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公开(公告)号：CN102237285A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167364.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。
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公开(公告)号：CN102117770A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010537781.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。
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公开(公告)号：CN112723299B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010460046.7
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种微机电系统MEMS结构，其包含：装置衬底，其具有第一区及不同于所述第一区的第二区；罩盖衬底，其经接合于所述装置衬底上方；第一腔，其在所述第一区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第一腔具有第一腔压力；第二腔，其在所述第二区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第二腔具有低于所述第一腔压力的第二腔压力；钝化层，其在所述第一腔中；释气材料，其在所述钝化层上方，其中所述释气材料包括顶表面及经暴露到所述第一腔的侧壁。
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公开(公告)号：CN112141995B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010090792.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构，所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。内连结构上覆在衬底上。微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
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公开(公告)号：CN111762753B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910629444.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法，所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107445134A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710244191.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81B2201/0228 , B81C1/00261
Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
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公开(公告)号：CN102530851B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110082943.X
申请日：2011-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B32B7/12 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/24 , B32B2307/746 , B32B2457/00 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , Y10T428/12674 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12986
Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
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公开(公告)号：CN103245612B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210194919.X
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N21/55 , G01N21/01 , G01N21/253 , G01N27/327 , G01N33/483 , G01N2021/0106 , G01N2201/0636
Abstract: 一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。
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公开(公告)号：CN103245612A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210194919.X
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N21/55 , G01N21/01 , G01N21/253 , G01N27/327 , G01N33/483 , G01N2021/0106 , G01N2201/0636
Abstract: 一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。
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公开(公告)号：CN102556945A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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