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公开(公告)号：WO2017188657A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004217
申请日：2017-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치되고 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 절연층; 및 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층과 정렬되고 상기 절연층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 투명한 금속 산화물로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속층; 및 투명한 금속 산화물로 구성되고 상기 금속층 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。 氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 绝缘层，设置在源电极和漏电极上，并设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上; 并且保护层与在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层对准并且设置在绝缘层上。 其中保护层包括由透明金属氧化物组成的下保护层; 设置在下保护层上的金属层; 以及由透明金属氧化物构成并设置在金属层上的顶部保护层。
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公开(公告)号：WO2017188656A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004216
申请日：2017-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 수직형 발광 다이오드 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치된 p형 GaN층; 상기 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층에 배치된 제1 n 형 GaN층; 상기 제1 n형 GaN 층 상에 배치된 도핑되지 않은 AlN층; 상기 AlN 층 상에 배치된 제2 n형 GaN층; 및 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 상기 제1 n 형 GaN층, 그리고 상기 AlN층을 관통하여 상기 제2 n형 GaN층에 접합하는 콘택 플러그를 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种垂直型发光二极管器件及其制造方法。 垂直发光二极管器件包括导电衬底; 设置在导电衬底上的p型GaN层; 设置在GaN层上的有源层; 设置在有源层中的第一n型GaN层; 设置在第一n型GaN层上的未掺杂AlN层; 设置在AlN层上的第二n型GaN层; 以及贯穿p型GaN层，活性层，第一n型GaN层和AlN层并接合到第二n型GaN层的接触插塞。
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公开(公告)号：WO2017034078A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2015/011744
申请日：2015-11-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 TiO 2 /Ag/TiO 2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명전극에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 금속층; 및 상기 Ag 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 TiO 2 층을 포함하는 플렉시블 투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의 두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 TiO 2 층의 두께는 20 nm 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 ITO 전극에 비견할 만한 높은 투과도를 지니면서도, 낮은 면저항값을 갖고, 상온 증착 공정에 의해서 제조되어 고온 열처리가 필요 없이 폴리머 기판에 그대로 제조가 가능한 플렉시블 투명전극을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有TiO 2 / Ag / TiO 2多层薄膜结构的柔性透明电极，更具体地，涉及柔性透明电极，其包括：Ag金属层; 以及层叠在Ag金属层的上侧和下侧的二氧化钛层，其中，Ag金属层的厚度为11nm〜25nm，TiO 2层的厚度为20nm〜80nm 纳米。 本发明可以提供一种柔性透明电极，其具有较低的薄层电阻值，而与常规的ITO电极相比具有高的透光率，并且可以直接在聚合物基材上制造而不需要高温热处理，因为相同的是 通过室温沉积工艺制造。
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公开(公告)号：KR102127559B1
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：KR1020180052018
申请日：2018-05-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L25/075
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101845611B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.
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公开(公告)号：KR20180003916A
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR20160083698
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 본발명은수평형발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치되고, 복수의홀들이형성된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기홀들의하부면에배치된씨앗층; 상기씨앗층상에서결정상태로성장되고상기복수의홀들을채우는금속산화물구조체들; 및상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여노출된 n형 GaN층상에배치되는 n 전극;을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种侧向发光二极管器件及其制造方法。 横向发光二极管器件包括衬底; 设置在基板上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的活化层; 设置在激活层上的p型GaN层，在p型GaN层中形成多个孔; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 布置在所述多个孔的底表面上的种子层; 金属氧化物结构，以结晶状态生长在晶种层上以填充多个孔; 以及设置在通过去除电流扩展层，p型GaN层，激活层和n型GaN层的部分而暴露的n型GaN层上的n电极。
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公开(公告)号：KR101816972B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020150120150
申请日：2015-08-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 TiO/Ag/TiO다층박막구조를갖는플렉시블투명전극에관한것으로서, 더욱구체적으로는, Ag 금속층; 및상기 Ag 금속층의상면및 하면에각각적층된 TiO층을포함하는플렉시블투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 TiO층의두께는 20 nm 내지 80 nm인것을특징으로하는플렉시블투명전극에관한것이다. 본발명에따르면, 종래 ITO 전극에비견할만한높은투과도를지니면서도, 낮은면저항값을갖고, 상온증착공정에의해서제조되어고온열처리가필요없이폴리머기판에그대로제조가가능한플렉시블투명전극을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有TiO / Ag / TiO多层薄膜结构的柔性透明电极，更具体地涉及Ag金属层; 并且，在Ag金属层的上下表面层叠有TiO层，Ag金属层的厚度为11nm〜25nm，TiO层的厚度为20nm〜80nm 到柔性透明电极。 根据本发明，当精灵高渗透性显着常规媲美ITO电极，具有低的薄层电阻，由室温下沉积工艺制造可被提供给可以被制造为聚合物基板，而不需要高温热处理的柔性透明电极。
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公开(公告)号：KR101809833B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020160053044
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 상기소오스전극및 상기드레인전극상에배치되고상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는절연층; 및상기소오스전극과상기드레인전극사이의노출된산화물반도체층과정렬되고상기절연층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은투명한금속산화물로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속층; 및투명한금속산화물로구성되고상기금속층상에배치된상부보호층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170137287A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069194
申请日：2016-06-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , B32B9/04
Abstract: 본발명은페로브스카이트태양전지에관한것으로서, 본발명의실시예에따른페로브스카이트태양전지는기판(10), 금속층(21), 및금속층(21)의상부및 하부각각에하나씩형성된한 쌍의산화물층(23, 25)을포함하고, 기판(10)의상부에배치되는복합투명전극(20); 및복합투명전극(20) 상부에형성되고, 페로브스카이트를포함하는광 활성층(40)을포함한다.
Abstract translation: 本发明的钙钛矿涉及一种太阳能电池，根据本发明的天空位太阳能电池基板10的一个实施例的辣椒叶，金属层21和金属层21分别形成一个接一个的服装和下部， 复合透明电极20设置在一对氧化物层23和25包括，并且基板10的服装部; 和形成在所述透明电极复合材料20，它包括一个光学有源层（40）包括钙钛矿。
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