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公开(公告)号：KR1020140090196A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147012631
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC classification number: F25B43/02 , F04C18/00 , F04C29/042 , F25B1/053 , F25B13/00 , F25B31/004 , F25B49/02 , F25B2600/21 , H01J37/32724 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 냉매의 상 변화에 의해 주위와 열 교환하는 열 교환부(71)와, 냉매를 열 교환부(71)로부터 유입하고, 내부의 기름과 융합시키는 로터리 펌프(73)와, 기름에 융합된 냉매를 로터리 펌프(73)로부터 유입하고, 기름과 분리시키는 유수 분리기(74)를 구비하되, 기름과 분리된 냉매를 재차 열 교환부(71)로 순환시킴으로써 냉각 기능을 갖는 냉동 사이클을 구성하는 온도 제어 장치(70)가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120094446A
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020120015782
申请日：2012-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67017 , H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: A cooling device, a processing chamber, a component of the processing chamber, and a cooling method are provided to cool a target with high efficiency by inputting thermal media to the inner surface of a decompression chamber with electric fields. CONSTITUTION: A decompression chamber(60) is thermally connected to a cooling target member. A spray unit(64) sprays liquefied thermal media below a target temperature to the inner surface of the compression chamber. An electric field generating unit(68) generates an electric field to attach the thermal media from the spray unit to the inner surface of the decompression chamber. An exhaust unit(65) exhausts the decompression chamber to reduce the inner pressure of the decompression chamber below the saturated vapor pressure of the thermal media.
Abstract translation: 目的：提供一种冷却装置，处理室，处理室的部件和冷却方法，通过将热介质输入到具有电场的减压室的内表面来高效地冷却目标。 构成：减压室（60）与冷却目标构件热连接。 喷射单元（64）将低于目标温度的液化热介质喷射到压缩室的内表面。 电场产生单元（68）产生电场以将热介质从喷射单元附接到减压室的内表面。 排气单元（65）排出减压室以将减压室的内部压力降低到热介质的饱和蒸气压以下。
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公开(公告)号：KR1020170073496A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020160170220
申请日：2016-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 방습성이높고얇은유기 EL 소자를제공한다. 유리기판(G) 상에형성되어있는유기 EL 소자(106)를밀봉하는밀봉막(105)의성막방법이며, 실리콘함유가스와할로겐원소함유가스를포함하는혼합가스, 또는실리콘함유가스와질소보다전기적부성이강한관능기를함유하는가스를포함하는혼합가스를처리용기(1) 내에공급하는공정과, 처리용기(1) 내에있어서혼합가스의플라즈마를생성하는공정과, 플라즈마에의해활성화된혼합가스에의해, 유기 EL 소자(106)를덮도록밀봉막(105)을성막하는성막공정을포함한다.
