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公开(公告)号：CN105828002B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN1906984B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580001491.0
申请日：2005-09-21
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01M10/42 , H01M2/24 , H01M10/425 , H05K1/113 , H05K3/3405 , H05K3/341 , H05K3/3452 , H05K2201/09572 , H05K2201/099 , H05K2201/1028 , H05K2201/1034 , H05K2203/0182 , H05K2203/0455 , Y02P70/613
Abstract: 一种印刷电路板，包括：基板和提供在该基板上的外部互连端子，其中外部互连端子包括形成在该基板前表面上的接线盘和通过焊料层焊接在该接线盘上的金属板，通孔形成在该基板中，以便该通孔穿过该接线盘和该基板，该通孔用焊料填充，以便该通孔中的该焊料连续地延伸到连接该金属板到该接线盘上的该焊料层。
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公开(公告)号：CN105828002A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/444 , G01J2001/4473 , H04N5/361 , H04N5/3655 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/37457
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN103281056B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310121289.8
申请日：2013-01-21
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 株式会社理光
IPC: H03K5/02
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/144
Abstract: 一种感测电路包括：包含反向输入部，非反向输入部和输出部的差分放大电路，连接在反向输入部与输出部之间的电容器，以及包含源极、漏极和栅极的场效应晶体管。源极和漏极其中之一连接到反向输入部，并且源极和漏极中的另外一个连接到输出部。对非反向输入部提供参考电势，并且具有增加的开关功能的光电转换单元的输出部连接到反向输入部。当光电转换单元的输出控制电势从关断状态电势变到开通状态电势时，该单元输出电荷或电流。在该单元的输出控制电势变到开通状态电势之前，将使场效应晶体管关断的电势提供给栅极，该光电转换单元的输出控制电势变到开通状态电势，并且因此感测电路开始感测，并且，该单元的输出控制电势变到关断状态电势，并且此后对感测电路的稳定的输出电势进行采样和扫描。可以消除并且因此降低叠加在感测电路输出电势上的开关噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465683A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410464691.0
申请日：2014-09-12
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及具备在半导体基板上排列光电转换元件形成的图像传感器的半导体装置，其目的在于，防止半导体装置中相邻光电转换元件之间发生光电荷混同，实现结构细微化。在本发明的半导体装置中，半导体基板(101)上排列包含PN光电转换元件(119)以及三极管(121)在内的像素(103)，形成图像传感器，其中，相邻PN光电转换元件(119)周围的半导体基板(101)上形成沟槽(123)，在接触该沟槽(123)底部的半导体基板(101)上形成杂质扩散层(129)。
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公开(公告)号：CN1906984A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001491.0
申请日：2005-09-21
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01M10/42 , H01M2/24 , H01M10/425 , H05K1/113 , H05K3/3405 , H05K3/341 , H05K3/3452 , H05K2201/09572 , H05K2201/099 , H05K2201/1028 , H05K2201/1034 , H05K2203/0182 , H05K2203/0455 , Y02P70/613
Abstract: 一种印刷电路板，包括：基板和提供在该基板上的外部互连端子，其中外部互连端子包括形成在该基板前表面上的接线盘和通过焊料层焊接在该接线盘上的金属板，通孔形成在该基板中，以便该通孔穿过该接线盘和该基板，该通孔用焊料填充，以便该通孔中的该焊料连续地延伸到连接该金属板到该接线盘上的该焊料层。
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公开(公告)号：CN104716150B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410730271.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及半导体装置制造方法以及半导体装置，其目的在于减小从分离像素的深沟道中拉出形成的门极所造成的高低不平。本发明的半导体装置制造方法包含以下工序：沟道形成工序，在排列多个光电转换元件的半导体电路板上位于相邻光电转换元件之间的位置上，沿着与该半导体电路板垂直的方向，形成沟道；第一导电体材料层形成工序，在沟道内壁上形成氧化膜后，将第一导电体材料填入该沟道，形成贯穿该沟道和该沟道上部的第一导电体材料层；第一导电体形成工序，去除第一导电体材料层中除被填入沟道的第一导电体部分以外的第一导电体材料层部分，形成第一导电体；以及，上部门极形成工序，在第一导电体上部，通过与该第一导电体导通，形成上部门极。
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公开(公告)号：CN105575982A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510700379.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/866 , H01L27/14683
Abstract: 本发明在固体摄像元件中，防止邻接光电转换元件间的光电荷混同，且实现微细化。固体摄像元件具备多个像素(103)。包括第1导电型的第1半导体层(105)，第1导电型的第2半导体层(107)，第2导电型半导体区域(111)，绝缘分离邻接像素(103)的深槽(123)，嵌入深槽(123)内的电极(127)。从表面侧按照第2导电型半导体区域(111)、第2半导体层(107)、第1半导体层(105)顺序排列。由深槽(123)按各像素(103)分离第2半导体层(107)。第1半导体层(105)的第1导电型的杂质浓度比第2半导体层(107)的第1导电型的杂质浓度高。深槽(123)与第1半导体层(105)相接。
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