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公开(公告)号：KR101724369B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150113937
申请日：2015-08-12
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은근적외선(Short Wavelength Infra-Red, SWIR)의신호검출회로에관한것으로서, 보다상세하게는, 스위치를통해오피엠프(Op-amp)의적분기, 비교기동작변환을통해검출신호의크기를판별한뒤 신호크기에따른적분커패시터(Capacitor)를선택하여신호검출회로의잡음을최소화하며전하적분용량을증가시키는근적외선용신호검출회로및 이의제어방법에대한것이다.
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公开(公告)号：KR1019990025657A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
Abstract: 본 발명은 p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdZnTe의 이종접합을 이용한 독립적이면서 동시에 동작하는 이색 적외선 검출기(two color infrared detector)의 구조 및 제조방법 관한 것이다. 본 발명의 이색 적외선 검출기의 구조는 에너지 밴드갭이 다른 2층의 HgCdTe박막을 순차적으로 성장시킨 재료에 n-형 불순물 이온을 주입함으로써 형성한 npN 구조로 되어 있다.
즉, CdZnTe기판(1)위에 N-HgCdTe(13)/p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)층을 형성하여, 장파장 적외선(LWIR; Long Wave Length Infrared)이 입사하면 p-HgCdTe(23)층에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)로 구성되는 LW 포토다이오드(D1)로부터 광전류가 검출되고, 중파장의 적외선(MWIR; Middle Wave Length Infrared)이 입사하면 N-HgCdTe층(13)에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13)으로 구성되는 MW 포토다이오드(D2)로부터 광전류가 검출되며, p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13) 이종접합의 전도대에 생기는 전위장벽은 p-HgCdTe(23)에서 생성된 전자가 N-HgCdTe(13)층으로 넘어가는 것을 막아줌으로서 MWIR과 LWIR을 동시에 독립적으로 감지할 수 있다. 본발명의 상기 LW 포토다이오드(D1)와 MW 포토다이오드(D2)를 구성하고 있는 각각의 Hg
(1-x) Cd
(x) Te층의 x값을 변화시킴으로써 단파장 적외선(Short Wave Length Infrared; SWIR)과 MWIR을 동시에 검출하는 소자를 용이하게 구성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR102211848B1
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：KR1020190142090
申请日：2019-11-07
Abstract: 본발명은 Column D/A 변환기및 Column D/A 변환기의제어방법에관한것으로서, 적외선영상에대응되는영상신호를인가하는신호입력부, 상기인가된영상신호로부터출력부구동을위한전류를출력하는전류구동부, 상기전류를수신하여적외선영상을방출하는출력부를포함하고, 상기신호입력부는, 상호이격되어배치되어각각의열을형성하는복수의변환기및 상기변환기에복수의기준전압을제공하는전압제공부를포함하며, 각변환기는상기제공받은복수의기준전압중 적어도두 개의기준전압을선택해디지털신호를아날로그신호로변환하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101844153B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020160114981
申请日：2016-09-07
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01R19/25 , G01R19/257 , G01R19/255 , G01R19/165 , G01R15/00 , G01R15/16
Abstract: 본발명은근적외선(Short Wavelength Infra-Red, SWIR) 센서용 신호검출회로에관한것으로서, 보다상세하게는각 픽셀(Pixel)의센서의신호크기에따라스스로적분커패시터(Integration Capacitor) 및적분시간(Integrate Time)을모두각 픽셀별로독립적으로조절하여적절한증폭값(gain)을찾도록함으로써, SWIR 센서에서초점면배열(FPA: Focal Plane Array)의동적영역(Intrascene Dynamic Range)을최대화할수 있는디지털신호검출회로및 이의제어방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170019730A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113937
申请日：2015-08-12
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은근적외선(Short Wavelength Infra-Red, SWIR)의신호검출회로에관한것으로서, 보다상세하게는, 스위치를통해오피엠프(Op-amp)의적분기, 비교기동작변환을통해검출신호의크기를판별한뒤 신호크기에따른적분커패시터(Capacitor)를선택하여신호검출회로의잡음을최소화하며전하적분용량을증가시키는근적외선용신호검출회로및 이의제어방법에대한것이다.
