公开(公告)号：KR100341010B1

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：KR1019980005995

申请日：1998-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네미즈아키라 ,  마쓰야마유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판의 양면세정방법은, (a) 회전중인 기판의 표면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 세정하는 제1 세정공정과, (b) 회전중인 기판의 이면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 세정하는 제2 세정공정과, (c) 적셔진 기판을 가열하여 건조시키는 가열건조공정과, (d) 상기 제1 및 제2 세정공정(a),(b) 사이의 시기 및 상기 제2 세정공정(b) 후의 시기에서 상기 가열건조공정(c)을 각각 실시하든지, 또는 상기 제2 세정공정(b) 후의 시기에만 상기 가열건조공정(c)을 실시하든지, 또는 상기 가열건조공정(c)을 실시하지 않든지, 이중에서 어느 하나를 선택하는 레시피 선택공정과, (e) 상기 레시피 선택공정(d)에서 선택된 레시피에 따라 상기 가열건조공정(c)을 실행하든지 또는 실행하지 않는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010103664A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010024843

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 대하여 도포현상처리하는 방법으로서, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 공정과, 도포막이 형성된 기판을 가열처리하는 공정과, 상기 가열처리후에 기판을 냉각하는 공정과, 기판에 형성된 도포막에 노광처리하는 공정과, 노광처리후에 기판을 현상하는 공정을 가지며, 더욱 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광처리하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하는 공정을 가진다.
본 발명에 의하면, 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하기 때문에, 이 처리막에 의해, 분위기중의 산소나 수증기 등의 불순물로부터 기판을 보호할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010050087A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1020000047160

申请日：2000-08-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C11/08

Abstract: PURPOSE: A liquid treatment apparatus and a method is provided to prevent a treating liquid from leaking out of the apparatus when a feed nozzle having a feed region is scanned to feed the treating liquid to the wafer. CONSTITUTION: A cup(3) is formed in which an upper part(31a) is of square cylindrical shape, a lower part(31b) is circular cylindrical and the circular cylindrical part is inside the square cylindrical part when the cup(3) is seen from above, the cup has a lifting mechanism, a controller(7) controls so that the upper part of the cap locates at the side of the wafer(W), when a feed nozzle(6) is scanned and the lower part of the cup locates at a position covering the upper level and lower level of the safer, when a cleaning liquid and a developing liquid are shook off. The scan of the feed nozzle(6) is made, while the nozzle is located in the upper part cap.

Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置和方法，用于当扫描具有进料区域的进料喷嘴以将处理液体供给到晶片时，防止处理液体从设备中泄漏出来。 构成：当杯（3）为杯状（3）时，形成上部（31a）为圆筒状的杯（3），下部（31b）为圆筒状，圆筒状的筒状部 从上方观察，杯具有提升机构，当扫描进料喷嘴（6）时，控制器（7）控制使得盖的上部位于晶片（W）的侧面，并且下部 当清洗液体和显影液体被摇动时，杯子位于覆盖更安全的上部和下部的位置。 当喷嘴位于上部盖中时，进行进料喷嘴（6）的扫描。

公开(公告)号：KR100739969B1

公开(公告)日：2007-07-16

申请号：KR1020010025502

申请日：2001-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은, 기판의 도포 현상 처리에 있어서, 기판에 도포액을 공급하여 기판에 도포막을 형성하는 공정과, 시스템 외부의 노광 장치에서 노광 처리된 기판에 대하여, 상기 처리부에서 기판을 현상하는 공정과, 도포막이 형성된 후, 노광 처리의 전에 챔버내에 기판을 반입하고, 그 후 기밀하게 폐쇄된 챔버내를 소정의 압력으로 감압하여 소정의 시간 챔버내의 기판에 부착한 불순물을 기판으로부터 제거하는 공정을 가지며, 소정의 압력과 소정의 시간은, 처리부내에서 측정되는 불순물의 농도에 따라서 조절된다.
본 발명에 의하면, 노광 처리 전에, 기판의 도포막에 부착한 수분, 수증기, 산소, 오존, 유기물 등의 분자 레벨의 불순물이나 미립자 등의 불순물을 제거할 수가 있어, 적합하게 노광 처리가 행하여진다. 소정의 위치에서 측정된 불순물의 농도에 따라서, 감압시의 압력, 시간, 감압 속도가 조절되기 때문에, 기판에 부착한 수분, 산소 등의 불순물의 제거 처리를 그 불순물의 부착량에 따른 필요 최소한의 적절한 조건에서 행할 수 있다.

