公开(公告)号：KR1020140125807A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：KR1020147023376

申请日：2013-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코가즈시 ,  후나자키가즈노리 ,  가토히데오

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01Q13/22

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4682

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 그 내부에서 플라즈마에 의한 처리를 행하는 처리 용기와, 처리 용기 밖에 배치되어 고주파를 발생시키는 마이크로파 발생기(41)를 포함한다. 마이크로파 발생기(41)에 의해 발생시킨 고주파를 이용하여 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구를 구비한다. 여기서, 마이크로파 발생기(41)는, 고주파를 발진하는 마그네트론(42)과, 마그네트론(42)이 발진하는 기본 주파수와 동일한 주파수로서 이주파 성분을 감소시킨 신호를 마그네트론(42)에 주입하는 주입 수단으로서의 분기 회로(61)를 포함한다.