Abstract translation: 由此提供具有高耐湿性和薄的有机EL器件。 形成在用于密封的玻璃基板（G）的有机EL元件106的密封膜105城堡膜的方法，比混合气体，或含硅气体和含氮含硅气体和含卤族元素的气体 向处理容器1内供给含有具有高电气亲和性的官能团的气体的混合气体的工序;在处理容器1内生成混合气体的等离子体的工序; ，形成密封膜105以覆盖有机EL元件106。
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公开(公告)号：KR101310494B1
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：KR1020117025754
申请日：2010-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 종래의 온도 조정 방법에 비해, 반도체 웨이퍼의 균일한 온도 조정 및 고응답성을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치 및 온도 조정 방법을 제공한다. 내부에 공동(21)을 갖는 웨이퍼 탑재대(2)와, 웨이퍼 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도로 조정하기 위해, 프로세스 온도 이하의 물을 공동(21)의 내벽에 분사하는 노즐(64a)을 구비하는 반도체 제조 장치로서, 공동(21)내의 압력을 검출하는 압력 센서(71)와, 압력 센서(71)에서 검출된 압력이, 노즐(64a)로부터 분사되는 물의 온도에 대한 포화 증기압 이상, 프로세스 온도에 대한 포화 증기압 이하가 되도록 공동(21)내의 기체를 배출하는 진공 펌프를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101946094B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020147012631
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR100998837B1
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020087017109
申请日：2006-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/06 , B05C11/08 , B05D3/0406 , B05D3/0486 , B05D2203/30 , B05D2203/35 , G03F7/162 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 중심부에 약액을 공급하는 약액 노즐과, 원심력에 의해 기판의 전체 표면에 약액을 확장하여 도포하기 위해, 기판 보지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 표면에, 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하는 기류 형성 유닛과, 기판 주위의 분위기를 배기하는 배기 유닛과, 분위기 가스보다도 동적 점성 계수가 큰 층류 형성용 가스를 기판 표면에 공급하는 가스 노즐을 구비하고, 상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스는 기판 중심부에 공급되게 되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020080077016A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020087017109
申请日：2006-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/06 , B05C11/08 , B05D3/0406 , B05D3/0486 , B05D2203/30 , B05D2203/35 , G03F7/162 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6715
Abstract: A coating apparatus is provided with a substrate holding section for horizontally holding a substrate; a chemical nozzle for supplying the center portion of the substrate horizontally held by the substrate holding section with a chemical; a rotating mechanism for rotating the substrate holding section for applying the chemical by spreading it on the surface of the substrate by centrifugal force; an airflow forming means for forming a down flow of an ambient gas on the surface of the substrate horizontally held by the substrate holding section; an exhaust means for exhausting the ambient atmosphere of the substrate; a gas nozzle for supplying the surface of the substrate with a laminar flow forming gas having a dynamic viscosity higher than that of the ambient gas. The coating apparatus is characterized in that the center portion of the substrate is supplied with the ambient gas or the laminar flow forming gas.
Abstract translation: 涂布装置设置有用于水平地保持基板的基板保持部; 用于将由所述基板保持部水平保持的所述基板的中心部分供给化学品的化学喷嘴; 旋转机构，用于通过离心力将基板保持部分旋转以将其涂覆在基板的表面上; 气流形成装置，用于在由衬底保持部分水平保持的衬底的表面上形成环境气体的下流; 用于排出衬底的周围环境的排气装置; 用于向所述基板的表面供给动态粘度高于环境气体的层流形成气体的气体喷嘴。 涂布装置的特征在于，向基板的中心部分供应环境气体或层流形成气体。
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公开(公告)号：KR101336487B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120015782
申请日：2012-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67017 , H01L21/67253
Abstract: 피냉각 부재의 온도를 목표 온도로 냉각하는 냉각 기구에 있어서, 상기 피냉각 부재에 대해 열적으로 접속된 감압실과, 상기 감압실의 내면에 상기 목표 온도 이하의 액상의 열매체를 분무하는 분무부와, 상기 분무부로부터 분무된 열매체를 상기 감압실의 내면에 부착시키기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생부와, 상기 감압실의 내압이 상기 목표 온도에 있어서의 상기 열매체의 포화 증기압 이하가 되도록 상기 감압실을 배기하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각 기구가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101124924B1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020097014829
申请日：2007-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01J37/32541
Abstract: A plasma processing apparatus includes a first electrode and a second electrode so arranged in the upper portion of a processing chamber as to face a mounting table, a gas supply unit for supplying a processing gas between the first electrode and the second electrode, a RF power supply unit for applying a RF power between the first electrode and the second electrode for converting the process gas supplied between the electrodes into a plasma, and a gas exhaust unit for evacuating the inside of the processing chamber to a vacuum level from the lower portion of the processing chamber. Since the electron temperature in the plasma is low near a substrate on the mounting table, damage to the substrate caused by the plasma can be suppressed. In addition, since a metal can be used as a material for the processing chamber, the processing chamber can have good temperature controllability.
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