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公开(公告)号：KR1019980070919A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980002510
申请日：1998-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명에 따른 기판이송 및 처리시스템은 일반적으로 피처리웨이퍼(W)가 수평상태로 수용되는 캐리어(1) 공급부와, 캐리어(1)의 반출부, 상기 캐리어(1)로부터 웨이퍼(W)를 인출하기 위한 웨이퍼인출암(14), 캐리어(1)로 웨이퍼를 적재하기 위한 웨이퍼적재암(16), 수평상태와 수직상태 사이에서 웨이퍼(W)의 자세를 변환하기 위한 자세변환수단(40), 웨이퍼(W)를 적절히 처리하기 위한 처리부(3) 및, 웨이퍼(W)를 자세변환유닛(40)과 처리부(3) 사이로 전달하고 웨이퍼(W)를 처리부에서 전달하기 위한 웨이퍼이송암(56)으로 이루어진다. 그러므로, 수평상태로 캐리어(1)에 수용된 웨이퍼가 인출되고 웨이퍼(W)의 자세가 수직상태로 변환된 후 적절한 처리가 수행되고, 이 처리 후 웨이퍼(W)의 자세가 수평상태로 변환되므로, 웨이퍼(W)는 캐리어(1)에 수용될 수 있다. 그러므로, 물체를 매끄럽게 세정하는 것이 가능하므로 반도체 디바이스의 생산에 있어서 그 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980024188A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970041360
申请日：1997-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 및 순수(1)를 수용하는 세정조(10)와, 이 세정조(10)에 장치되는 복수의 진동판(40a,40b)을 구비하는 초음파세정장치에 있어서, 각 진동판(40a,40b)의 발진기(60a,60b)의 출력의 위상을 동일한 발진원(50)에 의해 제어함으로써, 발진원(50)의 출력의 위상을 맞출 수 있고, 균일한 음압분포를 얻을 수 있다. 이에 따라, 진동판간의 초음파의 간섭을 없애고, 균일한 음압분포에 의해 파티클(particle)의 제거율을 균일하게 하여 세정효율의 향상을 도모할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101348437B1
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020080094029
申请日：2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B3/00 , G01N27/10
Abstract: 본 발명은 2종류 이상의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 신속하고 또 정확하게 약액의 농도를 측정할 수 있고, 또한, 비교적 옅은 농도의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 정확하게 약액의 농도를 측정하는 것을 과제로 한다.
액처리 장치는, 처리액에 의해 피처리체를 처리하는 처리부(80)와, 처리부(80)에 연결되며, 상기 처리부(80)에 처리액을 안내하는 공급로(1)와, 공급로(1)에 용매를 공급하는 용매 공급부(7)와, 공급로(1)에 약액 공급로(6)를 통해 약액을 공급하고, 용매에 의해 희석된 약액을 생성하는 약액 공급부(5)를 포함한다. 공급로(1) 중 약액 공급로(6)가 연결된 연결 개소(25a, 35a, 45a)의 하류측에, 용매에 의해 희석된 약액의 도전율을 측정하는 측정부(10)가 설치된다. 공급로(1) 중 측정부(10)가 설치된 측정 개소(1Oa)의 하류측에, 추가 약액 공급로(3)를 통해 상기 약액과는 다른 추가 약액을 공급하는 추가 약액 공급부(11)가 연결된다.-
公开(公告)号：KR1020130111953A
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020127032885
申请日：2011-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/3081 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 표면에 있어서, 소정의 패턴에 대응하는 개소에 복수의 개구부가 형성되고, 당해 개구부로부터 이면에 연통되는 유통로가 형성되고, 각 유통로에 있어서의 개구부와 반대측의 단부에는, 당해 각 유통로를 막는 개폐 가능하게 구성된 덮개가 설치되고, 또한 각 유통로에 에칭액이 충전된 템플릿의 표면을, 기판에 밀착시킨다. 이어서, 덮개를 개방 조작하여 각 유통로 내의 공기 배출을 행함으로써 개구부로부터 기판에 대하여 에칭액을 공급하고, 에칭액을 공급할 때에, 템플릿의 유통로의 내면에 배치된 가진 기구를 진동시킴으로써 에칭액을 진동시킨다. 가진 기구는, 평면에서 보아 에칭액이 유통로에서 와류를 형성하도록 배치되어 있다.
