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公开(公告)号：KR1020140091146A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020130002371
申请日：2013-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P7/00
CPC classification number: B81C1/0019 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , H03H3/0072
Abstract: Disclosed are an apparatus and a method for fabricating a nanoresonator using laser interference lithography. The method for fabricating the nanoresonator comprises the steps of forming a nanoline pattern on a first substrate, using the laser interference lithography; transcribing the nanoline pattern to a second substrate comprising a gate electrode; and forming a source electrode on one side of the nanoline pattern which is transcribed to the second substrate and a drain electrode on the other side thereof.
Abstract translation: 公开了使用激光干涉光刻制造纳米谐振器的装置和方法。 制造纳米谐振器的方法包括以下步骤：使用激光干涉光刻法在第一衬底上形成牛磺酸图案; 将所述牛磺酸图案转录到包括栅电极的第二基底; 以及在被转录到第二基板的纳米线图案的一侧上形成源电极，在另一侧形成漏电极。
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公开(公告)号：KR1020140033595A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020120099268
申请日：2012-09-07
Applicant: 한국과학기술원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B5/201 , B29D11/00634 , B82Y40/00 , G02B5/207 , H01L21/0275
Abstract: A method of manufacturing a surface plasmonic color filter using laser interference lithography comprises the steps of: (a) forming a metal film on a substrate; (b) forming a photosensitive layer on the metal film; (c) forming a nanohole array having periodicity on the photosensitive layer by irradiating the photosensitive layer with a laser interference patterns; (d) forming the nanohole array on the metal film by etching the metal film using the nanohole array of the photosensitive layer; and (e) removing the photosensitive layer having the nanohole array from the metal film having the nanohole array, and forming a dielectric layer on the metal film having the nanohole array.
Abstract translation: 使用激光干涉光刻制造表面等离子体激元彩色滤光片的方法包括以下步骤：（a）在基片上形成金属膜; （b）在金属膜上形成感光层; （c）通过用激光干涉图案照射感光层，形成在感光层上具有周期性的纳米孔阵列; （d）通过使用感光层的纳米孔阵列蚀刻金属膜，在金属膜上形成纳米孔阵列; 和（e）从具有纳米孔阵列的金属膜去除具有纳米孔阵列的感光层，并在具有纳孔孔阵列的金属膜上形成电介质层。
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公开(公告)号：KR101323306B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020120015408
申请日：2012-02-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법은, (a) 전도성 여과막 기판에 탄소나노튜브, 나노입자 및 용매가 혼합된 용액을 도포하는 단계; (b) 상기 용매를 상기 전도성 여과막 기판에 형성된 구멍을 통해 배출시키는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계를 수행한 전도성 여과막 기판에 열처리를 수행하여, 상기 나노입자를 소결시키는 단계를 포함하는 한다.
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公开(公告)号：KR101282122B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020120015498
申请日：2012-02-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a carbon nano tube field emission source is provided to strengthen the adhesion between a carbon nano tube thin film and a cathode substrate by using a silver paste and aligning the carbon nano tube thin film and the substrate vertically. CONSTITUTION: A hole-patterned substrate is placed on a hot plate (S1100). A carbon nano tube thin film is formed on the hole-patterned substrate (S1200). A metal foil is attached on the carbon nano tube film after the hot plate is removed (S1300). The carbon nano tube thin film to which the formed metal foil is attached gets flip-flopped so that the metal foil is placed at the bottom of the thin film (S1400). The surface of the hole-patterned substrate is treated with a viscous material (S1500). The surface of the carbon nano tube thin film gets activated as the viscous material is attached to and detached from it (S1600). [Reference numerals] (S1100) Place a substrate on a hot plate; (S1200) A carbon nano tube thin film is formed; (S1300) Remove the hot plate and attach a metal foil; (S1400) Flip-flop the carbon nano tube thin film; (S1500) Treat the surface of the carbon nano tube thin film; (S1600) Activate the surface of the carbon nano tube thin film by attaching and detaching a viscous material
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管场发射源的制造方法，通过使用银膏将碳纳米管薄膜和阴极基板的粘合强化，并使碳纳米管薄膜和基板垂直取向。 构成：将孔图案化基板放置在热板上（S1100）。 在孔图案化基板上形成碳纳米管薄膜（S1200）。 去除热板后，在碳纳米管膜上附着金属箔（S1300）。 将形成有金属箔的碳纳米管薄膜翻转，使金属箔放置在薄膜的底部（S1400）。 用粘性材料处理孔图案化衬底的表面（S1500）。 碳纳米管薄膜的表面随着粘性物质的附着和分离而被激活（S1600）。 （参考号）（S1100）将基板置于热板上; （S1200）形成碳纳米管薄膜; （S1300）拆下热板并安装金属箔; （S1400）触发碳纳米管薄膜; （S1500）处理碳纳米管薄膜的表面; （S1600）通过安装和分离粘性物质来活化碳纳米管薄膜的表面
