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公开(公告)号：CN105828002A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/444 , G01J2001/4473 , H04N5/361 , H04N5/3655 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/37457
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN105828002B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN105590972A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510765679.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/11 , H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14681 , H01L27/14612 , H01L31/1105 , H01L27/14683 , H01L31/022408 , H01L31/035272 , H01L31/1804
Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105304659A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510427472.X
申请日：2015-07-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种在像素的光电检测器中具有光电晶体管的成像装置。该成像装置包括：配置为分隔像素的埋藏电极；布置在与埋藏电极相邻的位置的第一发射极；以及第二发射极，其布置为使得从埋藏电极至第二发射极的距离比从埋藏电极至第一发射极的距离长。
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公开(公告)号：CN104716150B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410730271.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及半导体装置制造方法以及半导体装置，其目的在于减小从分离像素的深沟道中拉出形成的门极所造成的高低不平。本发明的半导体装置制造方法包含以下工序：沟道形成工序，在排列多个光电转换元件的半导体电路板上位于相邻光电转换元件之间的位置上，沿着与该半导体电路板垂直的方向，形成沟道；第一导电体材料层形成工序，在沟道内壁上形成氧化膜后，将第一导电体材料填入该沟道，形成贯穿该沟道和该沟道上部的第一导电体材料层；第一导电体形成工序，去除第一导电体材料层中除被填入沟道的第一导电体部分以外的第一导电体材料层部分，形成第一导电体；以及，上部门极形成工序，在第一导电体上部，通过与该第一导电体导通，形成上部门极。
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公开(公告)号：CN105575982A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510700379.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/866 , H01L27/14683
Abstract: 本发明在固体摄像元件中，防止邻接光电转换元件间的光电荷混同，且实现微细化。固体摄像元件具备多个像素(103)。包括第1导电型的第1半导体层(105)，第1导电型的第2半导体层(107)，第2导电型半导体区域(111)，绝缘分离邻接像素(103)的深槽(123)，嵌入深槽(123)内的电极(127)。从表面侧按照第2导电型半导体区域(111)、第2半导体层(107)、第1半导体层(105)顺序排列。由深槽(123)按各像素(103)分离第2半导体层(107)。第1半导体层(105)的第1导电型的杂质浓度比第2半导体层(107)的第1导电型的杂质浓度高。深槽(123)与第1半导体层(105)相接。
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公开(公告)号：CN105590972B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510765679.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/11 , H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14681 , H01L27/14612
Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。
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