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公开(公告)号：CN105304659A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510427472.X
申请日：2015-07-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种在像素的光电检测器中具有光电晶体管的成像装置。该成像装置包括：配置为分隔像素的埋藏电极；布置在与埋藏电极相邻的位置的第一发射极；以及第二发射极，其布置为使得从埋藏电极至第二发射极的距离比从埋藏电极至第一发射极的距离长。
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公开(公告)号：CN105828002B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN103975581A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060268.3
申请日：2012-10-05
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 株式会社理光
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14681 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L27/14656 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 光电转换器包括：包括不同传导类型的至少两个半导体区域的第一pn结；以及包括与半导体区域之一连接的第一源极、第一漏极、第一绝缘栅极以及与半导体区域之一的传导类型沟道相同的传导类型沟道的第一场效应晶体管。用在其第一pn结相对于其他半导体区域的电势变为0偏置或反向偏置的第二电势供应第一漏极。当第一源极转到第一电势且第一半导体区域之一相对于其他半导体区域变为0偏置或反向偏置时，即使半导体区域中的任一个暴露给光时，通过向第一绝缘栅极供应第一栅极电势控制第一pn结不被深度正向电压偏置。
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公开(公告)号：CN105914251A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610086842.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/10 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463 , H01L27/14681 , H01L31/10 , H01L31/035272
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：半导体层，从半导体层的表面嵌入到半导体层的内部并且由绝缘层绝缘的电极，以及一结构，在该结构中，第一导电型的第一半导体区域，第二导电型的第二半导体区域，以及第一导电型的第三半导体以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成。电极被布置在一位置处，在该位置，在第一半导体区域和第二半导体区域的分界面和第二半导体区域和第三半导体区域的分界面中的至少一个中没有反型层由提供给电极的电压形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716150A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410730271.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及半导体装置制造方法以及半导体装置，其目的在于减小从分离像素的深沟道中拉出形成的门极所造成的高低不平。本发明的半导体装置制造方法包含以下工序：沟道形成工序，在排列多个光电转换元件的半导体电路板上位于相邻光电转换元件之间的位置上，沿着与该半导体电路板垂直的方向，形成沟道；第一导电体材料层形成工序，在沟道内壁上形成氧化膜后，将第一导电体材料填入该沟道，形成贯穿该沟道和该沟道上部的第一导电体材料层；第一导电体形成工序，去除第一导电体材料层中除被填入沟道的第一导电体部分以外的第一导电体材料层部分，形成第一导电体；以及，上部门极形成工序，在第一导电体上部，通过与该第一导电体导通，形成上部门极。
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公开(公告)号：CN104716150B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410730271.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及半导体装置制造方法以及半导体装置，其目的在于减小从分离像素的深沟道中拉出形成的门极所造成的高低不平。本发明的半导体装置制造方法包含以下工序：沟道形成工序，在排列多个光电转换元件的半导体电路板上位于相邻光电转换元件之间的位置上，沿着与该半导体电路板垂直的方向，形成沟道；第一导电体材料层形成工序，在沟道内壁上形成氧化膜后，将第一导电体材料填入该沟道，形成贯穿该沟道和该沟道上部的第一导电体材料层；第一导电体形成工序，去除第一导电体材料层中除被填入沟道的第一导电体部分以外的第一导电体材料层部分，形成第一导电体；以及，上部门极形成工序，在第一导电体上部，通过与该第一导电体导通，形成上部门极。
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公开(公告)号：CN105575982A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510700379.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/866 , H01L27/14683
Abstract: 本发明在固体摄像元件中，防止邻接光电转换元件间的光电荷混同，且实现微细化。固体摄像元件具备多个像素(103)。包括第1导电型的第1半导体层(105)，第1导电型的第2半导体层(107)，第2导电型半导体区域(111)，绝缘分离邻接像素(103)的深槽(123)，嵌入深槽(123)内的电极(127)。从表面侧按照第2导电型半导体区域(111)、第2半导体层(107)、第1半导体层(105)顺序排列。由深槽(123)按各像素(103)分离第2半导体层(107)。第1半导体层(105)的第1导电型的杂质浓度比第2半导体层(107)的第1导电型的杂质浓度高。深槽(123)与第1半导体层(105)相接。
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公开(公告)号：CN103281056A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310121289.8
申请日：2013-01-21
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 株式会社理光
IPC: H03K5/02
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/144
Abstract: 一种感测电路包括：包含反向输入部，非反向输入部和输出部的差分放大电路，连接在反向输入部与输出部之间的电容器，以及包含源极、漏极和栅极的场效应晶体管。源极和漏极其中之一连接到反向输入部，并且源极和漏极中的另外一个连接到输出部。对非反向输入部提供参考电势，并且具有增加的开关功能的光电转换单元的输出部连接到反向输入部。当光电转换单元的输出控制电势从关断状态电势变到开通状态电势时，该单元输出电荷或电流。在该单元的输出控制电势变到开通状态电势之前，将使场效应晶体管关断的电势提供给栅极，该光电转换单元的输出控制电势变到开通状态电势，并且因此感测电路开始感测，并且，该单元的输出控制电势变到关断状态电势，并且此后对感测电路的稳定的输出电势进行采样和扫描。可以消除并且因此降低叠加在感测电路输出电势上的开关噪声。
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公开(公告)号：CN102136014A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110023506.0
申请日：2011-01-17
Applicant: 株式会社理光
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明涉及网表生成方法及电路仿真方法。公开了网表生成方法，基于布局数据生成网表；应力图数据指示硅芯片上的应力分布，应力是由于硅芯片的封装所生成的；并且标准曲线数据指示应力和器件的特性变化之间的关系。该网表生成方法包括如下步骤：从布局数据读取数据项目；从应力图数据中读取器件的位置处的应力的值；从对应于器件的标准曲线数据中读取器件的特性变化，该特性变化对应于应力的值；以及基于特性变化校正器件的特性。
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