公开(公告)号：KR100618723B1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：KR1020000047729

申请日：2000-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  Y10S430/151

Abstract: 웨이퍼의 피처리면에 계면활성제를 도포하고, 이 위에 반사방지막의 약액을 도포하여, 예를 들어 100㎚정도 두께의 반사방지막을 형성한다. 계속하여, 반사방지막의 표면에 계면활성제를 도포하고, 이 위에 레지스트액을 공급하여, 예를 들어 500㎚정도 두께의 레지스트막을 형성한다. 이와 같이 계면활성제의 위에 반사방지막의 약액 및 레지스트액의 도포액을 도포하면, 계면활성제의 작용에 의해 도포액의 표면장력이 감소하여, 도포액은 웨이퍼 표면을 따라 웨이퍼의 면에 거의 평행하여 퍼져 간다. 이로 인해, 도포액의 도포 필요량이 감소되어, 약액의 절약화를 꾀할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100556012B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020010003099

申请日：2001-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지 ,  나가미네슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: 본 발명은 소정의 위치에 재치된 기판의 표면에, 현상액공급노즐에서 현상액을 공급하고, 해당 기판을 현상처리하는 방법이며, 현상액공급노즐이 기판의 일끝단 바깥쪽에 있는 노즐의 대기위치로부터 적어도 기판의 다른 끝단까지 현상액을 공급하지 않고 이동하는 공정과, 그 후, 상기 현상액공급노즐이 상기 다른 끝단에서 적어도 상기 일끝단까지 현상액을 공급하면서 이동하는 공정을 가진다.
따라서, 한번 사용되어 현상액이 떨어질 가능성이 있는 현상액공급노즐이 기판 위쪽을 통과하는 일이 없고, 현상액공급 전후로 현상액공급노즐에서 어떠한 이유로 기판에 현상액이 떨어지는 일은 없다. 그 때문에, 현상액이 떨어지는 것에 기인한 현상결함은 방지된다.

公开(公告)号：KR100341011B1

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：KR1019980006111

申请日：1998-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네미즈아키라 ,  마쓰야마유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판의 양면세정장치는, 기판의 표면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 스크러브 세정하는 제1 세정유니트(21)와, 기판의 이면에 액체를 뿌리면서 스크러브부재를 접촉시켜 스크러브 세정하는 제2 세정유니트(23)를 갖는 프로세스부(2)와, 이 프로세스부내에서 적어도 제1 및 제2 세정유니트로 기판을 각각 출입시키는 메인아암기구(4)와, 상기 프로세스부의 한쪽에 설치되어, 기판수납용의 복수의 카세트가 로드/언로드되는 제1 카세트부(1)와, 상기 프로세스부의 다른쪽에 설치되고, 또한 상기 프로세스부를 사이에 두고 상기 제1 카세트부와 마주 대하며, 기판수납용의 복수의 카세트가 로드/언로드되는 제2 카세트부(3)와, 상기 제1 카세트부의 카세트로 부터/에 기판을 출입시키며, 상기 메인아암기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제1 서브아� ��기구(11)와, 상기 제2 카세트부의 카세트로 부터/에 기판을 출입시키고, 상기 메인아암기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제2 서브아암기구(31)와, 상기 제1 카세트로부터 취출한 제1 기판에 대해서는, 그 표면을 상기 제1 세정유니트로 세정한 후에, 그 이면을 상기 제2 세정유니트로 세정하고, 상기 제2 카세트로부터 취출한 제2 기판에 대해서는, 그 이면을 상기 제2 세정유니트로 세정한 후에, 그 표면을 상기 제1 세정유니트로 세정하도록, 상기 메인아암기구 및 상기 프로세스부를 각각 제어하는 제어기(90∼93)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010104661A

