참나물 추출물을 유효성분으로 포함하는 항당뇨 조성물
    11.
    发明公开
    참나물 추출물을 유효성분으로 포함하는 항당뇨 조성물 有权
    组合物包含PIMPINELLA BRACHYCARPA(KOM。)NAKAI抗糖尿病提取物

    公开(公告)号:KR1020140087184A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:KR1020120155978

    申请日:2012-12-28

    CPC classification number: A23L33/105 A23V2002/00 A23V2200/328 A61K36/23

    Abstract: The present invention relates to a composition for preventing, alleviating, and treating diabetes. According to the present invention, the composition containing an extract of Pimpinella brachycarpa as an active ingredient has an excellent alpha glucosidase inhibiting activity and a high glucose-absorption inhibiting activity. Therefore, the composition containing an extract of Pimpinella brachycarpa not only can effectively prevent, alleviate, and treat diabetes but also is safe to a human body because the composition is made from a natural material.

    Abstract translation: 本发明涉及用于预防,缓解和治疗糖尿病的组合物。 根据本发明,含有作为活性成分的Pimpinella brachycarpa提取物的组合物具有优异的α葡糖苷酶抑制活性和高葡萄糖吸收抑制活性。 因此,含有短臂P属提取物的组合物不仅可以有效地预防,缓解和治疗糖尿病,而且对于人体而言是安全的,因为组合物是由天然材料制成的。

    염소 후처리 방법에 의한 메탄 이량화용 Pb 치환 하이드록시아파타이트 촉매의 제조방법
    12.
    发明授权
    염소 후처리 방법에 의한 메탄 이량화용 Pb 치환 하이드록시아파타이트 촉매의 제조방법 有权
    通过氯后处理生产用于甲烷偶联反应的Pb取代羟基磷灰石催化剂的方法

    公开(公告)号:KR101187056B1

    公开(公告)日:2012-09-28

    申请号:KR1020100091953

    申请日:2010-09-17

    Abstract: 본 발명은, 기존 공침법에 의한 메탄 이량화용 Pb 치환 하이드록시아파타이트 촉매의 제조공정에 염소 전구체 수용액을 가하는 단계를 추가하여 메탄 이량화 반응에 보다 효과적인 촉매를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 염소 후처리 방법에 의한 메탄이량화용 Pb 치환 하이드록시아파타이트 촉매의 제조방법은, 염소 후처리 공정을 통하여 Ca(Ⅱ) 싸이트를 좀 더 전기음성적(electronegative)인 환경에 위치하게 하여 Ca(Ⅱ) 싸이트에 치환된 납에 영향을 주게 되어 활성이 매우 우수한 촉매를 제조할 수 있는 효과가 있다.

    폴리에틸렌이민의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자
    13.
    发明授权
    폴리에틸렌이민의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 有权
    聚乙烯亚胺的选择性图案化方法和使用其制造的半导体器件

    公开(公告)号:KR101170806B1

    公开(公告)日:2012-08-02

    申请号:KR1020100013472

    申请日:2010-02-12

    Abstract: 본 발명은 폴리에틸렌이민의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토리소그래피(photo-lithography) 방법을 이용하여 유기 고분자 박막인 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 박막을 선택적으로 패터닝하는 방법 및 이를 통해 폴리에틸렌이민이 패터닝된 반도체 소자에 관한 것이다.
    본 발명은 기존의 포토공정 장비를 그대로 활용하여 폴리에틸렌이민을 선택적으로 패터닝 할 수 있어 공정비용 및 소요시간의 측면에서 매우 효율적이다. 또한, 얼라인(align)이 가능하면서도 매우 정밀한 고분자의 패턴이 가능하여, 일 실시예로 탄소나노튜브의 전계특성을 변환시켜 반도체 소자를 제조할 수 있는 등 매우 큰 장점 및 효과를 갖는다. 본 발명에 따르면 각종 로직 회로 및 PM(passive matrix)을 이용한 다양한 소자(터치 스크린, PMOLED, etc) 등을 제작할 수 있다.

    정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막
    14.
    发明授权
    정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막 有权
    用于制备具有改进的取向的V2O5纳米线膜和由其制备的V2O5纳米线膜的方法

    公开(公告)号:KR100974623B1

    公开(公告)日:2010-08-09

    申请号:KR1020070136928

    申请日:2007-12-24

    Abstract: 본 발명은 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V
    2 O
    5 nanowire) 용액을 제조하는 단계; b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키고, 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계; c) 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액에 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 분산을 용이하게 하기 위한 분산제를 첨가하는 단계; d) 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액을 유기 용매에 희석시킨 다음, 이를 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액 표면 상에 도포하고 방치하는 단계; e) 상기 랑뮈에-블라제 트러프에 장착된 배리어 (barrier)를 사용하여 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 압력을 조정하는 단계; f) 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 침지 막대 (dipping arm)에 기판을 고정한 다음, 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과 접촉시키는 단계; 및 g) 상기 기판을 상기 침지 막대로부터 분리하는 단계를 포함하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 졸-겔 합성법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 박막을 제조하는 과정에 있어서, 나노선의 정렬도를 획기적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니 라, 사후 세척 공정을 생략할 수 있어서 공정 단순화를 도모할 수 있으며, 제조된 나노선의 길이를 간편하게 재단할 수 있어서, 이를 이용하여 제조된 소자 특성의 재현성 확보 및 소자 특성 향상을 달성할 수 있다. 또한, 제조된 나노선 소자는 우수한 특성 및 재현성을 구비하므로, 전계 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) 및 각종 센서의 제작 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
    오산화이바나듐 나노선 박막, 나노선 정렬