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公开(公告)号：KR100429387B1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020020003706
申请日：2002-01-22
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/1832 , H01L31/1032
Abstract: 본 발명은 적외선 감지소자 제조방법에 관한 것으로, 투명기판의 상부에 저농도 p형 HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 저농도 p형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 확산방지층을 형성하는 단계와; 수소 플라즈마를 이용하여 수소 이온 및 수소 원자를 상기 노출된 저농도 p형 HgCdTe층으로 확산시켜 저농도 n형 HgCdTe층을 형성하여, pn접합을 형성하는 단계와; 상기 확산방지층을 제거하고, 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부전면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 콘택홀을 형성하여 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 단계와; 상기 콘택홀 내에서 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부에 각각 접하는 플러그를 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 금속층을 증착하고, 패터닝하여 상기 플러그 각각에 접하며, 상기 절연층의 상부일부에 소정면적으로 위치하는 패드를 형성하는 단계로 구성되어 수소 플라즈마를 사용하여 저농도 p형 HgCdTe층의 일부에 선택적으로 수소 이온 또는 원자를 소정의 깊이로 확산시켜, 저농도 n형 HgCdTe층을 형성함으로써, 그 pn접합의 계면이 손상되는 것을 방지하여, 누설전류의 발생을 방지하는 효과와 아울러 단순한 공정을 사용하여 제조단가의 상승을 방지함과 아울러 수율을 증가시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 用于制造红外探测器的方法通过形成低浓度p型HgCdTe层，形成用于暴露低浓度p型HgCdTe层的一些上部的扩散防止层以及通过形成低浓度n型HgCdTe层来形成pn结 通过使用氢等离子体将氢离子和原子扩散到低浓度p型HgCdTe层。 氢离子或原子利用氢等离子体在一些低浓度p型HgCdTe层上扩散到预定深度以形成低浓度n型HgCdTe层，从而防止pn结的界面损坏，从而 可以防止泄漏电流，由于简单的工艺，制造成本不会增加并且产量增加。
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公开(公告)号：KR1020030063540A
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：KR1020020003706
申请日：2002-01-22
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/1832 , H01L31/1032
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an infrared detector is provided to prevent an interface of a p-n junction of HgCdTe from being damaged and prevent a leakage current by selectively making hydrogen ions or atoms diffused to a predetermined depth of a low density p-type HgCdTe layer while using hydrogen plasma. CONSTITUTION: The low density p-type HgCdTe layer(2) is formed on a transparent substrate(1). A diffusion barrier layer is formed to expose a predetermined part of the upper portion of the low density p-type HgCdTe layer. Hydrogen ions and hydrogen atoms are diffused to the exposed low density p-type HgCdTe layer to form a low density n-type HgCdTe layer(4) by using hydrogen plasma so that the p-n junction is formed. The diffusion barrier layer is removed. An insulation layer is formed on the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer. A contact hole is formed in the insulation layer to expose a predetermined portion of the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer. A plug is formed which contacts the upper portion of the low density p-type HgCdTe layer and the low density n-type HgCdTe layer in the contact hole. A metal layer is deposited on the resultant structure and is patterned to form a pad that contacts the plug and has a predetermined area on a part of the upper portion of the insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造红外检测器的方法，以防止HgCdTe的pn结的界面受损，并通过选择性地使氢离子或原子扩散到低密度p型HgCdTe层的预定深度来防止漏电流 同时使用氢等离子体。 构成：低密度p型HgCdTe层（2）形成在透明基板（1）上。 形成扩散阻挡层以暴露低密度p型HgCdTe层的上部的预定部分。 氢离子和氢原子扩散到暴露的低密度p型HgCdTe层，通过使用氢等离子体形成低密度n型HgCdTe层（4），从而形成p-n结。 去除扩散阻挡层。 在低密度p型HgCdTe层和低密度n型HgCdTe层上形成绝缘层。 在绝缘层中形成接触孔，露出低密度p型HgCdTe层和低密度n型HgCdTe层的预定部分。 形成与接触孔中的低密度p型HgCdTe层的上部和低密度n型HgCdTe层接触的插塞。 金属层沉积在所得结构上，并被图案化以形成接触插塞的垫，并且在绝缘层的上部的一部分上具有预定区域。
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公开(公告)号：KR100253660B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/02966 , H01L31/11
Abstract: PURPOSE: A structure of a two color infrared detector and a manufacturing method thereof are to change x value of Hg(1-x)Cd(x)Te layer consisting of a long wavelength(LW) photodiode and a middle wavelength(MW) photodiode, thereby constituting a device for detecting short wavelength infrared(SWIR) and middle wavelength infrared(MWIR) simultaneously. CONSTITUTION: The two color infrared detector comprises a semiconductor substrate, an N-HgCdTe layer(13), a p-HgCdTe layer(23) and an n-HgCdTe layer(33). The N-HgCdTe layer is formed on the semiconductor substrate and has a large energy band gap. The p-HgCdTe layer is formed on the N-HgCdTe layer and has a small energy band gap. Another n-HgCdTe layer is formed on the p-HgCdTe layer and is of small energy band gap. The semiconductor substrate comprise a CdZnTe layer. The N-HgCdTe layer is formed of N-Hg0.692Cd0.308Te layer or N-Hg0.636Cd0.364Te layer. The p-HgCdTe layer is formed of p-Hg0.78Cd0.22Te layer or p-Hg0.692Cd0.308Te layer.
Abstract translation: 目的：双色红外检测器的结构及其制造方法是改变由长波长（LW）光电二极管和中波长（MW）光电二极管组成的Hg（1-x）Cd（x）Te层的x值 从而构成同时检测短波长红外（SWIR）和中波长红外（MWIR）的装置。 构成：双色红外检测器包括半导体衬底，N-HgCdTe层（13），p-HgCdTe层（23）和n-HgCdTe层（33）。 N-HgCdTe层形成在半导体衬底上并且具有大的能带隙。 p-HgCdTe层形成在N-HgCdTe层上，具有小的能带隙。 在p-HgCdTe层上形成另一个n-HgCdTe层，其能带隙较小。 半导体衬底包括CdZnTe层。 N-HgCdTe层由N-Hg0.692Cd0.308Te层或N-Hg0.636Cd0.364Te层形成。 p-HgCdTe层由p-Hg0.78Cd0.22Te层或p-Hg0.692Cd0.308Te层形成。
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