公开(公告)日：2001-11-26

申请号：KR1020010025502

申请日：2001-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은, 기판의 도포 현상 처리에 있어서, 기판에 도포액을 공급하여 기판에 도포막을 형성하는 공정과, 시스템 외부의 노광 장치에서 노광 처리된 기판에 대하여, 상기 처리부에서 기판을 현상하는 공정과, 도포막이 형성된 후, 노광 처리의 전에 챔버내에 기판을 반입하고, 그 후 기밀하게 폐쇄된 챔버내를 소정의 압력으로 감압하여 소정의 시간 챔버내의 기판에 부착한 불순물을 기판으로부터 제거하는 공정을 가지며, 소정의 압력과 소정의 시간은, 처리부내에서 측정되는 불순물의 농도에 따라서 조절되다.
본 발명에 의하면, 노광 처리 전에, 기판의 도포막에 부착한 수분, 수증기, 산소, 오존, 유기물 등의 분자 레벨의 불순물이나 미립자 등의 불순물을 제거할 수가 있어, 적합하게 노광 처리가 행하여진다. 소정의 위치에서 측정된 불순물의 농도에 따라서, 감압시의 압력, 시간, 감압 속도가 조절되기 때문에, 기판에 부착한 수분, 산소 등의 불순물의 제거 처리를 그 불순물의 부착량에 따른 필요 최소한의 적절한 조건에서 행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010021346A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1020000047729

申请日：2000-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  Y10S430/151

Abstract: PURPOSE: A method for forming resist pattern is provided to reduce the amounts of coating of coating liquid at formation of a reflection preventing film or a resist film at formation of a resist pattern. CONSTITUTION: A hydrophilic water(21) is coated on the face to be treated of a wafer(W), and the medical liquid of an antireflection film is coated on this so that an about 1,000 Å thickness antireflection film(22) can be formed. Then, the hydrophilic water(21) is coated on the surface of the antireflection film(22), and resist liquid is supplied to this so that an about 5,000Å thick resist film(23) can be formed. And, coating liquid such as the medical liquid of the antireflection film or the resist liquid is coated on the hydrophilic water(21), so that the surface tension of the coating liquid can be reduced according to the action of the hydrophilic water(21), and the coating liquid can be extended along the surface of the water(W) almost in parallel with the face of the wafer(W). Thus, the necessary amounts of coating of coating liquid can be reduced, and the amounts of medical liquid can be saved.

Abstract translation: 目的：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，以在形成抗蚀剂图案时减少形成防反射膜或抗蚀剂膜时的涂布液的涂布量。 构成：在待处理的晶片（W）的表面上涂布亲水性水（21），并且在其上涂覆防反射膜的医用液体，从而可以形成约1000的抗反射膜（22） 。 然后，将亲水性水（21）涂覆在防反射膜（22）的表面上，并且向其提供抗蚀剂液体，从而可以形成约5000埃的抗蚀剂膜（23）。 并且，在亲水性水（21）上涂布防反射膜或抗蚀液等医药液等涂布液，能够根据亲水性水（21）的作用减少涂布液的表面张力， 并且涂布液体可以沿着与晶片（W）的表面大致平行的水（W）的表面延伸。 因此，可以减少涂布液的涂布量，能够节省医用液体的量。

公开(公告)号：KR1020000016916A

公开(公告)日：2000-03-25

申请号：KR1019990027673

申请日：1999-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰야마유지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67748 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67178 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137

Abstract: PURPOSE: A processing equipment is provided to minimize a thermal influence on a liquid processing unit which is integrated with a heating unit. CONSTITUTION: The processing equipment comprises: a first and a second liquid processing unit(70, 80) for supplying a processing liquid onto a substrate and processing the substrate; a heating unit(30, 50) for heating the substrate to a selected temperature; a cooling unit(20) for cooling the substrate to a selected temperature; a first and a second transfer unit(90, 100) for transferring the substrate. The first transfer unit faces opposite to the second transfer unit with the heating unit disposed between the first and second transfer units. The first liquid processing unit faces opposite to the second liquid processing unit with the second transfer unit disposed therebetween. The first transfer unit can load and unload the substrate with respect to the heating unit and the cooling unit and the second transfer unit can load and unload the substrate with respect to the liquid processing unit and the cooling unit.

Abstract translation: 目的：提供一种加工设备，以最小化对与加热单元集成的液体处理单元的热影响。 构成：处理设备包括：第一和第二液体处理单元（70,80），用于将处理液体供应到基板上并处理基板; 加热单元（30,50），用于将基板加热到所选择的温度; 用于将衬底冷却至选定温度的冷却单元（20）; 用于转移衬底的第一和第二转印单元（90,100）。 第一转印单元面对与第二转印单元相对，其中加热单元设置在第一和第二转印单元之间。 第一液体处理单元面对与第二液体处理单元相对的第二液体处理单元，其中第二转移单元设置在它们之间。 第一转印单元可以相对于加热单元加载和卸载基板，并且第二转印单元可以相对于液体处理单元和冷却单元装载和卸载基板。