Patent search ap:("日立化成工业株式会社") AND inv:"稻田祯一" Page 2

11.

发明授权
树脂成形材料有权

公开(公告)号：CN101300308B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200680041370.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 彼谷美千子 , 小田宽人 , 稻田祯一

IPC: C08L101/00 , C08L61/06 , C08K3/00 , C08K7/06 , C08K7/14 , C08K7/18 , F16D69/02

CPC classification number: C08J5/10 , C08J5/042 , C08J2361/06 , C08K3/04 , C08K7/14 , C08K7/18

Abstract: 本发明涉及一种树脂成形材料，其可以改善因无机物、特别是玻璃纤维等产生的磨损粉而引起的耐磨损性降低，在维持良好的机械强度的同时，耐磨损性卓越突出。提供一种含有树脂、碳素材料和无机物的树脂成形材料，其碳素材料含有附着性碳素材料。

12.

发明公开
导电性接合材料、采用它的接合方法、以及由其接合的半导体装置无效复审申请

公开(公告)号：CN101875158A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010171726.3

申请日：2010-04-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 保田雄亮 , 守田俊章 , 井出英一 , 稻田祯一

IPC: B23K35/22

CPC classification number: B22F1/0074 , C22C1/05 , H01B1/22 , H01L21/565 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/15 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/34 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05655 , H01L2224/27334 , H01L2224/29005 , H01L2224/2901 , H01L2224/29078 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29163 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29173 , H01L2224/29176 , H01L2224/29178 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29338 , H01L2224/29339 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/2936 , H01L2224/29363 , H01L2224/29364 , H01L2224/29366 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/29381 , H01L2224/29384 , H01L2224/29387 , H01L2224/29893 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48739 , H01L2224/48755 , H01L2224/48839 , H01L2224/48855 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/832 , H01L2224/8384 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/0541 , H01L2924/0501 , H01L2924/00014 , H01L2924/01001 , H01L2924/01018 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/2076 , H01L2924/01202 , H01L2224/83205

Abstract: 本发明提供导电性接合材料、采用它的接合方法、以及由其接合的半导体装置，与采用平均粒径100nm以下的金属粒子的接合用材料相比，提供在接合界面通过金属结合加以接合，在较低温、不加压下实现接合强度提高的接合用材料、接合方法。以(A)银粒子、(B)氧化银、(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂作为必须成分的全导电性接合材料中，(A)银粉与(B)氧化银粉与(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂的合计达到99.0～100重量％。即，不含作为粘接剂的树脂。

13.

发明授权
半导体装置、粘合剂和双面粘合膜失效

公开(公告)号：CN1837317B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510005629.6

申请日：1997-10-08

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 山本和德 , 岛田靖 , 神代恭 , 稻田祯一 , 栗谷弘之 , 金田爱三 , 富山健男 , 野村好弘 , 细川羊一 , 桐原博 , 景山晃

IPC: C09J163/00 , C09J7/00 , H01L23/12

CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/50 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明以提高半导体装置装配后的耐温度循环性，同时提高耐吸湿回流性为目的，提供一种粘合剂、使用该粘合剂的双面粘合膜、半导体装置、半导体芯片装载用基板和它们的制造方法，所说的粘合剂是在把半导体芯片装载到有机系支持基板上时使用的粘合剂，其用动态粘弹性测定装置测定的25℃的储存弹性模量为10～2000MPa且在260℃时的储存弹性模量为3～50MPa。

14.

发明授权
粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN100582190C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200580011773.9

申请日：2005-04-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 稻田祯一 , 增野道夫 , 宇留野道生 , 岩仓哲郎

IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , H01L21/301

CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为-50～50℃的高分子量成分15～40重量%、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量%；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。

15.

发明公开
粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法失效

公开(公告)号：CN101362926A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810165821.5

申请日：2004-06-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 稻田祯一 , 增野道夫 , 宇留野道生

IPC: C09J7/02 , C09J163/00 , C09J133/04 , H01L21/00 , H01L21/58 , H01L21/78 , H01L21/301

CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27

Abstract: 本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。

16.

发明公开
粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN1942546A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011773.9

申请日：2005-04-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 稻田祯一 , 增野道夫 , 宇留野道生 , 岩仓哲郎

IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , H01L21/301

CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为－50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。

17.

发明公开
粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法失效

公开(公告)号：CN1799126A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015569.X

申请日：2004-06-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 稻田祯一 , 增野道夫 , 宇留野道生

IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , H01L21/52

CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27

Abstract: 本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。

18.

发明公开
生产多层印刷电路板的方法失效

公开(公告)号：CN1136758A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN95121131.5

申请日：1995-12-21

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 中祖昭士 , 津山宏一 , 大塚和久 , 荻野晴夫 , 田村义广 , 稻田祯一 , 山本和德 , 木田明成 , 高桥敦之 , 靏义之 , 有家茂晴

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/4652 , H05K3/0055 , H05K3/025 , H05K3/381 , H05K2201/0209 , H05K2203/063 , H05K2203/0773 , H05K2203/0789 , H05K2203/0793 , H05K2203/0796

Abstract: 一种生产多层印刷电路板的方法，包括在至少含有铜箔与绝缘半固化粘合剂层的复合膜材料上铝凿用于通路孔的小孔，将形成的膜材料层压于内层电路基片上，建立内层电路与外层铜箔之间的电连接，当粗化处理流入孔的粘合剂树脂时，或当采用其中形成于载体之上的铜箔厚度小于12微米的复合膜材料时，或者当一种特定衬垫材料被进一步层压在内层电路基片与膜材料的层压材料上时，电连接可靠性得到增强并且可以借助简易步骤增大电路密度。

19.

发明授权
评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法失效

公开(公告)号：CN102192921B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110047399.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 长谷部健彦 , 加藤薰子 , 山口欣秀 , 西龟正志 , 松岛直树 , 稻田祯一 , 山本礼 , 天明浩之 , 池田宇亨

IPC: G01N25/00 , H01L23/544 , H01L23/58

CPC classification number: H01L25/0657 , G01R31/2874 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言，本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠：由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种；以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板，且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接，将金属配线膜(102)与电源电连接，提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。