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公开(公告)号:KR100236412B1
公开(公告)日:1999-12-15
申请号:KR1019940020357
申请日:1994-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/04 , Y10S134/902
Abstract: 반도체 웨이퍼의 세정 시스템의 약액세정부는 처리용기를 가진다. 용기의 바닥부에는 2개의 세정액 공급구가 형성된다. 용기내에는 복수의 웨이퍼를 간격을 두고 배열하는 홀더가 설치된다. 공급구와 홀더와의 사이에는 정류판이 설치되고, 공급구와 정류판과의 사이에 확산판이 설치된다. 웨이퍼의 배열방향으로 뻗은 확산판의 양쪽 가장자리의 바로위에 위치하도록 정류판의 아래면에 기포받이가 설치된다. 기포받이는 배기구멍 및 배기관을 통하여 용기의 외부에 접속된다. 공급구로 부터 공급되는 세정액중의 기포는 기포받이로 부터 배기관을 통하여 용기 바깥으로 방출되고, 이 때문에 웨이퍼는 기포의 영향을 받지 않게 된다.
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公开(公告)号:KR1019950007014A
公开(公告)日:1995-03-21
申请号:KR1019940020357
申请日:1994-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼의 세정 시스템의 약액세정부는 처리용기를 가진다. 용기의 바닥부에는 2개의 세정액 공급구가 형성된다. 용기내에는 복수의 웨이퍼를 간격을 두고 배열하는 홀더가 설치된다. 공급구와 홀더와의 사이에는 정류판이 설치되고, 공급구와 정류판과의 사이에 확산판이 설치된다. 웨이퍼의 배열방향으로 뻗은 확산판의 양쪽 가장자리의 바로 위에 위치하도록 정류판의 아래면에 기포받이가 설치된다. 기포받이는 배기구멍 및 배기관을 통하여 용기의 외부에 접속된다. 공급구로부터 공급되는 세정액중의 기포는 기포받이로부터 배기관을 통하여 용기 바깥으로 방출되고, 이 때문에 웨이퍼는 기포의 영향을 받지 않게 된다.
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公开(公告)号:KR1020140004088A
公开(公告)日:2014-01-10
申请号:KR1020137013365
申请日:2011-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/2059 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67757 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: (과제) 기판의 피처리면에 형성되어 있는 다공질의 반도체층에 색소를 흡착시키는 공정의 처리 시간을 대폭 단축하는 것.
(해결수단) 이 색소 흡착 유닛(20)은, 배치 처리 매수의 기판(G)에 일괄의 색소 흡착 처리를 실시하기 위해, 상면이 개구된 처리조(30)를 구비하며, 처리조(30) 주위의 가동계로서, 처리조(30) 안으로 그 상면 개구로부터 출입 가능한 보트(32)와, 이 보트(32)를 처리조(30)에 출입시키기 위한 보트 반송부(34)와, 처리조(30)의 상면 개구를 착탈 가능하게 막기 위한 상부 덮개(36)를 가지고 있다. 또한, 이 색소 흡착 유닛(20)은, 처리조(30) 내에 색소 용액을 공급하기 위해 색소 용액 공급부를 구비하고, 처리중에 처리조 내에서 색소 용액의 흐름을 제어하기 위해 흐름 제어부를 구비한다.-
公开(公告)号:KR1020090091059A
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:KR1020090014311
申请日:2009-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/343 , G03F7/422 , G03F7/70908 , H01L21/67028
Abstract: A method for treating substrates is provided to perform the stable melting by forming the new resist pattern by dissolving the resist pattern used as the etching mask. The photoresist pattern used as the etching mask of the background film is exposed to the deionized water(W) for the designated time. The air is sprayed onto the substrate(G) and the deionized water is removed. The photoresist pattern is exposed to the solvent and is dissolved, and the predetermined area is masked. The photoresist pattern used as the etching mask of the background film is exposed to the deionized water. The deionized water is supplied to the top of the substrate to clean the developing solution. The deionized water is supplied to the substrate for 10 seconds.
