公开(公告)号：CN109423691A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810954980.7

申请日：2018-08-21

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN109423690A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810948079.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。

公开(公告)号：CN109417036A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040522.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  谷川幸登

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H02M3/28

Abstract: 本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p-型氧化物半导体，以及制造该p-型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d-区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤；以及在氧气气氛下使基材表面附近的喷雾发生热反应的过程，在该基材上形成p-型氧化物半导体，其具有包含周期表d-区金属和周期表第13族金属的金属氧化物作为主要组分。

公开(公告)号：CN108690969A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810293622.6

申请日：2018-03-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 柳生慎悟 ,  井川拓人 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01M8/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/4486 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/021 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/026 ,  H01M2008/1095 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4481

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体，接着在该基体上使该雾或液滴进行热反应，从而在该基体上形成导电性金属氧化膜的成膜方法中，使用表面的一部分或全部含有铜或铜合金、铝或铝合金、镁或镁合金、或者不锈钢作为主要成分的基体作为所述基体来进行成膜。

公开(公告)号：CN107895742A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710922465.6

申请日：2017-09-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: 在本发明主题的第一方面，半导体装置包括：包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。