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公开(公告)号：KR1020120128894A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110046823
申请日：2011-05-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G01N27/12 , B82Y30/00 , C01B32/16 , G01N27/127 , G01N33/03
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube sensor and an edible oil state measuring device using the same are provided to confirm an oxidation state of edible oil without using expensive equipment or a complex chemical analysis method. CONSTITUTION: A carbon nano tube sensor(100) comprises a carbon nano tube membrane(103) and a polymer layer(104). The carbon nano tube membrane is formed in between a plurality of electrodes. The polymer layer is formed on the top of the carbon nano tube membrane. The carbon nano tube sensor measures the changed extent of conductivity generated by oxide materials by using the carbon nano tube membrane in which the polymer layer is formed. Variations on the conductivity are measured by applying voltage in between the plurality of electrodes. The carbon nano tube membrane is formed by spraying the carbon nano tube solution.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管传感器和使用其的食用油状态测量装置，以确认食用油的氧化状态，而不使用昂贵的设备或复杂的化学分析方法。 构成：碳纳米管传感器（100）包括碳纳米管膜（103）和聚合物层（104）。 碳纳米管膜形成在多个电极之间。 聚合物层形成在碳纳米管膜的顶部。 碳纳米管传感器通过使用其中形成聚合物层的碳纳米管膜来测量由氧化物材料产生的电导率的变化程度。 通过在多个电极之间施加电压来测量电导率的变化。 通过喷涂碳纳米管溶液形成碳纳米管膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101040527B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090007711
申请日：2009-01-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 액체 내에 접촉하여 액체 내의 상태 변화를 감지하여 액체의 상태 정보를 실시간 측정하는 액체 상태 측정 센서 및 이를 이용한 액체 상태 감지방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 상태 측정 센서는 구성된 감지막이 액체의 외부 또는 내부의 환경적 요인의 변화, 즉, 화학적 반응, 열화, 불순물 유입, 액체의 양 감소 등에 따라서 발생되는 분극성 불순물을 흡착할 수 있도록 하고, 이때 감지막의 전기전도도 특성 변화를 측정하여 액체 내의 상태 정보의 변화를 감지할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따를 경우, 전계 인가에 의한 감지막의 전기적 특성 변화량이 다르게 변화하는데 이 경우 기준 센서의 데이터를 확보하여 온도에 대하여 액체의 상태 변화에 대한 값을 보상하여 비교적 오차가 없는 정확한 측정을 이룰 수 있는 효과를 제공한다.
액체, 상태, 센서, 전극, 감지막-
公开(公告)号：KR101040526B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090007699
申请日：2009-01-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G02B5/02 , B29C33/38 , G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 도광판 제조용 금형 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 금형 코어를 직접 연마 및 절삭 가공하는 방식보다 노광을 하여 착광에 따른 식각의 깊이를 달리하여 패턴 형성을 통한 PDMS 스탬프를 별도로 제작하고 이를 이용하여 나노 임프린트 공정을 통한 홀로그램 일체형 패턴을 구비하도록 한 금형을 제작하여 고휘도 도광판을 저렴한 비용으로 대량 생산할 수 있도록 할 수 있는 도광판 제조용 금형 제작 방법에 관한 것이다.
도광판, 임프린트, 홀로그램, 스탬프, 금형-
公开(公告)号：KR100963204B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020070103757
申请日：2007-10-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브(Cabon Nano Tube, CNT)/전도성 고분자 박막의 이형 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고, 소프트 리소그라피 공정을 사용하여 전도성 고분자 박막 패턴을 형성한 뒤 자기 조립층(Self Assembled Monolayer, SAM) 처리를 실시하여 별도로 정렬할 필요없이 상부에 탄소나노튜브(CNT)를 형성시켜 이형의 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것이다.
CNT, 전도성 고분자, 이형 패턴, SAM-
公开(公告)号：KR100919889B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020070118242
申请日：2007-11-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피 방식을 사용하여 나노선을 형성하고, 이를 채널로 이용하는 나노선 트랜지스터(nanowire transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 나노선을 이용하여 채널을 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020090051827A
公开(公告)日：2009-05-25
申请号：KR1020070118242
申请日：2007-11-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L21/02603 , H01L29/42392
Abstract: 본 발명은 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피 방식을 사용하여 나노선을 형성하고, 이를 채널로 이용하는 나노선 트랜지스터(nanowire transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 나노선을 이용하여 채널을 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
SPM, 나노선, 프루브Abstract translation: 本发明涉及使用扫描探针显微镜（SPM）光刻方法来制造纳米线晶体管以形成纳米线并使用纳米线作为沟道的方法，为此， 形成图案; 在包括第一导电膜图案的所得结构的整个表面上形成第一绝缘膜; 在第一导电膜图案上的第一绝缘膜上使用纳米线形成沟道; 形成源极和漏极与通道两端接触; 在包括沟道和源极和漏极的所得结构的整个表面上形成第二绝缘层; 信道，以形成第二导电膜图案，使得所述第二绝缘膜上并且连接到在所述第一阶段和所述栅极绝缘膜的图案在第一导电层被选择性地蚀刻，以形成围绕所述信道是栅极绝缘膜的第一绝缘膜 并且形成围绕栅电极的栅电极。
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