Abstract:
본 발명에 따른 초음파 세정 장치는, 세정액을 저류하는 세정조와, 세정조 내에 삽입 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하여 세정액에 침지시키는 피처리체 유지 장치와, 세정조의 바닥부에 설치된 진동자와, 진동자에 초음파 진동을 발생시키는 초음파 발진 장치를 구비하고 있다. 세정조 내에는 피처리체를 유지하는 측부 유지 부재가 설치되어 있다. 또한, 피처리체 유지 장치는, 구동 장치에 의해 측방으로 이동하도록 되어 있다. 제어 장치는, 피처리체를 측부 유지 부재에 유지시킨 후, 피처리체 유지 장치를 측방으로 이동시키도록 구동 장치를 제어하고, 진동자에 초음파 진동을 발생시켜 진동자로부터의 초음파 진동을 피처리체에 전파시키도록 되어 있다.
Abstract:
본 발명은 2종류 이상의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 신속하고 또 정확하게 약액의 농도를 측정할 수 있고, 또한, 비교적 옅은 농도의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 정확하게 약액의 농도를 측정하는 것을 과제로 한다. 액처리 장치는, 처리액에 의해 피처리체를 처리하는 처리부(80)와, 처리부(80)에 연결되며, 상기 처리부(80)에 처리액을 안내하는 공급로(1)와, 공급로(1)에 용매를 공급하는 용매 공급부(7)와, 공급로(1)에 약액 공급로(6)를 통해 약액을 공급하고, 용매에 의해 희석된 약액을 생성하는 약액 공급부(5)를 포함한다. 공급로(1) 중 약액 공급로(6)가 연결된 연결 개소(25a, 35a, 45a)의 하류측에, 용매에 의해 희석된 약액의 도전율을 측정하는 측정부(10)가 설치된다. 공급로(1) 중 측정부(10)가 설치된 측정 개소(1Oa)의 하류측에, 추가 약액 공급로(3)를 통해 상기 약액과는 다른 추가 약액을 공급하는 추가 약액 공급부(11)가 연결된다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
A liquid treatment device, the liquid processing method and the storage media are provided to prevent the strain from being generated in the processed substrate by removing the alkali component within the casing of the liquid treatment device. The liquid treatment device comprises the casing(5), the substrate supporting device(20), the process liquid supply mechanism(30), the drainage cup(12) and drain tube(13). The substrate supporting device maintains the wafer(W). The process liquid supply mechanism comprises the first chemical supply tool and dry solution feed mechanism. The first chemical supply supplies the tool hydrofluoric acid based processing liquid. The dry solution feed mechanism supplies organic solvent for drying. The controller(50) supplies the hydrofluoric acid based processing liquid and controls the dry solution feed mechanism to supply the organic solvent.
Abstract:
반도체웨이퍼의 처리장치에 있어서, 반도체웨이퍼(W)를 처리하는 처리액을 저류하는 약물처리탱크(21a∼21c)와, 반도체웨이퍼(W)를 린스처리하는 린스액을 저류하는 린스액처리탱크(22a∼22c)를, 웨이퍼유지반송체(5)의 반송방향에 대하여 교차, 예컨대 직교하는 방향으로 직렬로 배치하고, 약물처리탱크(21a∼21c)와 린스액처리탱크(22a∼22c)와 인접하는 위치에, 웨이퍼유지반송체(5)와의 사이에서 반도체웨이퍼(W)를 주고받음과 동시에, 건네받은 반도체웨이퍼(W)를 약물처리탱크(21a ∼21c)와 린스액처리탱크(22a∼22c)로 이송하고, 또한 각 처리탱크내에 수용하는 웨이퍼보트(14) 부착 이송장치를 배치한다. 이에 따라, 처리장치의 소형화를 도모할 수 있음과 동시에 처리효율의 향상을 도모할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: Disclosed is a treating device and a treating method capable of preventing the generation of cross-contamination even if plural kinds of treating liquid are supplied to the same device. CONSTITUTION: The cleaning device(1) for applying cleaning processes to the wafer W in the order of SPM cleaning, rinse cleaning, SCI cleaning, rinse cleaning and drying treatment is provided with an outside cleaning chamber(2), an inside cleaning chamber(4) and an elevator structure(6) for taking in and out the inside cleaning chamber(4) into and from the outside cleaning chamber(2). The elevator structure(6) is switched to a state that the wafer W is housed in the inside cleaning chamber(4) when the SPM cleaning and the subsequent rinse cleaning are executed and is switched to a state that the wafer W is housed in the outside cleaning chamber(2) when the subsequent SCI cleaning and the final drying treatment are executed.
Abstract:
건조처리의 경우에 약액처리에 의한 악영향을 받지 않고, 또한 건조실 자체의 두께를 얇게 할 수 있으며, 감압하기 위해 사용하는 진공펌프 등의 저출력화를 도모할 수 있는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 상하로 분리함과 동시에 건조실(42)의 공간과 세정조(41)의 공간을 회전문짝(59a) 및 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐가능하고, 세정조(41)에서의 세정처리를 회전문짝(59a)으로 차폐하며, 건조실(42)의 건조처리를 슬라이드문짝(72)으로 밀폐·차폐해서 행하도록 구성했다.
Abstract:
본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.