公开(公告)号：CN104465683A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410464691.0

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 樱野胜之 ,  渡边博文 ,  根来宝昭 ,  爱须克彦 ,  米田和洋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及具备在半导体基板上排列光电转换元件形成的图像传感器的半导体装置，其目的在于，防止半导体装置中相邻光电转换元件之间发生光电荷混同，实现结构细微化。在本发明的半导体装置中，半导体基板(101)上排列包含PN光电转换元件(119)以及三极管(121)在内的像素(103)，形成图像传感器，其中，相邻PN光电转换元件(119)周围的半导体基板(101)上形成沟槽(123)，在接触该沟槽(123)底部的半导体基板(101)上形成杂质扩散层(129)。

公开(公告)号：CN103308177A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310165407.5

申请日：2013-03-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 长久武 ,  爱须克彦 ,  渡边博文

IPC: G01J5/00 ,  G01V8/10

CPC classification number: G01J5/02 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/46 ,  G01J5/0025 ,  G01J5/10

Abstract: 一种红外传感器装置包括：多个红外传感器，提供在其中红外接收区域在一个平面内被径向划分的多个分割区域中；检测器，基于红外传感器的输出检测每个分割区域的红外接收区域中存在或者不存在物体的移动；和确定器，在红外接收区域的分割区域的队列中，基于在其中检测到物体的移动的分割区域的布置模式，确定该物体是否在距离红外传感器预定距离范围的检测区域中。

公开(公告)号：CN106331538B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201610497324.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之

IPC: H04N5/369

Abstract: 光电转换装置包括光电转换单元和基极电势设置单元，该光电转换单元包括光电晶体管，该光电晶体管具有集电极区、发射极区和基极区以根据到所述光电晶体管的入射光的强度产生输出电流；并且该基极电势设置单元被配置来建立光电晶体管的基极电势使得来自光电转换单元的输出电流等于预定的电流值。

公开(公告)号：CN105590972B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201510765679.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  爱须克彦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14681 ,  H01L27/14612

Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN106331538A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610497324.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之

IPC: H04N5/369

Abstract: 光电转换装置包括光电转换单元和基极电势设置单元，该光电转换单元包括光电晶体管，该光电晶体管具有集电极区、发射极区和基极区以根据到所述光电晶体管的入射光的强度产生输出电流；并且该基极电势设置单元被配置来建立光电晶体管的基极电势使得来自光电转换单元的输出电流等于预定的电流值。

公开(公告)号：CN105914251A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610086842.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 上田佳德 ,  米田和洋 ,  爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  根来宝明 ,  樱野胜之 ,  渡边博文

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14681 ,  H01L31/10 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：半导体层，从半导体层的表面嵌入到半导体层的内部并且由绝缘层绝缘的电极，以及一结构，在该结构中，第一导电型的第一半导体区域，第二导电型的第二半导体区域，以及第一导电型的第三半导体以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成。电极被布置在一位置处，在该位置，在第一半导体区域和第二半导体区域的分界面和第二半导体区域和第三半导体区域的分界面中的至少一个中没有反型层由提供给电极的电压形成。

公开(公告)号：CN104716150A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410730271.2

申请日：2014-12-04

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 樱野胜之 ,  根来宝昭 ,  爱须克彦 ,  米田和洋 ,  中谷宁一 ,  渡边博文

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/1136 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及半导体装置制造方法以及半导体装置，其目的在于减小从分离像素的深沟道中拉出形成的门极所造成的高低不平。本发明的半导体装置制造方法包含以下工序：沟道形成工序，在排列多个光电转换元件的半导体电路板上位于相邻光电转换元件之间的位置上，沿着与该半导体电路板垂直的方向，形成沟道；第一导电体材料层形成工序，在沟道内壁上形成氧化膜后，将第一导电体材料填入该沟道，形成贯穿该沟道和该沟道上部的第一导电体材料层；第一导电体形成工序，去除第一导电体材料层中除被填入沟道的第一导电体部分以外的第一导电体材料层部分，形成第一导电体；以及，上部门极形成工序，在第一导电体上部，通过与该第一导电体导通，形成上部门极。