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公开(公告)号:CN103257527B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201310088478.X
申请日:2009-07-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/106 , C08G73/1082 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/20 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J9/00 , C09J163/00 , C09J179/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2479/00 , C09J2479/08 , G03F7/0387 , G03F7/0388 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/274 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/24479 , Y10T428/2809 , Y10T428/31504 , H01L2924/07025 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种感光性粘接剂组合物,其含有(A)热塑性树脂、(B)热固性树脂、(C)放射线聚合性化合物和(D)光引发剂,所述(C)放射线聚合性化合物包含具有乙烯性不饱和基团和环氧基的化合物。
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公开(公告)号:CN111418044A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201880077311.4
申请日:2018-11-29
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J4/00 , C09J7/30 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法,其具备:准备工序,准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体;以及分离工序,对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
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公开(公告)号:CN104412369B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201380033462.7
申请日:2013-06-26
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J179/08 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J179/08 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法,其具备以下工序:在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20),将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序;对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序;和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序;并且,作为半导体晶片,使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片,在临时固定工序中,在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。
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