公开(公告)号：KR101240818B1

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：KR1020107006750

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와카미마사토 ,  나가세키스미에 ,  이토도루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 전기적 음성 가스에 의해 플라즈마 처리를 실행할 때에, 플라즈마 중의 이온 밀도를 제어함으로써 플라즈마 처리의 면내 균일성을 종래 이상으로 향상시킨다. 처리실(102) 내에, 전기적 음성 가스인 처리 가스를 처리 가스원(170)으로부터 도입하는 동시에, 이 처리 가스보다도 전자 부착 계수가 큰 전기적 음성 가스를 첨가 가스원(180)으로부터 첨가 가스로서 도입해서 플라즈마를 형성하고, 그 때에 처리 가스에 대한 처리 가스의 유량을 조정하는 것으로 플라즈마 중의 이온 밀도를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020110127285A

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：KR1020117025754

申请日：2010-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠자키가즈요시 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67389

Abstract: 종래의 온도 조정 방법에 비해, 반도체 웨이퍼의 균일한 온도 조정 및 고응답성을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치 및 온도 조정 방법을 제공한다. 내부에 공동(21)을 갖는 웨이퍼 탑재대(2)와, 웨이퍼 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도로 조정하기 위해, 프로세스 온도 이하의 물을 공동(21)의 내벽에 분사하는 노즐(64a)을 구비하는 반도체 제조 장치로서, 공동(21)내의 압력을 검출하는 압력 센서(71)와, 압력 센서(71)에서 검출된 압력이, 노즐(64a)로부터 분사되는 물의 온도에 대한 포화 증기압 이상, 프로세스 온도에 대한 포화 증기압 이하가 되도록 공동(21)내의 기체를 배출하는 진공 펌프를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100063743A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020107006750

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와카미마사토 ,  나가세키스미에 ,  이토도루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: In the plasma treatment by an electrically negative gas, the in-plane uniformity of plasma treatment is enhanced over the prior art by controlling the ion density in the plasma. Not only is a treating gas being an electrically negative gas introduced from a treating gas source (170) into a treatment chamber (102) but also an electrically negative gas greater in electron attachment coefficient than the treating gas is introduced as an addition gas from an addition gas source (180) to thereby form a plasma. In the plasma formation, the ion density in the plasma is controlled by regulating the flow rate of the addition gas relative to the treating gas.

Abstract translation: 在通过电负气体的等离子体处理中，通过控制等离子体中的离子密度，等离子体处理的面内均匀性比现有技术得到增强。 处理气体不仅是从处理气体源（170）引入到处理室（102）中的电负气体，而且从处理气体引入的电子附着系数大的电负气体作为添加气体从 加成气源（180），从而形成等离子体。 在等离子体形成中，通过调节加气相对于处理气体的流量来控制等离子体中的离子密度。

公开(公告)号：KR1020100039883A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：KR1020107002833

申请日：2008-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B05D5/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device manufacturing method has a step of generating fine bubbles, which are charged to positive or negative with substantially no buoyant force, in a coat solution, i.e., an insulating film forming material; a step of forming a coat film by applying the coat solution including the bubbles on a substrate; and a step of obtaining a porous low dielectric constant insulating film by heating the substrate before the bubbles disappear and by baking the coat film.

Abstract translation: 半导体器件制造方法具有在涂布溶液即绝缘膜形成材料中产生微细气泡的步骤，其以基本上没有浮力的方式带正电或负电， 通过将包含气泡的涂布液涂布在基板上而形成涂膜的工序; 以及通过在气泡消失之前加热基板并通过烘烤该涂膜来获得多孔低介电常数绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020090097920A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：KR1020097014359

申请日：2007-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  B82Y99/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1671 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D5/003 ,  C25D5/08 ,  C25D5/20 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/3065

Abstract: Provided is a method for performing etching process or film forming process to a substrate (W) whereupon a prescribed pattern is formed with an opening. The method is provided with a step of mixing a liquid and a gas, at least one of which contains a component that contributes to the etching process or the film forming process, and generating charged nano-bubbles (85) having a diameter smaller than that of the opening formed on the semiconductor substrate (W); a step of forming an electric field for pulling in the nano-bubbles (85) onto the surface of the substrate (W); and a step of performing the process by supplying the substrate with the liquid containing the nano-bubbles (85) while forming the electric field.

Abstract translation: 提供了一种用于对基板（W）进行蚀刻处理或成膜处理的方法，由此形成具有开口的规定图案。 该方法具有混合液体和气体的步骤，其中至少一个含有有助于蚀刻处理或成膜工艺的成分，并产生直径小于其的直径的电荷纳米气泡（85）的步骤。 的开口形成在半导体衬底（W）上; 形成用于将纳米气泡（85）拉入到基板（W）的表面上的电场的步骤; 以及通过在形成电场的同时向衬底供给含有纳米气泡（85）的液体来进行处理的步骤。