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公开(公告)号：KR1020160133610A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066162
申请日：2015-05-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은하이브리드투명전극및 이를포함하는디스플레이소자에관한것으로, 상기하이브리드투명전극은투명기판및 상기투명기판에임베디드된금속나노와이어또는금속나노메쉬를포함하는금속나노구조체를포함하는제1전극층; 및전도성 2차원물질을포함하는제2전극층을포함하고, 상기금속나노구조체의일부가상기제2전극층에접촉하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 표면거칠기가개선되고디스플레이소자의표면으로전류의스프레딩이향상되며일함수조절이가능한투명전극을제공하여디스플레이소자또는플렉서블소자에유용하게적용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160130017A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020150061732
申请日：2015-04-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은투명전극의제조방법및 이에의해제조된투명전극에관한것으로, 상기투명전극의제조방법은기재를준비하는기재준비단계; (1) 상기기재를표면처리하거나, (2) 상기기재에유기용매를코팅하여유기용매레이어를형성시키는기재처리단계; 상기기재상에금속나노와이어또는금속나노메쉬를코팅하는금속코팅단계; 상기금속나노와이어또는금속나노메쉬상에고분자, 산화물및 질화물중 적어도하나를포함한물질을코팅하여제1전극층을형성하는제1전극층형성단계; 및상기기재를제거하는기재제거단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 표면거칠기가개선된투명전극을제공하여디스플레이소자또는플렉서블소자에유용하게적용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130011648A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072953
申请日：2011-07-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/194 , B01J19/28
Abstract: PURPOSE: A graphene etching device and a graphene etching method using the same are provided to prevent additional etching by performing discharging without remaining reactive gas. CONSTITUTION: A graphene etching device is composed of a buffer chamber(200), an adsorption chamber(100), and a desorption chamber(300). A graphene substrate(500) is loaded in the buffer chamber. An adsorption process is performed in the adsorption chamber for the graphene substrate. A desorption process is performed in the desorption chamber for the graphene substrate. The buffer chamber is placed between the adsorption chamber and the desorption chamber. The buffer chamber includes a transfer device(210), and the transfer device transfers the graphene substrate to the inside of the adsorption chamber or the desorption chamber. The graphene substrate adsorbed in the adsorption chamber is transferred to the buffer chamber, in standby for a previously set time, and transferred to the desorption chamber. [Reference numerals] (AA) Exhaust
Abstract translation: 目的：提供石墨烯蚀刻装置和使用其的石墨烯蚀刻方法，以通过在没有残留的反应气体的情况下进行放电来防止附加蚀刻。 构成：石墨烯蚀刻装置由缓冲室（200），吸附室（100）和解吸室（300）构成。 石墨烯衬底（500）装载在缓冲室中。 在用于石墨烯衬底的吸附室中进行吸附过程。 在用于石墨烯衬底的解吸室中进行解吸处理。 缓冲室被放置在吸附室和解吸室之间。 缓冲室包括转移装置（210），并且转移装置将石墨烯衬底转移到吸附室或解吸室的内部。 吸附在吸附室中的石墨烯衬底被转移到缓冲室中，待机预先设定的时间，并转移到解吸室。 （附图标记）（AA）排气
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公开(公告)号：KR101347656B1
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020120139406
申请日：2012-12-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0046 , H01L51/5092
Abstract: The present invention relates to an organic light emitting device including doped fullerene by metal oxide and/or carbonic metal, a manufacturing method thereof, a light emitting device including the same, and a display device including the same.
Abstract translation: 本发明涉及一种包含金属氧化物和/或碳金属的掺杂富勒烯的有机发光器件及其制造方法，包括该有机发光器件的发光器件和包括该发光器件的显示器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170055617A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
Abstract translation: 本发明基于以下发现：一种简单而有效的方法，包括通过在氯预先预掺杂的单层石墨烯上移动额外的石墨烯来俘获掺杂的氯，具有高渗透性，低薄层电阻，高热稳定性和高柔性 本发明提供一种石墨烯的制造方法及石墨烯层的制造方法，该石墨烯的制造方法使用能够容易地制造石墨烯且容易控制石墨烯的厚度和电特性的预掺杂。
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公开(公告)号：KR1020170024632A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150119461
申请日：2015-08-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은접촉저항을이용한나노용접방법에관한것으로, 나노와이어에전기에너지를직간접적으로인가하여, 나노와이어들간의접촉부위가접촉저항에의하여서로용접되도록함으로써, 나노와이어들간의전기전도도와거칠기(roughness)를개선할수 있고, 기판등의다른부분에악영향을미치지않으므로, 플렉서블기판이나대면적기판에적용가능한장점이있다.
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公开(公告)号：KR102247692B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020200103982
申请日：2020-08-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , H01L29/16 , H01L21/324 , H01L21/027
Abstract: 펠리클구조체가개시된다. 펠리클구조체는다층그래핀으로형성된그래핀막; 및그래핀막의하부에부착또는결합되고, 가운데부분에상기그래피막을노출시키는관통개구가형성된프레임지지체를구비한다. 그리고프레임지지체는 n-형실리콘(n-type Si) 또는 p-형실리콘(p-type Si)으로형성된실리콘프레임부; 및그래핀막과실리콘프레임부사이에배치되어실리콘프레임부와그래핀막사이의원소확산을방지하는확산방지프레임부를구비한다.
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公开(公告)号：KR101798720B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
Abstract translation: 本发明是无氯 - 由于简单和有效的方法，它包括通过在掺杂单层石墨烯，高透射率，低方块电阻，高的热稳定性和高柔性移动所述附加石墨捕集掺杂氯 因此，它可以与销很容易地生产，并且还，以及所涉及的控制，如销的厚度和电性能有利于预设置是使用掺杂工艺制造的销，和由其制备的多层石墨烯。
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