公开(公告)号：KR1020120094446A

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020120015782

申请日：2012-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠자키가즈요시 ,  오이카와준지 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A cooling device, a processing chamber, a component of the processing chamber, and a cooling method are provided to cool a target with high efficiency by inputting thermal media to the inner surface of a decompression chamber with electric fields. CONSTITUTION: A decompression chamber(60) is thermally connected to a cooling target member. A spray unit(64) sprays liquefied thermal media below a target temperature to the inner surface of the compression chamber. An electric field generating unit(68) generates an electric field to attach the thermal media from the spray unit to the inner surface of the decompression chamber. An exhaust unit(65) exhausts the decompression chamber to reduce the inner pressure of the decompression chamber below the saturated vapor pressure of the thermal media.

Abstract translation: 目的：提供一种冷却装置，处理室，处理室的部件和冷却方法，通过将热介质输入到具有电场的减压室的内表面来高效地冷却目标。 构成：减压室（60）与冷却目标构件热连接。 喷射单元（64）将低于目标温度的液化热介质喷射到压缩室的内表面。 电场产生单元（68）产生电场以将热介质从喷射单元附接到减压室的内表面。 排气单元（65）排出减压室以将减压室的内部压力降低到热介质的饱和蒸气压以下。

公开(公告)号：KR1020100105768A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107017853

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토도루 ,  가와카미마사토 ,  나가세키스미에 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32935

Abstract: 본 발명은 전기적 부성 플라즈마 영역과 전기적 정성 플라즈마 영역사이의 경계의 프로세스 조건을 파악하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 진공용기내에 공급되는 플라즈마 생성 가스중의 전기적 부성 가스와 전기적 정성 가스의 유량비, 상기 진공용기내의 압력, 및 상기 에너지의 크기로 이루어지는 프로세스 조건의 파라미터 중에서 선택되는 파라미터를 단계적으로 변경하여, 적어도 3개 이상의 프로세스 조건 하에서 플라즈마를 생성하며; 플라즈마 내에 위치하는 랭뮤어 프로브에 전압을 인가하고, 이 인가한 전압과 해당 프로브에 흐르는 전류의 관계를 나타내는 전류 전압 곡선을 각 프로세스 조건마다 취득하여 전류 전압 곡선군을 얻으며; 이때 취득한 전류 전압 곡선군에 의거하여 전기적 정성 플라즈마 영역과 전기적 부성 플라즈마 영역의 경계의 프로세스 조건을 구한다.

公开(公告)号：KR101177194B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020090100898

申请日：2009-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에 ,  사와다이쿠오 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 표면에 패턴이 형성된 반도체 장치용의 기판에 있어서의 패턴 쓰러짐을 방지하면서 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 기판 세정 장치를 제공한다. 반도체 장치용의 기판(W)을 세정하는 기판 세정 장치(1)에 있어서, 기포 발생 수단(3)은 기판 보지 수단(6)에 보지된 기판(W)에 공급되는 세정액 중에, 양 또는 음 중 한쪽으로 대전하고, 또한 기포 직경이 10㎚ 이상 100㎛ 이하의 기포를 발생시키고, 분사 노즐(21)은 이 기포를 포함한 세정액을 분무용의 가스와 혼합해서 미립화하고, 기판(W)을 향해서 미스트를 분사함으로써 해당 기판(W)을 세정한다.

公开(公告)号：KR1020100045929A

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：KR1020090100898

申请日：2009-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에 ,  사와다이쿠오 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B5/007

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning apparatus is provided to reduce the size of mist sprayed on a substrate surface by atomization of the washing solution using a spray nozzle mixing the gas for spraying. CONSTITUTION: A substrate retention unit preserves substrate. A bubbling means(3) the gas of the bubbling for among the washing solution(82) provided to substrate the supply(811). The bubbling means to one side charges with electricity among amount or the negative principle in nature. In the bubbling means, the bubble diameter occurs the bubble less than 100μm over 10nm.

Abstract translation: 目的：提供一种基板清洁装置，用于通过混合喷射气体的喷嘴雾化来减少喷射在基板表面上的雾的尺寸。 构成：衬底保留单元保留衬底。 鼓泡装置（3）提供给基板（811）的洗涤液（82）中的鼓泡气体。 起泡意味着一方在自然界的数量或消极原理之间充电。 在起泡装置中，气泡直径发生在10nm以上小于100μm的气泡。

公开(公告)号：KR1020100012875A

公开(公告)日：2010-02-08

申请号：KR1020097026146

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토도루 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/0081 ,  H01J37/32935

Abstract: A plasma monitoring device (100) is provided with a measuring section (101), and a coaxial cable (102) connected to the measuring section (101). One end of the coaxial cable (102) is inserted into a plasma generating region in a processing chamber (2). A leading end portion of the coaxial cable (102) is permitted to be a probe, and the portion is in a state where the core cable is exposed. The measuring section (101) detects frequency distribution of electromagnetic waves existing in plasma detected by the probe portion of the coaxial cable (102), and displays the detected frequency distribution.

