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公开(公告)号：KR1020120060017A
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020100121567
申请日：2010-12-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/3211 , H01J37/32458 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma sources and a plasma generating apparatus including the same are provided to intensify a magnetic field induced through ferrite by mounting an arc-shaped ferrite structure on a helical antenna coil. CONSTITUTION: A plasma generating device(1) comprises a reaction chamber(10), a plasma source(20), a dielectric structure(30), and a power supply unit(40). The reaction chamber forms a reaction space for processing a substrate. A gas nozzle(11) is formed in the sidewall of the reaction chamber to let in the reaction gas from the outside. The plasma source is composed of an antenna coil(21) and a ferrite structure(23). The dielectric structure insulates the reaction chamber and the plasma source. The power supply unit is electrically connected to one end of the helical antenna coil.
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体源和包括该等离子体源的等离子体产生装置，以通过在弧形天线线圈上安装弧形铁氧体结构来增强由铁素体引起的磁场。 构成：等离子体产生装置（1）包括反应室（10），等离子体源（20），电介质结构（30）和电源单元（40）。 反应室形成用于处理基板的反应空间。 气体喷嘴（11）形成在反应室的侧壁中以从外部引入反应气体。 等离子体源由天线线圈（21）和铁氧体结构（23）构成。 电介质结构使反应室和等离子体源绝缘。 电源单元电连接到螺旋天线线圈的一端。
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公开(公告)号：KR100748392B1
公开(公告)日：2007-08-10
申请号：KR1020060060244
申请日：2006-06-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치에 관한 것으로서, 식각 또는 증착공정을 수행할 기판이 장착되는 스테이지, 스테이지와 분리 가능하고, 플라스마 처리장치 영역을 갖는 반응챔버, 반응챔버를 덮는 덮개, 반응챔버와 덮개를 결합하는 조립 프레임, 플라스마 처리장치 영역 내에서 배치되어 있으며, 일 측은 전원에 접속되고, 타 측은 접지되어 있는 다수의 안테나 조립체가 각각 병렬로 구성되는 제1 및 제2의 안테나 소스 및 각각의 안테나 조립체를 중심으로 양쪽에 각각 배치되는 다수의 자성체 조립체를 포함하며, 제1의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m개의 안테나 조립체를 구비하고, 제2의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m-1개의 안테나 조립체를 구비하며, 제1의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체와 제2의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체는 교대로 배치되고, 제1의 안테나 소스에 인가된 입력전력과 제2의 안테나 소스에 인가된 입력전력은 서로 다른 크기이고 동시에 인가되는 구성을 마련한다.
이와 같은 초대면적 플라스마 발생장치를 이용하는 것에 의해 플라스마의 균일도를 최대한 향상시킴으로써, 좀 더 나은 고밀도의 플라스마를 얻을 수 있다.
플라스마, 이중주파수, 유도전력부, 안테나소스, 안테나조립체-
公开(公告)号：KR101843622B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020150180844
申请日：2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101798720B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
Abstract translation: 本发明是无氯 - 由于简单和有效的方法，它包括通过在掺杂单层石墨烯，高透射率，低方块电阻，高的热稳定性和高柔性移动所述附加石墨捕集掺杂氯 因此，它可以与销很容易地生产，并且还，以及所涉及的控制，如销的厚度和电性能有利于预设置是使用掺杂工艺制造的销，和由其制备的多层石墨烯。
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公开(公告)号：KR101782212B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020150119461
申请日：2015-08-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은접촉저항을이용한나노용접방법에관한것으로, 나노와이어에전기에너지를직간접적으로인가하여, 나노와이어들간의접촉부위가접촉저항에의하여서로용접되도록함으로써, 나노와이어들간의전기전도도와거칠기(roughness)를개선할수 있고, 기판등의다른부분에악영향을미치지않으므로, 플렉서블기판이나대면적기판에적용가능한장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用接触电阻的纳米焊接方法，其中将电能直接或间接地施加到纳米线，使得纳米线之间的接触部分通过接触电阻彼此焊接，从而导电率和粗糙度 可以改善粗糙度，并且不会对衬底等的其他部分产生不利影响，因此，本发明可以应用于柔性衬底或大面积衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170072988A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150180844
申请日：2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明块通过使用含有，下部嵌段共聚物的固化性和热稳定性的简单的表面上的气体，没有任何额外的制造过程通过等离子体处理固化所述嵌段共聚物表面涉及硫与共聚物的表面硬化方法， 并且被廉价地固化，使得可以直接通过嵌段共聚物掩模执行硅和包括硅的蚀刻溶液的选择性蚀刻。
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公开(公告)号：KR1020160030845A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020150120450
申请日：2015-08-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/268 , H01L51/52 , H01L51/00 , H01L27/32
Abstract: 본발명은박막을형성하는방법과디스플레이장치에관한것이다. 본발명에따른대상체상에박막을형성하는방법은, 플라즈마를이용한화학기상증착및 레이저를이용하여제1박막을형성하는제1 모드와; 플라즈마를이용한화학기상증착으로제2박막을형성하는제2모드를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜形成方法和显示装置。 形成薄膜的方法可以制造质量好的薄膜，同时减少制造时间。 根据本发明，用于在物体上形成薄膜的方法包括：通过使用等离子体和激光的化学气相沉积形成第一薄膜的第一模式; 以及通过使用等离子体的化学气相沉积形成第二薄膜的第二模式。
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公开(公告)号：KR101569285B1
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020140095984
申请日：2014-07-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 플라즈마의생성영역조절이가능한대면적플라즈마발생장치가개시된다. 상기플라즈마발생장치는플라즈마가생성되는진공챔버, 기판이안착되는서셉터가상기진공챔버내부에구비되고, 플라즈마의생성영역을제한하기위한플라즈마생성영역제한부재를포함한다. 상기플라즈마생성영역제한부재는플라즈마생성영역을 4면에서둘러싸는형태를취하도록마주보며위치하는두 쌍의플라즈마생성영역제한부재를포함하며, 그중 한쌍의플라즈마생성영역제한부재의폭은나머지한 쌍의플라즈마생성영역제한부재의폭 보다좁은것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170122910A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160051747
申请日：2016-04-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67115
Abstract: 본발명은원자층식각방법에관한것으로서, 본발명에따른원자층식각방법은원자층제거시램프의광원을이용한가열을통해피식각물질층의상면및 측면을동시에제거가능하여수 나노미터스케일의패턴이더라도쉽게평면적크기를줄일수 있는원자층식각방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及原子层蚀刻方法，在根据本发明的原子层蚀刻方法中，可以通过使用灯的光源的加热同时去除层状材料的上表面和侧表面， 提供了即使使用图案也能够容易地减小平面尺寸的原子层蚀刻方法。
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公开(公告)号：KR1020170055617A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
Abstract translation: 本发明基于以下发现：一种简单而有效的方法，包括通过在氯预先预掺杂的单层石墨烯上移动额外的石墨烯来俘获掺杂的氯，具有高渗透性，低薄层电阻，高热稳定性和高柔性 本发明提供一种石墨烯的制造方法及石墨烯层的制造方法，该石墨烯的制造方法使用能够容易地制造石墨烯且容易控制石墨烯的厚度和电特性的预掺杂。
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