Abstract:
본 발명은 기판 처리 장치의 기판 처리부에 미리 정해진 유량·미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에서는, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량 이상이 되도록 처리액 공급부(24)로부터 처리액을 공급하고, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량인 경우에는, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부(24)로부터 공급하도록 제어한다.
Abstract:
A liquid processing apparatus and process liquid supplying method are provided to accurately and quickly measure the concentration of the processing liquid by using the measuring unit for measuring the conductivity of the chemical solution. The processed article is processed by the processing liquid in the processing unit(80). The supply furnace(1) is connected to the processing unit. The solvent supply part(7) supplies solvent to the supply path. The chemical supply part(6) supplies the chemical solution to the supply path. The supply path is connected through connection points(25a, 35a, 45a) to the supply path. The measuring unit(10) is installed at the connection point and measures the conductivity of the drug solution. The additional chemical supply part(11) is connected to the downstream side of the measurement place.
Abstract:
반도체 웨이퍼의 세정 시스템의 약액세정부는 처리용기를 가진다. 용기의 바닥부에는 2개의 세정액 공급구가 형성된다. 용기내에는 복수의 웨이퍼를 간격을 두고 배열하는 홀더가 설치된다. 공급구와 홀더와의 사이에는 정류판이 설치되고, 공급구와 정류판과의 사이에 확산판이 설치된다. 웨이퍼의 배열방향으로 뻗은 확산판의 양쪽 가장자리의 바로위에 위치하도록 정류판의 아래면에 기포받이가 설치된다. 기포받이는 배기구멍 및 배기관을 통하여 용기의 외부에 접속된다. 공급구로 부터 공급되는 세정액중의 기포는 기포받이로 부터 배기관을 통하여 용기 바깥으로 방출되고, 이 때문에 웨이퍼는 기포의 영향을 받지 않게 된다.
Abstract:
반도체 웨이퍼의 세정 시스템의 약액세정부는 처리용기를 가진다. 용기의 바닥부에는 2개의 세정액 공급구가 형성된다. 용기내에는 복수의 웨이퍼를 간격을 두고 배열하는 홀더가 설치된다. 공급구와 홀더와의 사이에는 정류판이 설치되고, 공급구와 정류판과의 사이에 확산판이 설치된다. 웨이퍼의 배열방향으로 뻗은 확산판의 양쪽 가장자리의 바로 위에 위치하도록 정류판의 아래면에 기포받이가 설치된다. 기포받이는 배기구멍 및 배기관을 통하여 용기의 외부에 접속된다. 공급구로부터 공급되는 세정액중의 기포는 기포받이로부터 배기관을 통하여 용기 바깥으로 방출되고, 이 때문에 웨이퍼는 기포의 영향을 받지 않게 된다.