Abstract translation: 等离子体监测装置（100）具有测量部（101）和连接到测量部（101）的同轴电缆（102）。 同轴电缆（102）的一端插入处理室（2）中的等离子体产生区域。 允许同轴电缆（102）的前端部分是探针，并且该部分处于芯线暴露的状态。 测量部（101）检测由同轴电缆（102）的探头部检测到的存在于等离子体中的电磁波的频率分布，并显示检测到的频率分布。

公开(公告)号：KR101310494B1

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：KR1020117025754

申请日：2010-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠자키가즈요시 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 종래의 온도 조정 방법에 비해, 반도체 웨이퍼의 균일한 온도 조정 및 고응답성을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치 및 온도 조정 방법을 제공한다. 내부에 공동(21)을 갖는 웨이퍼 탑재대(2)와, 웨이퍼 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도로 조정하기 위해, 프로세스 온도 이하의 물을 공동(21)의 내벽에 분사하는 노즐(64a)을 구비하는 반도체 제조 장치로서, 공동(21)내의 압력을 검출하는 압력 센서(71)와, 압력 센서(71)에서 검출된 압력이, 노즐(64a)로부터 분사되는 물의 온도에 대한 포화 증기압 이상, 프로세스 온도에 대한 포화 증기압 이하가 되도록 공동(21)내의 기체를 배출하는 진공 펌프를 구비한다.

公开(公告)号：KR101140692B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020107002833

申请日：2008-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B05D5/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 절연막 형성 재료인 도포액중에, 정 및 부의 한쪽으로 대전되어 있고, 또한 부력이 거의 제로인 미소한 기포를 발생시키는 공정과, 상기 기포를 포함하는 도포액을 기판상에 도포해서, 도포막을 형성하는 공정과, 상기 기포가 소실하기 전에, 상기 기판을 가열하고, 상기 도포막을 베이킹하는 것에 의해 다공질의 저유전율의 절연막을 얻는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101089951B1

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020097026146

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토도루 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/0081 ,  H01J37/32935

Abstract: 플라즈마 모니터링 장치(100)는, 측정부(101)와, 이 측정부(101)에 접속된 동축 케이블(102)을 구비하고 있다. 동축 케이블(102)의 일단은 처리 챔버(2) 내의 플라즈마 생성 영역 내에 삽입되어 있다. 동축 케이블(102)의 선단 부분은 프로브로 되어 있고, 이 부분은 코어선이 노출된 상태로 되어 있다. 측정부(101)는 동축 케이블(102)의 프로브 부분에서 검출된 플라즈마 내에 존재하는 전자파의 주파수 분포를 검출하여, 이 검출한 주파수 분포를 표시한다.

Abstract translation: 等离子体监测装置100包括测量单元101和连接到测量单元101的同轴电缆102。 同轴电缆102的一端插入处理室2内的等离子体产生区域。 同轴电缆102的远端部分是探针，并且芯线暴露。 测量单元101检测由同轴电缆102的探测部分检测到的等离子体中存在的电磁波的频率分布，并显示检测到的频率分布。

公开(公告)号：KR101063088B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020097014359

申请日：2007-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  B82Y99/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1671 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C25D5/003 ,  C25D5/08 ,  C25D5/20 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/3065

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 개구(개구부)(88)에 의한 소정의 패턴이 형성된 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 대해, 에칭 처리 또는 성막 처리를 실행하는 방법이다. 반도체 장치의 제조 방법은 적어도 한쪽이 에칭 처리 또는 성막 처리에 관여하는 성분을 포함하는 액체 및 기체를 혼합하여, 상기 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 형성된 상기 개구(88)의 치수보다 작은 직경으로 이루어지고, 액체와 기체의 혼합에 의해 대전한 나노 버블(85)을 상기 액체중에 발생시키는 공정과, 상기 나노 버블(85)을 상기 기판(W)의 표면에 인입하기 위해 전계를 형성하는 공정과, 상기 전계를 형성하면서 상기 나노 버블(85)을 포함하는 액체를 상기 기판(W)에 공급하여 처리를 실행하는 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR101336487B1

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：KR1020120015782

申请日：2012-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠자키가즈요시 ,  오이카와준지 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

Abstract: 피냉각 부재의 온도를 목표 온도로 냉각하는 냉각 기구에 있어서, 상기 피냉각 부재에 대해 열적으로 접속된 감압실과, 상기 감압실의 내면에 상기 목표 온도 이하의 액상의 열매체를 분무하는 분무부와, 상기 분무부로부터 분무된 열매체를 상기 감압실의 내면에 부착시키기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생부와, 상기 감압실의 내압이 상기 목표 온도에 있어서의 상기 열매체의 포화 증기압 이하가 되도록 상기 감압실을 배기하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각 기구가 제공된다.