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公开(公告)号：CN105828002A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/444 , G01J2001/4473 , H04N5/361 , H04N5/3655 , H04N5/378 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/37457
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN105575982A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510700379.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/866 , H01L27/14683
Abstract: 本发明在固体摄像元件中，防止邻接光电转换元件间的光电荷混同，且实现微细化。固体摄像元件具备多个像素(103)。包括第1导电型的第1半导体层(105)，第1导电型的第2半导体层(107)，第2导电型半导体区域(111)，绝缘分离邻接像素(103)的深槽(123)，嵌入深槽(123)内的电极(127)。从表面侧按照第2导电型半导体区域(111)、第2半导体层(107)、第1半导体层(105)顺序排列。由深槽(123)按各像素(103)分离第2半导体层(107)。第1半导体层(105)的第1导电型的杂质浓度比第2半导体层(107)的第1导电型的杂质浓度高。深槽(123)与第1半导体层(105)相接。
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公开(公告)号：CN1596474A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03801654.0
申请日：2003-02-26
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 上田佳德
CPC classification number: G05F3/30 , Y10S323/907
Abstract: 一种基准电压产生电路包括显现输出基准电压的低温度相关性的带隙基准电路。由于适当地控制其电阻的温度相关性，从而消除流过分压电阻的负载电流的温度相关性，因此有可能防止二极管的正向电压的温度相关性的线性发生恶化。从而，降低了输出的温度相关性。
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公开(公告)号：CN105828002B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610143155.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。
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公开(公告)号：CN1321458C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03801654.0
申请日：2003-02-26
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 上田佳德
CPC classification number: G05F3/30 , Y10S323/907
Abstract: 一种基准电压产生电路包括显现输出基准电压的低温度相关性的带隙基准电路。由于适当地控制其电阻的温度相关性，从而消除流过分压电阻的负载电流的温度相关性，因此有可能防止二极管的正向电压的温度相关性的线性发生恶化。从而，降低了输出的温度相关性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590972A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510765679.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/11 , H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14681 , H01L27/14612 , H01L31/1105 , H01L27/14683 , H01L31/022408 , H01L31/035272 , H01L31/1804
Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101114649B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200710142129.6
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/8611 , H02M3/155
Abstract: 公开了在使用中能够满足装置功率需求和具有高效率的电源装置。该电源装置包括第一电源；提高第一电源输出电压的电压升压单元；降低电压升压单元的输出电压的电压降压单元；以及通过电压降压单元的输出电压驱动工作的负载。所述电压升压单元将第一电源的输出电压提升至电压降压单元操作电压的下限值。
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公开(公告)号：CN101114649A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710142129.6
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/8611 , H02M3/155
Abstract: 公开了在使用中能够满足装置功率需求和具有高效率的电源装置。该电源装置包括第一电源；提高第一电源输出电压的电压升压单元；降低电压升压单元的输出电压的电压降压单元；以及通过电压降压单元的输出电压驱动工作的负载。所述电压升压单元将第一电源的输出电压提升至电压降压单元操作电压的下限值。
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公开(公告)号：CN105590972B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510765679.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/11 , H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14681 , H01L27/14612
Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。
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