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公开(公告)号：KR101293394B1
公开(公告)日：2013-08-05
申请号：KR1020090073742
申请日：2009-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 기타하라시게노리
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: G05D7/0664 , H01L21/67023 , H01L21/67253
Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치의 기판 처리부에 미리 정해진 유량·미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 각 기판 처리부(11∼22)에 기판(2)을 순차 반송하고, 1개의 기판 처리부(11∼22)에서 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량 이상이 될 때까지 복수개의 기판 처리부(11∼22)에 기판(2)이 반송되는 것을 기다린 후에 복수개의 기판 처리부(11∼22)에서 처리액을 동시에 사용하도록 처리 시작 시간을 제어한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100022922A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：KR1020090073742
申请日：2009-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 기타하라시게노리
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: G05D7/0664 , H01L21/67023 , H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer readable recording medium having the substrate processing program therein are provided to reduce costs for driving a substrate processing apparatus by improving the usage of processing liquid. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises a plurality of substrate processing parts(11~22), a processing solution supply part(24), and a controller(25). The substrate processing unit processes the substrate(2) by using a processing liquid. The processing solution supply unit supplies a processing solution to the substrate processing unit. The controller controls the substrate processing unit and the processing solution supply unit. The controller controls a processing start time.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法和具有基板处理程序的计算机可读记录介质，以通过改进处理液的使用来降低驱动基板处理装置的成本。 构成：基板处理装置包括多个基板处理部（11〜22），处理液供给部（24）和控制部（25）。 基板处理单元通过使用处理液处理基板（2）。 处理液供给单元向基板处理单元供给处理液。 控制器控制衬底处理单元和处理溶液供应单元。 控制器控制处理开始时间。
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公开(公告)号：KR100347650B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019970041360
申请日：1997-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 및 순수(1)를 수용하는 세정조(10)와, 이 세정조(10)에 부착되는 복수의 진동판(40a,40b)을 구비하는 초음파세정장치에 있어서, 각 진동판(40a,40b)의 발진기(60a,60b)의 출력의 위상을 동일한 발진원(50)에 의해 제어함으로써, 발진원(50)의 출력의 위상을 맞출 수 있고, 균일한 음압분포를 얻을 수 있다. 이에 따라, 진동판간의 초음파의 간섭을 없애고, 균일한 음압분포에 의해 파티클(particle)의 제거율을 균일하게 하여 세정효율의 향상을 도모할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160144315A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020160068609
申请日：2016-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02252 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 표면개질장치의손상을억제하면서, 당해표면개질장치에있어서기판의표면을적절하게개질한다. 표면개질장치(30)는처리용기(100) 내에배치되어, 기판(S, S)이적재되는하부전극(110)과, 처리용기(100) 내에서하부전극(110)에대향해서배치되는상부전극(140)을갖는다. 하부전극(110)은플라즈마생성용의소정주파수의전압을인가하기위한고주파전원(134)에접속되고, 상부전극(140)은접지되어있다. 소정주파수는, 13MHz 내지 100MHz 중어느하나이다.
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公开(公告)号：KR1020100022923A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：KR1020090073803
申请日：2009-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 기타하라시게노리
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67051
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer readable recording medium having a substrate processing program therein are provided to reduce driving costs for a substrate processing apparatus by increasing the usage ratio of the processing liquid. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises a plurality of substrate processing unit(11~22), a processing solution supply unit(24), and a controller(25). The substrate processing unit processes the substrate(2) by using the processing liquid. The processing solution supply unit supplies a processing liquid to a plurality of substrate processing units. The processing solution supply unit generates the processing liquid of a predetermined concentration. The controller controls the substrate processing unit and the processing solution supply unit. The controller controls the processing solution supply unit to provide a predetermined concentration.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法以及其中具有基板处理程序的计算机可读记录介质，以通过增加处理液的使用比来降低基板处理装置的驱动成本。 构成：基板处理装置包括多个基板处理单元（11〜22），处理液供给单元（24）和控制器（25）。 基板处理单元通过使用处理液处理基板（2）。 处理液供给单元向多个基板处理单元供给处理液。 处理液供给部生成规定浓度的处理液。 控制器控制衬底处理单元和处理溶液供应单元。 控制器控制处理溶液供应单元以提供预定的浓度。
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公开(公告)号：KR100406337B1
公开(公告)日：2004-04-03
申请号：KR1019980002510
申请日：1998-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67769 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67757 , H01L21/67775 , H01L21/67778 , Y10S134/902
Abstract: A substrate transporting and processing system generally comprises: a supply section of a carrier 1 for housing therein wafers W to be processed, in a horizontal state; a discharge section of the carrier 1; a wafer unloading arm 14 for unloading the wafers W from said carrier 1; a wafer loading arm 16 for loading the wafers W into the carrier 1; an attitude changing unit 40 for changing the attitude of the wafers W between a horizontal state and a vertical state; a processing section 3 for suitably processing the wafers W; and a wafer transport arm 56 for delivering the wafers W between the attitude changing unit 40 and the processing section 3 and for transporting the wafers W into and from the processing section. Thus, after the wafers W housed in the carrier 1 in the horizontal state are unloaded and the attitude of the wafers W is changed into the vertical state, suitable processes are carried out, and the attitude of the wafers W is changed in the horizontal state after processing, so that the wafers W can be housed in the carrier 1. Thus, it is possible to decrease the size of the whole system to improve the throughput and to improve the yield of products.
Abstract translation: 基板搬运处理系统一般包括：载体1的供给部，其以水平状态收纳要处理的晶片W; 载体1的排出部分; 晶片卸载臂14，用于从所述载体1卸载晶片W; 用于将晶片W装载到载体1中的晶片装载臂16; 姿态改变单元40，用于改变晶片W在水平状态和垂直状态之间的姿态; 处理部分3，用于适当处理晶片W; 以及晶片传送臂56，用于在姿态改变单元40和处理部分3之间传送晶片W并用于将晶片W传送到处理部分和从处理部分传送。 因此，在将载置在水平状态的载体1中的晶片W卸载并使晶片W的姿态变为垂直状态之后，进行适当的处理，使晶片W的姿势变为水平状态 在处理之后，晶片W可以容纳在载体1中。因此，可以减小整个系统的尺寸以提高产量并提高产品的产量。 ＆lt;图像＆GT;
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