公开(公告)号：CN101192520B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710194088.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN101815816A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110221.7

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  吉田浩章 ,  弘田龙 ,  藤原伸介 ,  田中晴子

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。

公开(公告)号：CN101503824A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910005871.1

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1－xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2－0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1－xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm－1或更小。

公开(公告)号：CN101351579A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200780001063.7

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1－xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1－xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1－yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。

公开(公告)号：CN100342557C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410032570.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中村孝夫 ,  森大树 ,  片山浩二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n-型ZnMgSSe覆盖层(3)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p-型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。

公开(公告)号：CN102414796B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN101503824B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910005871.1

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1-xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm-1或更小。

公开(公告)号：CN102422387A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020518.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的SiC层(20)。由此，碳化硅衬底1是能够有效使用碳化硅单晶的碳化硅衬底。

公开(公告)号：CN101351579B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780001063.7

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1-xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1-yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。

公开(公告)号：CN102016135A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。