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公开(公告)号：KR1020130028875A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020120100362
申请日：2012-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67757 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A device and a method for cooling a substrate and a heat treatment apparatus are provided to reduce cooling time by carrying a substrate support member to an air cooling port. CONSTITUTION: A substrate support member(15) holds substrates. A heat shielding member(30) is inserted between the substrate support member and a heater(12). An air cooler port(21) is arranged outside the heat shielding member and a process chamber(11). The heat shielding member is separable from a half cylindrical member(31).
Abstract translation: 目的：提供一种用于冷却基板和热处理装置的装置和方法，以通过将基板支撑构件携带到空气冷却端口来减少冷却时间。 构成：衬底支撑构件（15）保持衬底。 隔热构件（30）插入在基板支撑构件和加热器（12）之间。 空气冷却器端口（21）布置在隔热构件外部和处理室（11）上。 隔热构件与半圆筒构件（31）分离。
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公开(公告)号：KR1020030092093A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：KR1020037013793
申请日：2002-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C30B35/00
Abstract: 본 발명의 기상성장장치는, 내부에 기판이 배치되는 반응용기와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 1 가스도입관을 가지며, 유기금속함유가스로 이루어진 제 1 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 1 가스도입부와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 2 가스도입관을 가지며, 상기 유기금속함유가스와 반응하는 동시에 상기 유기금속함유가스보다도 밀도가 작은 제 2 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 2 가스도입부를 구비하고 있다. 제 1 가스도입관의 가스분출구와 제 2 가스도입관의 가스분출구는, 상기 반응용기내에 배치되는 기판의 바깥둘레를 따라 배치되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020070108415A
公开(公告)日：2007-11-09
申请号：KR1020077022529
申请日：2006-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/45512 , G11B5/85 , G11B7/266 , H01L21/02148 , H01L21/02214 , H01L21/02271 , H01L21/31604
Abstract: Disclosed is a film-forming apparatus comprising a process chamber in which a substrate to be processed is held, a first gas supply means for supplying a first gaseous material composed of a metal alkoxide having a tertiary butoxyl group as a ligand into the process chamber, and a second gas supply means for supplying a second gaseous material composed of a silicon alkoxide material into the process chamber. The first gas supply means and the second gas supply means are connected to a preliminary reaction means for causing a preliminary reaction between the first gaseous material and the second gaseous material, and the first and second gaseous materials after the preliminary reaction are supplied into the process chamber.
Abstract translation: 公开了一种成膜设备，其包括处理室，待处理的基板被保持在其中;第一气体供应装置，用于将由具有叔丁氧基的金属醇盐组成的第一气态物质作为配体供应到处理室中， 以及第二气体供给装置，用于将由硅醇盐材料构成的第二气态材料供给到所述处理室中。 第一气体供给装置和第二气体供给装置连接到用于引起第一气态物质和第二气态物质之间的预反应的预反应装置，并且将预反应之后的第一和第二气态物质供给至该方法 室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100105768A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020107017853
申请日：2009-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32935
Abstract: 본 발명은 전기적 부성 플라즈마 영역과 전기적 정성 플라즈마 영역사이의 경계의 프로세스 조건을 파악하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 진공용기내에 공급되는 플라즈마 생성 가스중의 전기적 부성 가스와 전기적 정성 가스의 유량비, 상기 진공용기내의 압력, 및 상기 에너지의 크기로 이루어지는 프로세스 조건의 파라미터 중에서 선택되는 파라미터를 단계적으로 변경하여, 적어도 3개 이상의 프로세스 조건 하에서 플라즈마를 생성하며; 플라즈마 내에 위치하는 랭뮤어 프로브에 전압을 인가하고, 이 인가한 전압과 해당 프로브에 흐르는 전류의 관계를 나타내는 전류 전압 곡선을 각 프로세스 조건마다 취득하여 전류 전압 곡선군을 얻으며; 이때 취득한 전류 전압 곡선군에 의거하여 전기적 정성 플라즈마 영역과 전기적 부성 플라즈마 영역의 경계의 프로세스 조건을 구한다.
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公开(公告)号：KR100853886B1
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020037013793
申请日：2002-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C30B35/00
Abstract: 본 발명의 기상성장장치는, 내부에 기판이 배치되는 반응용기와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 1 가스도입관을 가지며, 유기금속함유가스로 이루어진 제 1 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 1 가스도입부와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 2 가스도입관을 가지며, 상기 유기금속함유가스와 반응하는 동시에 상기 유기금속함유가스보다도 밀도가 작은 제 2 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 2 가스도입부를 구비하고 있다. 제 1 가스도입관의 가스분출구와 제 2 가스도입관의 가스분출구는, 상기 반응용기내에 배치되는 기판의 바깥둘레를 따라 배치되어 있다.
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公开(公告)号：KR101240818B1
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020107006750
申请日：2008-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 전기적 음성 가스에 의해 플라즈마 처리를 실행할 때에, 플라즈마 중의 이온 밀도를 제어함으로써 플라즈마 처리의 면내 균일성을 종래 이상으로 향상시킨다. 처리실(102) 내에, 전기적 음성 가스인 처리 가스를 처리 가스원(170)으로부터 도입하는 동시에, 이 처리 가스보다도 전자 부착 계수가 큰 전기적 음성 가스를 첨가 가스원(180)으로부터 첨가 가스로서 도입해서 플라즈마를 형성하고, 그 때에 처리 가스에 대한 처리 가스의 유량을 조정하는 것으로 플라즈마 중의 이온 밀도를 제어한다.
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公开(公告)号：KR1020100063743A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020107006750
申请日：2008-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: In the plasma treatment by an electrically negative gas, the in-plane uniformity of plasma treatment is enhanced over the prior art by controlling the ion density in the plasma. Not only is a treating gas being an electrically negative gas introduced from a treating gas source (170) into a treatment chamber (102) but also an electrically negative gas greater in electron attachment coefficient than the treating gas is introduced as an addition gas from an addition gas source (180) to thereby form a plasma. In the plasma formation, the ion density in the plasma is controlled by regulating the flow rate of the addition gas relative to the treating gas.
Abstract translation: 在通过电负气体的等离子体处理中，通过控制等离子体中的离子密度，等离子体处理的面内均匀性比现有技术得到增强。 处理气体不仅是从处理气体源（170）引入到处理室（102）中的电负气体，而且从处理气体引入的电子附着系数大的电负气体作为添加气体从 加成气源（180），从而形成等离子体。 在等离子体形成中，通过调节加气相对于处理气体的流量来控制等离子体中的离子密度。
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公开(公告)号：KR100935483B1
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020077022529
申请日：2006-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/45512 , G11B5/85 , G11B7/266 , H01L21/02148 , H01L21/02214 , H01L21/02271 , H01L21/31604
Abstract: 피처리 기판을 내부에 유지하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에, 터셔리뷰톡실기를 리간드로 하는 금속 알콕사이드로 이루어지는 제 1 기상 원료를 공급하는 제 1 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기내에, 실리콘 알콕사이드 원료로 이루어지는 제 2 기상 원료를 공급하는 제 2 가스 공급 수단을 갖고, 상기 제 1 가스 공급 수단과 상기 제 2 가스 공급 수단은, 상기 제 1 기상 원료와 상기 제 2 기상 원료를 예비 반응시키는 예비 반응 수단에 접속되고, 예비 반응후의 상기 제 1 기상 원료와 상기 제 2 기상 원료가 상기 처리 용기내에 공급되는 구조인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
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