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公开(公告)号：CN100582324C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580027729.7
申请日：2005-09-05
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。
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公开(公告)号：CN101415868A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012537.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101006207A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027729.7
申请日：2005-09-05
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。
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公开(公告)号：CN118632950A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202280071446.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供翘曲的发生得以抑制的III族元素氮化物基板。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物基板为具有相互对置的第一主面及第二主面的III族元素氮化物基板，其中，在所述第一主面，位于中央部的第一部位的结晶性比位于比所述第一部位靠外侧的位置的第二部位的结晶性高。所述第二部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W2可以比所述第一部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W1宽。
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公开(公告)号：CN108699727B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201780005781.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886368A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN107208312A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680004629.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。
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公开(公告)号：CN107002285A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065216.9
申请日：2015-10-07
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 结晶培养装置包括：耐压容器、设置于耐压容器的内侧的多个支撑台、分别载置于各支撑台上的内侧容器、分别收纳在各内侧容器中的培养容器、对培养容器进行加热的加热设备、以及连接于多个支撑台的中央旋转轴。中央旋转轴和各反应容器的各中心轴相分离。在培养容器中收纳晶种、13族元素原料及助熔剂，在对培养容器进行加热而生成熔液、同时将含氮气体供给到熔液而使13族元素氮化物结晶生长时，使中央旋转轴进行旋转。
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公开(公告)号：CN107002284A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064055.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , C23C16/01 , C23C16/303 , C23C16/4418 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/007
Abstract: 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。
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公开(公告)号：CN106068340A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580003750.7
申请日：2015-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406
Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。
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