Abstract translation: 提供一种处理基板的方法,通过溶解用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案,通过形成新的抗蚀剂图案来进行稳定的熔融。 用作背景膜的蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案暴露于去离子水(W)指定的时间。 将空气喷雾到基底(G)上,并去除去离子水。 将光致抗蚀剂图案暴露于溶剂并溶解,并且预定区域被掩蔽。 用作背景膜的蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案暴露于去离子水。 将去离子水供应到基材的顶部以清洁显影液。 将去离子水供应到基材10秒钟。
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公开(公告)号:KR101782192B1
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:KR1020130068528
申请日:2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05C5/0258 , B05C5/0254 , H01L21/6715 , Y10T137/0318
Abstract: 노즐에의도포액의충전작업을효율화시키는것을과제로한다. 실시형태에따른도포장치는, 노즐과, 이동기구와, 압력조정부와, 압력제어부를구비한다. 노즐은, 도포액이저류되는저류실과, 저류실에연통하는슬릿형의유로를구비하고, 유로의선단에형성되는토출구로부터도포액을토출한다. 이동기구는, 노즐과기판을기판의표면을따라상대적으로이동시킨다. 압력조정부는, 저류실의내부의압력을조정한다. 압력제어부는, 압력조정부를제어하여저류실의내부의압력을조정한다. 압력제어부는, 압력조정부를제어하여, 저류실의내부를부압으로하고, 또한, 부압으로한 저류실의내부의압력을서서히저하시키면서, 저류실의내부에도포액을충전한다.
Abstract translation: 有必要使喷嘴上的涂布液的填充操作更有效。 根据该实施例的包装装置包括喷嘴,移动机构,压力调节部和压力控制部。 喷嘴具有储存涂布液的储藏室和与储藏室连通的狭缝状的流路,并且从形成在流路的前端的喷出口喷出涂布液。 移动机构沿着基板的表面相对地移动喷嘴和基板。 压力调节部分调节储存室内的压力。 压力控制单元控制压力调节单元以调节保持室内的压力。 压力控制部分控制压力调节部分,以逐渐降低贮存室内的设定为负压的贮存室的内部压力,同时将贮存室中的涂布液充入。
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公开(公告)号:KR1020140033323A
公开(公告)日:2014-03-18
申请号:KR1020137018337
申请日:2012-01-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/02 , H01L31/04 , H01M14/00
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67173 , H01L21/67727 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L21/67703 , H01L21/67754 , H01L21/68707
Abstract: 매엽 처리 또는 배치 처리의 종류에 관계없이, 기판에 실시하는 일련의 처리를 신규한 기판 반송 방식에 의해 효율적으로 또한 고작업 처리량으로 행하는 것.
이 기판 처리 장치는, 가로로 긴 프로세스 스테이션(10)을 시스템 중심부에 배치하고, 그 길이 방향(X 방향)의 양측 단부에 로더(12) 및 언로더(14)를 연결하고 있다. 프로세스 스테이션(10)은, 로더(12)로부터 언로더(14)를 향하여 시스템 길이 방향(X 방향)으로 직선으로 연장되는 반송 라인(28)을 가지며, 이 반송 라인(28)을 사이에 두고 그 좌우 양측에 다수 및 다종류의 처리 유닛(44∼54)을 배치하고 있다. 반송 라인(28) 상에는, 복수의 매엽 반송 기구(30, 32, 34, 36)와 복수의 셔틀 반송부(38, 40, 42)가 교대로 나란히 일렬로 배치되어 있다.-
公开(公告)号:KR1020150007946A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:KR1020140079858
申请日:2014-06-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 데라다다카시
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/677 , H01L21/324 , H01L21/304 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/6715 , H01L21/67155 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 표면에 복수의 회로가 형성된 기판 상에 대한 도포막의 성막을 효율적으로 행하여, 그 성막 처리의 작업 처리량을 향상시키는 것을 과제로 한다.
