公开(公告)号：KR101074441B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020087003967

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  시노즈카신이치 ,  다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/38

Abstract: 패턴형성장치(1)는현상처리후에기판(W)에형성된레지스트패턴의사이드월 앵글(SWA)을측정검사하는검사장치(400)와, 상기현상처리후의레지스트패턴의사이드월 앵글(SWA)의목표값과상기검사장치(400)에의한사이드월 앵글(SWA)의검사결과의차분에기초하여상기현상처리후의사이드월 앵글(SWA)이상기목표값에근사하도록, 상기제1 가열처리(71∼74) 또는상기제2 가열처리(84∼89)에서의처리조건의설정을행하는제어부(500)를구비한다.

公开(公告)号：KR101068596B1

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020077018636

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020090091667A

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：KR1020090015302

申请日：2009-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70516 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method, a computer-readable storage medium, and a substrate processing system are provided to form a pattern dimension of the treated film into the predetermined dimension in a substrate. A substrate processing system(1) performs the predetermined process to the substrate in which the treated film is formed, and the predetermined pattern is formed on the treated film of the substrate. A measurement system(2) measures the film thickness of the treated film the substrate, the refractive index of the treated film, the warpage amount or the absorption coefficient of the treated film. A control device(400) assumes the pattern dimension of the treated film after the predetermined processing based on the measurement result of the entry condition. The correction value is calculated on the estimation result of the pattern dimension. An application development treatment apparatus(3) forms the predetermined pattern on the treated film of substrate.

Abstract translation: 提供了基板处理方法，计算机可读存储介质和基板处理系统，以在基板中形成经处理的膜的图案尺寸为预定尺寸。 基板处理系统（1）对形成有处理膜的基板进行预定处理，并且在基板的处理膜上形成预定图案。 测量系统（2）测量处理过的薄膜的基材厚度，处理薄膜的折射率，翘曲量或处理薄膜的吸收系数。 控制装置（400）基于进入条件的测量结果，在经过预定处理之后假设处理过的胶片的图案尺寸。 根据图案尺寸的估计结果计算校正值。 应用开发处理装置（3）在处理的基板上形成预定图案。

公开(公告)号：KR1020080049016A

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020087003967

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  시노즈카신이치 ,  다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/38 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/70616 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67225

Abstract: A pattern-forming apparatus (1) comprises a test device (400) for measuring the side wall angle SWA of a resist pattern which is formed on a substrate W after a development process, and a control unit (500) for setting the treatment conditions in the first heat treatment units (71-74) or the second heat treatment units (84-89) basing on the difference between the target value of the side wall angle SWA of the resist pattern after development process and the actual value of the side wall angle SWA measured by the test device (400) so that the side wall angle SWA after development approach the target value.

Abstract translation: 图案形成装置（1）包括用于测量在显影处理之后形成在基板W上的抗蚀剂图案的侧壁角度SWA的测试装置（400）和用于设定处理条件的控制单元（500） 在第一热处理单元（71-74）或第二热处理单元（84-89）中，基于显影处理后的抗蚀剂图案的侧壁角度SWA的目标值与侧面的实际值之差 通过测试装置（400）测量的壁角度SWA，使得开发后的侧壁角度SWA接近目标值。