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公开(公告)号：CN112916506B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201911241881.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种涡轮泵清洗装置及清洗方法、真空处理装置，所述涡轮泵清洗装置包括隔绝装置、通气管路和吸尘装置，通过对涡轮泵设置外部清洗设备，与涡轮泵进行连接，采用隔绝装置将涡轮泵与其所在工艺腔体之间进行气体隔绝，使得涡轮泵内形成封闭腔体，然后通过通气管路为封闭腔体通入气体，气体在涡轮泵内流动，对涡轮泵内部实施清扫，然后通过吸尘装置将清扫后的气体吸走，完成对涡轮泵的清洗。由于所述涡轮泵清洗装置使用时，仅需要与涡轮泵进行连接即可，从而能够在一定时间段内对涡轮泵进行清洗，无需通过拆卸涡轮泵实施清洗，而当清洗一段时间后，再采用拆卸方式进行涡轮泵的清洗，从而避免了多次拆卸，造成的人力、成本的浪费。
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公开(公告)号：CN113838732A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515811.0
申请日：2020-06-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置的聚焦环升降机构，聚焦环升降机构位于一真空反应腔内，真空反应腔内底部设置一载台，载台包括基座和基座上方的静电夹盘，一聚焦环环绕设置于载台外周；聚焦环升降机构包括驱动杆和驱动驱动杆升降的驱动源，基座下方设置一屏蔽环，驱动源设置于屏蔽环内部，驱动杆贯穿基座至聚焦环下方以实现聚焦环的升降。本申请通过设置驱动杆和用于使得驱动杆升降的驱动源，实现了聚焦环的自动升降，聚焦环因此可以升降到一定位置后从用于取放基片的传片口中取出，整个过程简单方便。
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公开(公告)号：CN112916506A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911241881.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种涡轮泵清洗装置及清洗方法、真空处理装置，所述涡轮泵清洗装置包括隔绝装置、通气管路和吸尘装置，通过对涡轮泵设置外部清洗设备，与涡轮泵进行连接，采用隔绝装置将涡轮泵与其所在工艺腔体之间进行气体隔绝，使得涡轮泵内形成封闭腔体，然后通过通气管路为封闭腔体通入气体，气体在涡轮泵内流动，对涡轮泵内部实施清扫，然后通过吸尘装置将清扫后的气体吸走，完成对涡轮泵的清洗。由于所述涡轮泵清洗装置使用时，仅需要与涡轮泵进行连接即可，从而能够在一定时间段内对涡轮泵进行清洗，无需通过拆卸涡轮泵实施清洗，而当清洗一段时间后，再采用拆卸方式进行涡轮泵的清洗，从而避免了多次拆卸，造成的人力、成本的浪费。
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