성막 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 갖고 있다. 처리 스테이션(3)은, 웨이퍼(W)의 표면에 도포액을 도포하는 도포 장치(40, 41)와, 도포막이 성막된 웨이퍼(W)를 열처리하는 제1 열처리 장치(30∼33) 및 제2 열처리 장치(34)와, 열처리된 웨이퍼(W)의 표면의 도포막을 연삭하는 연삭 장치(50)와, 도포막이 연삭된 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(51)와, 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 웨이퍼 반송 영역(70)을 갖는다.Abstract translation: 本发明的目的是通过在表面上形成多个膜的基板上有效地形成涂膜来改善成膜处理量。 成膜系统(1)包括输入/输出站(2)和处理站(3)。 处理站包括:将涂布溶液施加到晶片(W)的表面上的涂布装置(40和41); 第一热处理设备(30至33)和第二热处理设备(34),用于热处理其上形成有涂膜的晶片(W); 研磨装置(50),用于研磨被热处理的晶片(W)的表面上的涂膜; 用于清洁其中研磨所述涂膜的晶片(W)的清洁设备(51); 和传送晶片(W)的转印区域(70)。
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公开(公告)号:KR1020140001119A
公开(公告)日:2014-01-06
申请号:KR1020130068528
申请日:2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05C5/0258 , B05C5/0254 , H01L21/6715 , Y10T137/0318
Abstract: The purpose of the present invention is to realize an effective filling process of a coating liquid on a nozzle. According to an embodiment of the present invention, a coating apparatus comprises a nozzle, a moving device, a pressure modulator, and a pressure controller. The nozzle comprises: a retention room where the coating liquid is stored; and a slit type passage connected to the retention room. The nozzle ejects the coating liquid from a discharge hole formed in the front end of the passage. The moving device moves the nozzle and a substrate relatively along the surface of the substrate. The pressure modulator modulates the pressure inside of the retention room. The pressure controller modulates the pressure inside of the retention room by controlling the pressure modulator. The pressure controller, by controlling the pressure modulator, makes the inside of the retention room be under a negative pressure, and also fills the coating liquid while decreasing the pressure of the retention room. [Reference numerals] (AA) Pressure in small chambers Sa to Sc; (BB) Liquid height
Abstract translation: 本发明的目的是实现喷嘴上的涂布液的有效填充过程。 根据本发明的一个实施例,涂覆装置包括喷嘴,移动装置,压力调节器和压力控制器。 所述喷嘴包括:保存所述涂布液的保留室; 以及连接到保持室的狭缝型通道。 喷嘴从形成在通道前端的排出孔喷射涂布液。 移动装置沿着衬底的表面相对移动喷嘴和衬底。 压力调节器调节保留室内部的压力。 压力控制器通过控制压力调节器来调节保留室内部的压力。 通过控制压力调节器,压力控制器使保持室的内部处于负压下,并且在降低保持室的压力的同时填充涂布液。 (附图标记)(AA)小室Sa至Sc中的压力; (BB)液体高度
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公开(公告)号:KR1020150007957A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:KR1020140083012
申请日:2014-07-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/208 , H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/6715 , H01L21/67167
Abstract: 본 발명은 표면에 복수의 회로가 형성된 기판 상에 대한 도포액의 공급량을 소량으로 억제하면서, 기판 상에 대한 도포막의 성막 처리를 적절하게 행하는 것을 과제로 한다.
성막 시스템은, 웨이퍼(W)의 표면의 도포막을 연삭하는 연삭 장치(50)와, 도포막이 연삭된 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(51)와, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(55)를 갖는다. 세정 장치(51)는, 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 표면 세정 유닛(350)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 유닛(351)과, 웨이퍼(W)의 표면을 마무리 세정하는 마무리 세정 유닛(352)을 갖는다. 반송 장치(55)는, 제1 반송 아암(420)과, 제2 반송 아암(421)과, 제3 반송 아암(422)을 갖는다.Abstract translation: 本发明的目的是抑制和提供在基板上的涂布溶液的量,在基板上形成多个电路,并在基板上形成涂膜。 成膜系统包括研磨装置(50),用于研磨晶片表面上的涂膜(W),清洁装置(51)以清洁其中研磨涂膜的晶片(W),以及 传送装置(55)以传送晶片(W)。 清洁装置包括用于清洁晶片(W)的表面的前表面清洁单元(350)和用于清洁基板的后表面的后表面清洁单元(351)。 传送装置(55)包括第一传送臂(420),第二传送臂(421)和第三传送臂(421)。
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公开(公告)号:KR1020140004087A
公开(公告)日:2014-01-10
申请号:KR1020137013364
申请日:2011-10-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2068 , Y02E10/542
Abstract: 본 발명은 기판 표면 위의 다공질 반도체층에 색소를 흡착시키는 공정의 처리 시간을 대폭 단축하는 것을 과제로 한다.
처리중에, 노즐(20)의 용액 안내면(92L, 92R)과 기판(G) 사이의 갭 내에 색소 용액의 흐름이 형성되고, 기판 피처리면의 다공질 반도체층은 그와 같은 색소 용액의 흐름 속에서 색소 흡착 처리를 받는다. 또한, 색소 용액이 흐름에 더하여, 슬릿형 토출구(88L, 88R)로부터의 충격 압력과 홈형 요철부(94L, 94R)에서의 난류의 압력이 연직 방향으로 작용한다. 이것에 의해, 기판 피처리면의 다공질 반도체층의 표층부에서 색소들 간의 응집 또는 회합이 일어나기 어렵고, 다공질 반도체층의 안쪽 깊이 색소가 효율적으로 침투하며, 다공질 반도체층에의 색소 흡착이 고속으로 진행된다.
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