    고분자 도장을 이용한 기판 코팅 방법
    15.
    发明公开
    고분자 도장을 이용한 기판 코팅 방법 失效
    使用聚合物印花涂覆基板的方法

    公开(公告)号:KR1020090076291A

    公开(公告)日:2009-07-13

    申请号:KR1020080002156

    申请日:2008-01-08

    CPC classification number: G03F7/0002 B82Y40/00

    Abstract: A substrate coating method using the high polymer stamp is provided, which performs the role of the improved barrier by uniformly forming the passivation layer. The silicon master having the first pattern is provided(S100). A high polymer stamp having the first pattern and second pattern is formed(S102). The polymer film dissolved in the chloroform transfers in the second pattern region of the high polymer stamp(S104). The polymer film of the high polymer stamp transfers in the top of the substrate(S106). The thermal process is performed according to use after removing the high polymer stamp from substrate(S108). The PMMA film is removed by using the acetone and supersonic vibration(S110).

    Abstract translation: 提供了使用高聚合物印模的基板涂布方法,其通过均匀地形成钝化层来发挥改进的屏障的作用。 提供具有第一图案的硅母版(S100)。 形成具有第一图案和第二图案的高聚合物印模(S102)。 溶解在氯仿中的聚合物膜在高分子印模的第二图案区域中转印(S104)。 高分子印模的聚合物膜在基材的顶部转印(S106)。 在从基板除去高聚合物印模之后,根据使用进行热处理(S108)。 通过使用丙酮和超音速振动来除去PMMA膜(S110)。

    정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막
    16.
    发明公开
    정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막 有权
    用于制备具有改进的对准的V2O5纳米薄膜和其制备的V2O5纳米薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020090069082A

    公开(公告)日:2009-06-29

    申请号:KR1020070136928

    申请日:2007-12-24

    Abstract: A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film with improved alignment is provided to conveniently cut manufactured nano wires in order to secure reproducibility and characteristic of devices. A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film comprises the following steps of: preparing a divanadium pentaoxide nano wire(V2O5 nano-wire) solution; diluting the solution in water and inputting the diluted solution into the Langmuir-Blodgett trough; adding a dispersing agent to the diluted solution; diluting a halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution in an organic solvent and coating the diluted halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution on the surface of the diluted solution prepared in previous step; adjusting the interface pressure of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution by using a barrier in the Langmuir-Blodgett trough; fixing a substrate on a dipping rod of the Langmuir-Blodgett trough and contacting the substrate with the interface of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution; and separating the substrate from the dipping rod.

    Abstract translation: 提供了一种制造具有改进的取向的五氧化二钒纳米线薄膜的方法,以方便地切割制造的纳米线,以确保器件的再现性和特性。 制备五氧化二钒纳米线薄膜的方法包括以下步骤:制备五氧化二钒纳米线(V2O5纳米线)溶液; 稀释溶液并将稀释液输入Langmuir-Blodgett槽中; 向稀释溶液中加入分散剂; 在有机溶剂中稀释卤代双十八烷基二甲基铵溶液,并将稀释的卤代二十八烷基二甲基铵溶液涂覆在前一步骤制备的稀释溶液的表面上; 通过在Langmuir-Blodgett槽中使用屏障来调节卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面压力; 将基底固定在Langmuir-Blodgett槽的浸渍杆上,并使基底与卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面接触; 并将基底与浸渍棒分离。

    발아검정찰현미 추출물을 포함하는 항당뇨 조성물
    19.
    发明公开
    발아검정찰현미 추출물을 포함하는 항당뇨 조성물 无效
    包含用于抗糖尿病的发芽的黑麦提取物的组合物

    公开(公告)号:KR1020130128118A

    公开(公告)日:2013-11-26

    申请号:KR1020120051924

    申请日:2012-05-16

    Abstract: The present invention relates to a composition for preventing, alleviating, and treating diabetes. A germinated waxy black rice extract according to the present invention highly suppresses alpha-glucosidase and absorption of glucose in small intestine and also suppresses the expression of SGLT1, HNF-1alpha, and HNF-1beta genes, thereby presenting, alleviating, and treating diabetes.

    Abstract translation: 本发明涉及用于预防,缓解和治疗糖尿病的组合物。 根据本发明的发芽蜡状黑米提取物高度抑制α-葡糖苷酶和小肠中葡萄糖的吸收,并且还抑制SGLT1,HNF-1α和HNF-1beta基因的表达,从而呈现,缓解和治疗糖尿病。

    폴리우레탄의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자
    20.
    发明授权
    폴리우레탄의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 有权
    聚氨酯选择性图案化方法和使用该方法制造的半导体器件

    公开(公告)号:KR101104208B1

    公开(公告)日:2012-01-10

    申请号:KR1020100015111

    申请日:2010-02-19

    Inventor: 박재현 하정숙

    Abstract: 본 발명은 폴리우레탄의 선택적 패터닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토리소그래피 방법을 이용하여 기판상에 폴리우레탄의 패턴을 원하는 위치에 용이하게 형성시키는 방법 및 이를 통해 폴리우레탄이 패터닝된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 폴리우레탄의 패터닝 방법을 적용하면 패턴 형태의 폴리우레탄 유전체층을 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 유전체층을 통과하는 전극도 한 차례의 포토 공정과 메탈 증착 공정만으로 제작할 수 있어 실제 반도체 소자 공정에서 폭넓은 응용이 기대된다.

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